Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148380) > Сторінка 2438 з 2473

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6346pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 13721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.11 грн
28+13.87 грн
50+9.58 грн
100+8.20 грн
155+5.82 грн
425+5.52 грн
1000+5.44 грн
1500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 BC848BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.30 грн
340+2.74 грн
920+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2908pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF IRS2003STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2005s.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c4246229e1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2007SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2008S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011PBF IRS2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2011pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: DIP8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 1W
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 75ns
Output current: -1...1A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2093MTRPBF.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
On-state resistance: 50/105mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.31 грн
10+57.48 грн
41+21.92 грн
113+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7343q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.93 грн
10+50.65 грн
38+24.06 грн
103+22.76 грн
4000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7342q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.10 грн
10+58.24 грн
22+41.84 грн
60+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.68 грн
10+59.16 грн
29+31.80 грн
78+30.12 грн
1000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.55 грн
10+90.43 грн
14+68.20 грн
37+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.84 грн
10+95.03 грн
16+57.48 грн
43+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS125-0xW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.64 грн
12+33.64 грн
53+17.09 грн
144+16.17 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12507WH6327XTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS125-0xW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT343
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE49462KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
Type of sensor: Hall
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Operating temperature: -40...150°C
Case: SC59
Supply voltage: 2.7...18V DC
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.53 грн
10+56.02 грн
30+30.65 грн
83+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.60 грн
5+111.12 грн
12+77.40 грн
25+76.63 грн
33+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 10.6A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.27 грн
5+176.26 грн
7+140.24 грн
18+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.88 грн
10+100.39 грн
11+82.76 грн
30+78.17 грн
100+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.12 грн
10+104.99 грн
12+81.23 грн
31+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+654.45 грн
3+415.35 грн
6+392.36 грн
30+377.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.56 грн
10+60.39 грн
33+27.82 грн
89+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.91 грн
25+33.18 грн
46+19.62 грн
126+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7314pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT143; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.46 грн
27+14.48 грн
100+9.27 грн
154+5.82 грн
424+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV170E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.98 грн
33+11.95 грн
50+7.69 грн
100+6.39 грн
321+2.86 грн
883+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV199E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; SOT23; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
33+12.71 грн
50+7.71 грн
100+6.90 грн
250+5.85 грн
339+2.64 грн
930+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.26 грн
14+28.81 грн
16+24.60 грн
50+16.86 грн
65+13.95 грн
100+13.87 грн
177+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3BR4765JG.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
5+91.19 грн
12+80.47 грн
31+75.87 грн
500+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.63 грн
10+96.56 грн
26+91.19 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA1 ICE3PCS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3PCS02-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67fab472b4b Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.81 грн
5+87.36 грн
12+75.10 грн
33+71.27 грн
100+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
18+22.53 грн
50+20.54 грн
74+12.18 грн
202+11.57 грн
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324S-7P AUIRF1324S-7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf1324s-7p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 429A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 429A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP420F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP420.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.14 грн
14+27.82 грн
41+21.99 грн
100+20.84 грн
250+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.83 грн
25+47.44 грн
31+29.43 грн
84+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+201.37 грн
7+137.94 грн
18+130.28 грн
120+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.10 грн
3+177.79 грн
7+135.64 грн
19+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 94W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.92 грн
6+151.73 грн
17+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 13721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.11 грн
28+13.87 грн
50+9.58 грн
100+8.20 грн
155+5.82 грн
425+5.52 грн
1000+5.44 грн
1500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC848BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.30 грн
340+2.74 грн
920+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780
IRS2003STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF irs2005s.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c4246229e1
IRS2005STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF.pdf
IRS2007SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008S.pdf
IRS2008SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011PBF description irs2011pbf.pdf
IRS2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: DIP8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 1W
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 75ns
Output current: -1...1A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF IRS2093MTRPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
On-state resistance: 50/105mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.31 грн
10+57.48 грн
41+21.92 грн
113+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR auirf7343q.pdf
AUIRF7343QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.93 грн
10+50.65 грн
38+24.06 грн
103+22.76 грн
4000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR auirf7342q.pdf
AUIRF7342QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.10 грн
10+58.24 грн
22+41.84 грн
60+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.68 грн
10+59.16 грн
29+31.80 грн
78+30.12 грн
1000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.55 грн
10+90.43 грн
14+68.20 грн
37+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.84 грн
10+95.03 грн
16+57.48 грн
43+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS125-0xW.pdf
BAS12504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.64 грн
12+33.64 грн
53+17.09 грн
144+16.17 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12507WH6327XTSA1 BAS125-0xW.pdf
BAS12507WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT343
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f
TLE49462KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
Type of sensor: Hall
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Operating temperature: -40...150°C
Case: SC59
Supply voltage: 2.7...18V DC
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.53 грн
10+56.02 грн
30+30.65 грн
83+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBF irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.60 грн
5+111.12 грн
12+77.40 грн
25+76.63 грн
33+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3-DTE.pdf
IGW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60T.pdf
IKA15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 10.6A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.27 грн
5+176.26 грн
7+140.24 грн
18+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.88 грн
10+100.39 грн
11+82.76 грн
30+78.17 грн
100+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RF.pdf
IKD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.12 грн
10+104.99 грн
12+81.23 грн
31+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.45 грн
3+415.35 грн
6+392.36 грн
30+377.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.56 грн
10+60.39 грн
33+27.82 грн
89+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.91 грн
25+33.18 грн
46+19.62 грн
126+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF description irf7314pbf.pdf
IRF7314TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT143; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.46 грн
27+14.48 грн
100+9.27 грн
154+5.82 грн
424+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327.pdf
BAV170E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.98 грн
33+11.95 грн
50+7.69 грн
100+6.39 грн
321+2.86 грн
883+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327.pdf
BAV199E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; SOT23; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+12.71 грн
50+7.71 грн
100+6.90 грн
250+5.85 грн
339+2.64 грн
930+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.26 грн
14+28.81 грн
16+24.60 грн
50+16.86 грн
65+13.95 грн
100+13.87 грн
177+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JG.pdf
ICE3BR4765JGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.64 грн
5+91.19 грн
12+80.47 грн
31+75.87 грн
500+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G.pdf
ICE3PCS01G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.63 грн
10+96.56 грн
26+91.19 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA1 Infineon-ICE3PCS02-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67fab472b4b
ICE3PCS02GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03G.pdf
ICE3PCS03GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.81 грн
5+87.36 грн
12+75.10 грн
33+71.27 грн
100+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF irfs3607pbf.pdf
IRFS3607TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf
IRFU3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
18+22.53 грн
50+20.54 грн
74+12.18 грн
202+11.57 грн
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324S-7P auirf1324s-7p.pdf
AUIRF1324S-7P
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 429A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 429A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 BFP420F.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420.pdf
BFP420H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.14 грн
14+27.82 грн
41+21.99 грн
100+20.84 грн
250+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF description irlz44n.pdf
IRLZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.83 грн
25+47.44 грн
31+29.43 грн
84+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF irlz44nspbf.pdf
IRLZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF irlz44zpbf.pdf
IRLZ44ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T.pdf
IGB30N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.37 грн
7+137.94 грн
18+130.28 грн
120+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.10 грн
3+177.79 грн
7+135.64 грн
19+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 94W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.92 грн
6+151.73 грн
17+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]