Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148447) > Сторінка 2434 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2429 2430 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.48 грн
10+47.36 грн
31+29.73 грн
84+28.12 грн
500+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.73 грн
10+46.13 грн
31+29.50 грн
84+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8721pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.83 грн
10+42.68 грн
32+28.43 грн
87+26.90 грн
150+26.82 грн
250+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8748pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.31 грн
7+56.86 грн
10+51.11 грн
33+27.43 грн
50+27.36 грн
91+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.47 грн
12+34.79 грн
39+22.99 грн
108+21.76 грн
250+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.12 грн
10+42.68 грн
34+26.36 грн
94+24.91 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7309q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 35nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 240A
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.35 грн
10+50.50 грн
25+45.29 грн
35+25.83 грн
96+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLR2905Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7540TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+354.87 грн
5+186.99 грн
14+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 1940ns
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.82 грн
8+127.98 грн
20+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.31 грн
7+140.24 грн
18+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.18 грн
4+229.90 грн
11+216.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 23983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.46 грн
28+14.10 грн
50+10.42 грн
75+9.58 грн
100+9.04 грн
149+6.05 грн
409+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+34.66 грн
19+20.77 грн
50+15.56 грн
100+13.79 грн
140+6.44 грн
385+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.13 грн
4+242.16 грн
11+228.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ75N65H5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 166nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 160nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.08 грн
10+65.75 грн
25+37.01 грн
67+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540Z AUIRF540Z INFINEON TECHNOLOGIES auirf540z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.01 грн
7+142.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Drain current: 160A
Gate charge: 85nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.11 грн
10+85.83 грн
18+52.88 грн
49+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40T120FKSA1 IGW40T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.10 грн
3+368.61 грн
7+348.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40T120FKSA1 IKW40T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40T120FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.94 грн
3+321.09 грн
8+304.24 грн
30+299.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.99 грн
10+78.17 грн
15+60.54 грн
41+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.99 грн
10+84.30 грн
13+73.57 грн
34+69.74 грн
100+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7.2A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.26 грн
10+108.82 грн
11+88.89 грн
28+83.53 грн
100+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+47.04 грн
25+27.43 грн
39+23.22 грн
107+21.92 грн
525+21.69 грн
750+21.30 грн
1050+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 PVG612 INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.05 грн
3+368.61 грн
7+348.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVG612ASPBF.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 4A; 0÷60VAC; -60÷60VDC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1434.34 грн
2+738.75 грн
4+698.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.66 грн
3+421.48 грн
6+398.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+380.46 грн
6+164.00 грн
16+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.54 грн
17+22.99 грн
100+15.33 грн
190+4.75 грн
520+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 12344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.08 грн
63+6.13 грн
100+5.10 грн
213+4.21 грн
586+3.98 грн
12000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBF IRFZ44VZSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.42 грн
10+39.47 грн
50+31.27 грн
51+17.93 грн
139+16.94 грн
1000+16.55 грн
2000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.41 грн
27+14.41 грн
50+11.04 грн
100+9.73 грн
213+4.21 грн
586+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.58 грн
25+15.94 грн
50+11.95 грн
171+5.29 грн
470+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2246pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.16 грн
30+12.80 грн
50+9.27 грн
100+7.89 грн
194+4.67 грн
533+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
23+16.86 грн
50+12.57 грн
100+11.19 грн
132+6.82 грн
364+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.41 грн
21+18.55 грн
25+15.71 грн
50+10.81 грн
100+9.20 грн
139+6.44 грн
382+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.08 грн
10+107.29 грн
17+53.64 грн
46+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.48 грн
10+47.36 грн
31+29.73 грн
84+28.12 грн
500+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.73 грн
10+46.13 грн
31+29.50 грн
84+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF description irlb8721pbf.pdf
IRLB8721PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.83 грн
10+42.68 грн
32+28.43 грн
87+26.90 грн
150+26.82 грн
250+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF irlb8748pbf.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.31 грн
7+56.86 грн
10+51.11 грн
33+27.43 грн
50+27.36 грн
91+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf
IRF7303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.47 грн
12+34.79 грн
39+22.99 грн
108+21.76 грн
250+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.12 грн
10+42.68 грн
34+26.36 грн
94+24.91 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 35nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 240A
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.35 грн
10+50.50 грн
25+45.29 грн
35+25.83 грн
96+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905Z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF.pdf
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+354.87 грн
5+186.99 грн
14+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 1940ns
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.82 грн
8+127.98 грн
20+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.31 грн
7+140.24 грн
18+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.18 грн
4+229.90 грн
11+216.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 23983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.46 грн
28+14.10 грн
50+10.42 грн
75+9.58 грн
100+9.04 грн
149+6.05 грн
409+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+34.66 грн
19+20.77 грн
50+15.56 грн
100+13.79 грн
140+6.44 грн
385+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.13 грн
4+242.16 грн
11+228.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1-DTE.pdf
IGZ75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 166nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 160nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD.pdf
SPW35N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.08 грн
10+65.75 грн
25+37.01 грн
67+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540Z auirf540z.pdf
AUIRF540Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.01 грн
7+142.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Drain current: 160A
Gate charge: 85nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.11 грн
10+85.83 грн
18+52.88 грн
49+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40T120FKSA1 IGW40T120.pdf
IGW40T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.10 грн
3+368.61 грн
7+348.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40T120FKSA1 IKW40T120FKSA1.pdf
IKW40T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.94 грн
3+321.09 грн
8+304.24 грн
30+299.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.99 грн
10+78.17 грн
15+60.54 грн
41+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.99 грн
10+84.30 грн
13+73.57 грн
34+69.74 грн
100+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60T.pdf
IKA10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7.2A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.26 грн
10+108.82 грн
11+88.89 грн
28+83.53 грн
100+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60R.pdf
IKD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RF.pdf
IKD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.04 грн
25+27.43 грн
39+23.22 грн
107+21.92 грн
525+21.69 грн
750+21.30 грн
1050+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 description pvg612.pdf
PVG612
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.05 грн
3+368.61 грн
7+348.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF.pdf
PVG612ASPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 4A; 0÷60VAC; -60÷60VDC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1434.34 грн
2+738.75 грн
4+698.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.66 грн
3+421.48 грн
6+398.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+380.46 грн
6+164.00 грн
16+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.54 грн
17+22.99 грн
100+15.33 грн
190+4.75 грн
520+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 12344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.08 грн
63+6.13 грн
100+5.10 грн
213+4.21 грн
586+3.98 грн
12000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBF description irfz44e.pdf
IRFZ44EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf
IRFZ44VZSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF description irfz44z.pdf
IRFZ44ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.42 грн
10+39.47 грн
50+31.27 грн
51+17.93 грн
139+16.94 грн
1000+16.55 грн
2000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.41 грн
27+14.41 грн
50+11.04 грн
100+9.73 грн
213+4.21 грн
586+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF irlml2060pbf.pdf
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.58 грн
25+15.94 грн
50+11.95 грн
171+5.29 грн
470+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF irlml2246pbf.pdf
IRLML2246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.16 грн
30+12.80 грн
50+9.27 грн
100+7.89 грн
194+4.67 грн
533+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
23+16.86 грн
50+12.57 грн
100+11.19 грн
132+6.82 грн
364+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF irlml2803.pdf
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.41 грн
21+18.55 грн
25+15.71 грн
50+10.81 грн
100+9.20 грн
139+6.44 грн
382+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.08 грн
10+107.29 грн
17+53.64 грн
46+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2429 2430 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]