Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149641) > Сторінка 2480 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB95141AB8871BF&compId=IPP65R190C6-DTE.pdf?ci_sign=5a64bab8fdcced60a48f5765d43e2e4394489f2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB93C310F5351BF&compId=IPP65R065C7-DTE.pdf?ci_sign=09a8b07890ce95ee833156022ebe0e693d191243 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB949374A7691BF&compId=IPP65R110CFD-DTE.pdf?ci_sign=3306c54fc7781ecf8d59083104f52f9aed68d333 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.11Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+388.20 грн
10+304.52 грн
25+280.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.78 грн
3+269.36 грн
10+254.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.85 грн
10+202.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+374.43 грн
10+288.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.29 грн
10+112.70 грн
50+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949AA297D091BF&compId=IPP60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=7f69625d6b7ccc50bdebc8e093fd2059a469e2c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.68 грн
10+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945AE6D53F51BF&compId=IPP60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=cb3192ecc3b12df96459b035fc86ddf06d8a84f8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 390W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 375A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7 IPP60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AE924C1D4A508A14&compId=IPP60R080P7.pdf?ci_sign=7acf8b405e5a5445a1cfbb7a2bbb797c5709f3ef Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P7 IPP60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E2D56A4027A749&compId=IPP60R280P7.pdf?ci_sign=d3e6a2bf46f2739688b3d650a2c349effce4428a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R040C7XKSA1 IPP60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A9491AA591BF&compId=IPP60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=c417b0959efb0186cff5427e8e587a59f63375d8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A1D5CDA931BF&compId=IPP60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=efad1efd398c54219921fe1d04530a5ad86ec065 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.80 грн
10+130.28 грн
50+120.69 грн
100+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160C6XKSA1 IPP60R160C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5946051F67B31BF&compId=IPP60R160C6-DTE.pdf?ci_sign=a1565c957472824309f6f4e61bbf6fb9fb379f82 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280CFD7 IPP60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7B62D76E074A&compId=IPP60R280CFD7.pdf?ci_sign=36d68e51f2886998836337e5223819a9871553bf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280E6XKSA1 IPP60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59465D6EA7BD1BF&compId=IPP60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=4226e7b7164af0bd3fbeeb2a4824424fdb783737 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949D1257D231BF&compId=IPP60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=d700b95c7f2dc02c97e529cdc4386805667401cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6XKSA1 IPP60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949EBC6C5371BF&compId=IPP60R330P6-DTE.pdf?ci_sign=835db5ec47fa2437bf293263ec6006b6202591e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1 IPP60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944278B8EFD1BF&compId=IPP60R380C6-DTE.pdf?ci_sign=feb2bbac4dafe8cc7a7757c9ffa2197f7917bd82 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1 IPP60R385CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59446BB076691BF&compId=IPP60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=a5f75e28615451443f19cb06bfd1b89dd5501469 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945E47B46B31BF&compId=IPP60R520C6-DTE.pdf?ci_sign=2631e395f3c3a1fbc28072667d6e48d6233109a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594626B85C671BF&compId=IPP60R520E6-DTE.pdf?ci_sign=451d5751e8f7a2f7efbbaa3ba6cdfd08d5699d0e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59443AC2F7E91BF&compId=IPP60R600C6-DTE.pdf?ci_sign=06c0f65cde006f41fea7237a7b1903f70b4f1120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1 IPP60R600E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5946109BF1D31BF&compId=IPP60R600E6-DTE.pdf?ci_sign=62239819e512eba0538b87b221df5f997083e9a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59440EFF63591BF&compId=IPP60R950C6-DTE.pdf?ci_sign=9b9b27af4c328200826a77dc19e26ae57dc4a757 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 37W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.56 грн
10+219.00 грн
50+151.86 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.48 грн
10+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.57 грн
10+131.88 грн
50+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2166STRPBF IR2166STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEAD40AC3F218BF&compId=IR2166.pdf?ci_sign=23710bf31427e8cb35d9b8a878edf6f938a700ae Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -400÷250mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...25V DC
Number of channels: 2
Case: SO16
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -25...125°C
Output current: -400...250mA
Power: 1.4W
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; PFC controller
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x3.42x6.47mm
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 300mA
Control voltage: 1.2V DC
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF519FDEBBF1A303005056AB0C4F&compId=irf9321pbf.pdf?ci_sign=e55e1a56517797e636b823a1005718be3fe04559 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC112N06LDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 47A; 36W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F09AAF424F1A303005056AB0C4F&compId=irf7324pbf.pdf?ci_sign=7f4dd42a2e4cfa06767174805d80f49497471ba7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.10 грн
10+65.54 грн
50+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD099C064DB79BC60E1&compId=AIMW120R080M1.pdf?ci_sign=224fa7f7107a6dd3851015adf47da4270da17c9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 74A; 75W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.23 грн
13+31.17 грн
100+20.86 грн
250+17.90 грн
500+15.99 грн
1000+14.31 грн
2000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.67 грн
10+71.93 грн
100+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC616ECF1315EA&compId=IRF2907ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=105e8c88ae939208263b240ac48c9877e0de7db5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC230N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba4e6aba024a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-isz230n10nm6-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD19C0AF714A0D4&compId=TLE4264.pdf?ci_sign=b96a0eb8acdd5c11d7d915ae54db9f4c090238fd Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Case: PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 0.16A
Voltage drop: 0.25V
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Input voltage: 5.5...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.71 грн
10+107.90 грн
25+90.32 грн
50+79.13 грн
100+71.93 грн
250+62.34 грн
500+57.55 грн
1000+53.55 грн
1500+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB81D40F0D6E469&compId=BAW101E6327HTSA1.pdf?ci_sign=a7075f50f6a18d06ea45d2ff461141e6063d316e Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 1µs
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 300V
Case: SOT143
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.33 грн
55+7.83 грн
100+6.95 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.53 грн
10+41.64 грн
25+36.77 грн
50+33.09 грн
100+29.49 грн
200+25.82 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92C3CAFC5A71CC&compId=SPD04P10PLGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=d9c817ca1516000ee6cb62ebb60e341fefe042bc Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.85Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R600P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 700V; 8.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69922D5CBCDC11C&compId=IPB090N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=85e52905022feec3f6e3edad1b5ff335276f5c10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 2EDN8524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.51 грн
10+44.04 грн
100+38.92 грн
500+34.93 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118PBF IR2118PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55H6327XTSA1 BCP55H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B74C701E2469&compId=BCP55H6327XTSA1.pdf?ci_sign=08291b14ff29a8fbd77d5ad5acff855eac2f8138 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC3DEBF7D7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7831pbf.pdf?ci_sign=aa160b08d5ee14515aaafe01f33ea6efccd4b057 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB95141AB8871BF&compId=IPP65R190C6-DTE.pdf?ci_sign=5a64bab8fdcced60a48f5765d43e2e4394489f2f
IPP65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB93C310F5351BF&compId=IPP65R065C7-DTE.pdf?ci_sign=09a8b07890ce95ee833156022ebe0e693d191243
IPP65R065C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB949374A7691BF&compId=IPP65R110CFD-DTE.pdf?ci_sign=3306c54fc7781ecf8d59083104f52f9aed68d333
IPP65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.11Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653
IPP60R099CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+388.20 грн
10+304.52 грн
25+280.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895
IPP60R099P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.78 грн
3+269.36 грн
10+254.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CP-DTE.pdf
IPP60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.85 грн
10+202.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+374.43 грн
10+288.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f
IPP60R299CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.29 грн
10+112.70 грн
50+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949AA297D091BF&compId=IPP60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=7f69625d6b7ccc50bdebc8e093fd2059a469e2c0
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.68 грн
10+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945AE6D53F51BF&compId=IPP60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=cb3192ecc3b12df96459b035fc86ddf06d8a84f8
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 390W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 375A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AE924C1D4A508A14&compId=IPP60R080P7.pdf?ci_sign=7acf8b405e5a5445a1cfbb7a2bbb797c5709f3ef
IPP60R080P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E2D56A4027A749&compId=IPP60R280P7.pdf?ci_sign=d3e6a2bf46f2739688b3d650a2c349effce4428a
IPP60R280P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R040C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A9491AA591BF&compId=IPP60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=c417b0959efb0186cff5427e8e587a59f63375d8
IPP60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A1D5CDA931BF&compId=IPP60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=efad1efd398c54219921fe1d04530a5ad86ec065
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.80 грн
10+130.28 грн
50+120.69 грн
100+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5946051F67B31BF&compId=IPP60R160C6-DTE.pdf?ci_sign=a1565c957472824309f6f4e61bbf6fb9fb379f82
IPP60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7B62D76E074A&compId=IPP60R280CFD7.pdf?ci_sign=36d68e51f2886998836337e5223819a9871553bf
IPP60R280CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59465D6EA7BD1BF&compId=IPP60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=4226e7b7164af0bd3fbeeb2a4824424fdb783737
IPP60R280E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949D1257D231BF&compId=IPP60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=d700b95c7f2dc02c97e529cdc4386805667401cc
IPP60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949EBC6C5371BF&compId=IPP60R330P6-DTE.pdf?ci_sign=835db5ec47fa2437bf293263ec6006b6202591e4
IPP60R330P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944278B8EFD1BF&compId=IPP60R380C6-DTE.pdf?ci_sign=feb2bbac4dafe8cc7a7757c9ffa2197f7917bd82
IPP60R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59446BB076691BF&compId=IPP60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=a5f75e28615451443f19cb06bfd1b89dd5501469
IPP60R385CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945E47B46B31BF&compId=IPP60R520C6-DTE.pdf?ci_sign=2631e395f3c3a1fbc28072667d6e48d6233109a7
IPP60R520C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594626B85C671BF&compId=IPP60R520E6-DTE.pdf?ci_sign=451d5751e8f7a2f7efbbaa3ba6cdfd08d5699d0e
IPP60R520E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59443AC2F7E91BF&compId=IPP60R600C6-DTE.pdf?ci_sign=06c0f65cde006f41fea7237a7b1903f70b4f1120
IPP60R600C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5946109BF1D31BF&compId=IPP60R600E6-DTE.pdf?ci_sign=62239819e512eba0538b87b221df5f997083e9a9
IPP60R600E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59440EFF63591BF&compId=IPP60R950C6-DTE.pdf?ci_sign=9b9b27af4c328200826a77dc19e26ae57dc4a757
IPP60R950C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 37W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.56 грн
10+219.00 грн
50+151.86 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.48 грн
10+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.57 грн
10+131.88 грн
50+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2166STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEAD40AC3F218BF&compId=IR2166.pdf?ci_sign=23710bf31427e8cb35d9b8a878edf6f938a700ae
IR2166STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -400÷250mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...25V DC
Number of channels: 2
Case: SO16
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -25...125°C
Output current: -400...250mA
Power: 1.4W
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; PFC controller
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x3.42x6.47mm
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 300mA
Control voltage: 1.2V DC
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF519FDEBBF1A303005056AB0C4F&compId=irf9321pbf.pdf?ci_sign=e55e1a56517797e636b823a1005718be3fe04559
IRF9321TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC112N06LDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 47A; 36W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F09AAF424F1A303005056AB0C4F&compId=irf7324pbf.pdf?ci_sign=7f4dd42a2e4cfa06767174805d80f49497471ba7
IRF7324TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.10 грн
10+65.54 грн
50+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD099C064DB79BC60E1&compId=AIMW120R080M1.pdf?ci_sign=224fa7f7107a6dd3851015adf47da4270da17c9c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 74A; 75W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.23 грн
13+31.17 грн
100+20.86 грн
250+17.90 грн
500+15.99 грн
1000+14.31 грн
2000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.67 грн
10+71.93 грн
100+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC616ECF1315EA&compId=IRF2907ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=105e8c88ae939208263b240ac48c9877e0de7db5
IRF2907ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 Infineon-ISC230N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba4e6aba024a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1 infineon-isz230n10nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD19C0AF714A0D4&compId=TLE4264.pdf?ci_sign=b96a0eb8acdd5c11d7d915ae54db9f4c090238fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Case: PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 0.16A
Voltage drop: 0.25V
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Input voltage: 5.5...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.71 грн
10+107.90 грн
25+90.32 грн
50+79.13 грн
100+71.93 грн
250+62.34 грн
500+57.55 грн
1000+53.55 грн
1500+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB81D40F0D6E469&compId=BAW101E6327HTSA1.pdf?ci_sign=a7075f50f6a18d06ea45d2ff461141e6063d316e
BAW101E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 1µs
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 300V
Case: SOT143
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.33 грн
55+7.83 грн
100+6.95 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7
BSP297H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.53 грн
10+41.64 грн
25+36.77 грн
50+33.09 грн
100+29.49 грн
200+25.82 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92C3CAFC5A71CC&compId=SPD04P10PLGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=d9c817ca1516000ee6cb62ebb60e341fefe042bc
SPD04P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.85Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 700V; 8.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69922D5CBCDC11C&compId=IPB090N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=85e52905022feec3f6e3edad1b5ff335276f5c10
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.51 грн
10+44.04 грн
100+38.92 грн
500+34.93 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2118PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B74C701E2469&compId=BCP55H6327XTSA1.pdf?ci_sign=08291b14ff29a8fbd77d5ad5acff855eac2f8138
BCP55H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC3DEBF7D7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7831pbf.pdf?ci_sign=aa160b08d5ee14515aaafe01f33ea6efccd4b057
IRF7831TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]