Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148771) > Сторінка 2480 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2475 2476 2477 2478 2479 2480
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C1312KV18-250BZXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2166PBF IR2166PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2166.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; DIP16; -400÷250mA; 1.8W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; PFC controller
Case: DIP16
Output current: -400...250mA
Power: 1.8W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...25V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2166STRPBF IR2166STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2166.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -400÷250mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; PFC controller
Case: SO16
Output current: -400...250mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...25V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.15 грн
5+105.71 грн
10+95.80 грн
25+81.76 грн
100+66.90 грн
250+59.46 грн
500+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ INFINEON TECHNOLOGIES BTS3050EJ.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 0.1Ω
Number of channels: 1
Output current: 4A
Output voltage: 40V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.28 грн
6+78.46 грн
25+65.24 грн
100+58.64 грн
250+54.51 грн
500+52.03 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035TF BTS3035TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3035TF.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.40 грн
5+99.93 грн
10+93.32 грн
25+83.41 грн
100+72.68 грн
250+66.90 грн
500+61.94 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035EJ BTS3035EJ INFINEON TECHNOLOGIES BTS3035EJ.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.20 грн
25+75.16 грн
100+67.72 грн
250+62.77 грн
500+59.46 грн
1000+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDN752x-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.59 грн
10+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 2EDN8524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.70 грн
12+36.42 грн
25+34.93 грн
100+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.65 грн
10+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.91 грн
10+153.61 грн
25+125.53 грн
50+112.32 грн
100+108.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70081EPP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 8.8mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70081EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 16.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 380W
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.36 грн
10+180.87 грн
50+168.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R099C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+220.57 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.81 грн
12+36.17 грн
50+27.25 грн
100+24.03 грн
200+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4315pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120CS7.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 BC847BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8748pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+88.05 грн
7+62.60 грн
10+52.36 грн
25+41.05 грн
50+34.77 грн
100+30.23 грн
250+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.75 грн
25+269.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.57 грн
30+13.96 грн
50+11.64 грн
100+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.24 грн
150+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2166PBF IR2166.pdf
IR2166PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; DIP16; -400÷250mA; 1.8W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; PFC controller
Case: DIP16
Output current: -400...250mA
Power: 1.8W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...25V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2166STRPBF IR2166.pdf
IR2166STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -400÷250mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; PFC controller
Case: SO16
Output current: -400...250mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...25V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.15 грн
5+105.71 грн
10+95.80 грн
25+81.76 грн
100+66.90 грн
250+59.46 грн
500+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ.pdf
BTS3050EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 0.1Ω
Number of channels: 1
Output current: 4A
Output voltage: 40V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.28 грн
6+78.46 грн
25+65.24 грн
100+58.64 грн
250+54.51 грн
500+52.03 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035TF BTS3035TF.pdf
BTS3035TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.40 грн
5+99.93 грн
10+93.32 грн
25+83.41 грн
100+72.68 грн
250+66.90 грн
500+61.94 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035EJ BTS3035EJ.pdf
BTS3035EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.20 грн
25+75.16 грн
100+67.72 грн
250+62.77 грн
500+59.46 грн
1000+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN752x-DTE.pdf
2EDN7524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.59 грн
10+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.70 грн
12+36.42 грн
25+34.93 грн
100+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.65 грн
10+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description IRFB4321PBF-DTE.pdf
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.91 грн
10+153.61 грн
25+125.53 грн
50+112.32 грн
100+108.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPPXUMA1 BTS70081EPP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 8.8mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPAXUMA1 BTS70081EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 16.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF irfs3004pbf.pdf
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 380W
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.36 грн
10+180.87 грн
50+168.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6-DTE.pdf
IPP60R099P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6-DTE.pdf
IPB65R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7-DTE.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+220.57 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.81 грн
12+36.17 грн
50+27.25 грн
100+24.03 грн
200+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF irfl4315pbf.pdf
IRFL4315TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF irlb8748pbf.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.05 грн
7+62.60 грн
10+52.36 грн
25+41.05 грн
50+34.77 грн
100+30.23 грн
250+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.75 грн
25+269.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf
IRLHS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.57 грн
30+13.96 грн
50+11.64 грн
100+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description irfr3910.pdf
IRFU3910PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.24 грн
150+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2475 2476 2477 2478 2479 2480