Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148441) > Сторінка 2435 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2430 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES BTS452R-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.73 грн
10+96.56 грн
26+91.19 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+9.57 грн
70+5.50 грн
201+4.46 грн
553+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.75 грн
23+16.78 грн
29+13.33 грн
100+9.90 грн
203+4.42 грн
558+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800kHz
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.18 грн
7+137.17 грн
19+129.51 грн
100+127.98 грн
250+124.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.43 грн
6+74.33 грн
18+53.64 грн
48+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.77 грн
11+37.70 грн
50+28.43 грн
52+17.55 грн
141+16.55 грн
2000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Output current: -240...160mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.82 грн
10+43.68 грн
25+40.62 грн
27+33.72 грн
74+32.19 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.06 грн
10+124.91 грн
12+76.63 грн
33+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.02 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.23 грн
24+16.48 грн
50+11.88 грн
100+10.27 грн
171+5.29 грн
470+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.03 грн
10+106.52 грн
14+66.67 грн
38+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.20 грн
10+110.35 грн
17+55.18 грн
45+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp054n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.71 грн
10+98.86 грн
26+93.49 грн
400+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Case: SOT223
Frequency: 125MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3A2065ELJ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
Output current: 10.3A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.52 грн
5+188.52 грн
8+126.45 грн
20+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
 		ICE3AR0680JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3AR0680JZ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -25...130°C
Case: DIP7
Power: 82/52W
Operating voltage: 10.5...25V DC
Frequency: 0.1MHz
Breakdown voltage: 800V
Output current: 20A
Number of channels: 1
Application: SMPS
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...75%
Kind of integrated circuit: PWM controller
Topology: flyback
Mounting: THT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.22 грн
3+219.94 грн
5+190.82 грн
13+180.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.75 грн
10+94.26 грн
27+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.53 грн
2+606.17 грн
5+573.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBF IRFP3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3306pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.83 грн
10+170.89 грн
12+81.23 грн
31+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+589.25 грн
3+316.50 грн
8+298.87 грн
100+287.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.31 грн
8+118.02 грн
21+111.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.71 грн
24+16.55 грн
50+11.88 грн
100+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.05 грн
10+45.21 грн
39+23.07 грн
107+21.84 грн
2000+21.46 грн
2500+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp90n20d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.70 грн
6+178.56 грн
10+177.79 грн
14+168.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+381.28 грн
5+221.47 грн
12+209.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.88 грн
10+120.31 грн
15+63.61 грн
39+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.49 грн
5+176.26 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS140WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.58 грн
28+13.87 грн
100+7.55 грн
266+3.37 грн
730+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...24V DC
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.21 грн
8+120.31 грн
21+113.42 грн
50+111.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi3205.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.86 грн
8+125.68 грн
20+118.78 грн
100+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5416H6327XTSA1 BCP5416H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp54_bcp55_bcp56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.59 грн
9+105.75 грн
24+99.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 6...20V DC
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Power: 625mW
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.79 грн
10+103.46 грн
12+78.93 грн
32+74.33 грн
2500+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.86 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.71 грн
8+117.25 грн
22+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 48nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.91 грн
10+61.54 грн
35+25.75 грн
96+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR81.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 80ns
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.91 грн
12+34.49 грн
25+30.50 грн
34+26.44 грн
93+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT343; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.49 грн
100+6.26 грн
183+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.81 грн
29+13.41 грн
100+7.67 грн
250+6.02 грн
307+2.93 грн
843+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
79+5.24 грн
148+2.61 грн
165+2.33 грн
197+1.95 грн
250+1.75 грн
500+1.62 грн
672+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
220+1.88 грн
278+1.38 грн
296+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC860CWH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.61 грн
100+3.85 грн
250+3.40 грн
305+2.95 грн
835+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Frequency: 170MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.89 грн
85+4.75 грн
100+4.27 грн
275+3.26 грн
755+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Frequency: 150MHz
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.07 грн
90+4.51 грн
100+4.06 грн
290+3.11 грн
795+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR129.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1
+1
 		ICE2A180ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2A265.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Output current: 4.1A
Power: 29/17W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS02G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.34 грн
10+56.71 грн
17+54.41 грн
45+51.34 грн
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 ICE3BR0665JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3BR0665J.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 4.8A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.89 грн
7+128.74 грн
20+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 ICE3BR1765JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3BR1765J.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1.5A
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.20 грн
4+126.45 грн
9+109.59 грн
23+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR0665JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR1765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3RBR1765JZ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR4765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3RBR4765JZ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 26/18W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP40R12KT3BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Application: Inverter
Power dissipation: 210W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R-DTE.pdf
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.73 грн
10+96.56 грн
26+91.19 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
44+9.57 грн
70+5.50 грн
201+4.46 грн
553+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.75 грн
23+16.78 грн
29+13.33 грн
100+9.90 грн
203+4.42 грн
558+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800kHz
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.18 грн
7+137.17 грн
19+129.51 грн
100+127.98 грн
250+124.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.43 грн
6+74.33 грн
18+53.64 грн
48+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.77 грн
11+37.70 грн
50+28.43 грн
52+17.55 грн
141+16.55 грн
2000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752ltrpbf.pdf
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Output current: -240...160mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.82 грн
10+43.68 грн
25+40.62 грн
27+33.72 грн
74+32.19 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.06 грн
10+124.91 грн
12+76.63 грн
33+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.02 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.23 грн
24+16.48 грн
50+11.88 грн
100+10.27 грн
171+5.29 грн
470+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.03 грн
10+106.52 грн
14+66.67 грн
38+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.20 грн
10+110.35 грн
17+55.18 грн
45+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF irfp054n.pdf
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.71 грн
10+98.86 грн
26+93.49 грн
400+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1.pdf
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Case: SOT223
Frequency: 125MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJ.pdf
ICE3A2065ELJFKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
Output current: 10.3A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.52 грн
5+188.52 грн
8+126.45 грн
20+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1 ICE3AR0680JZ.pdf
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -25...130°C
Case: DIP7
Power: 82/52W
Operating voltage: 10.5...25V DC
Frequency: 0.1MHz
Breakdown voltage: 800V
Output current: 20A
Number of channels: 1
Application: SMPS
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...75%
Kind of integrated circuit: PWM controller
Topology: flyback
Mounting: THT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.22 грн
3+219.94 грн
5+190.82 грн
13+180.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.75 грн
10+94.26 грн
27+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.53 грн
2+606.17 грн
5+573.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBF description irfp3306pbf.pdf
IRFP3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.83 грн
10+170.89 грн
12+81.23 грн
31+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.25 грн
3+316.50 грн
8+298.87 грн
100+287.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF irfb4227pbf.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.31 грн
8+118.02 грн
21+111.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.71 грн
24+16.55 грн
50+11.88 грн
100+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSG-DTE.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
10+45.21 грн
39+23.07 грн
107+21.84 грн
2000+21.46 грн
2500+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF irfp90n20d.pdf
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.70 грн
6+178.56 грн
10+177.79 грн
14+168.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3G-DTE.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+381.28 грн
5+221.47 грн
12+209.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.88 грн
10+120.31 грн
15+63.61 грн
39+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.49 грн
5+176.26 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1.pdf
BAS140WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.58 грн
28+13.87 грн
100+7.55 грн
266+3.37 грн
730+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...24V DC
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.21 грн
8+120.31 грн
21+113.42 грн
50+111.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description irfi3205.pdf
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.86 грн
8+125.68 грн
20+118.78 грн
100+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5416H6327XTSA1 bcp54_bcp55_bcp56.pdf
BCP5416H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.59 грн
9+105.75 грн
24+99.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 6...20V DC
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Power: 625mW
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.79 грн
10+103.46 грн
12+78.93 грн
32+74.33 грн
2500+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.86 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.71 грн
8+117.25 грн
22+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 48nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.91 грн
10+61.54 грн
35+25.75 грн
96+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81.pdf
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 80ns
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.91 грн
12+34.49 грн
25+30.50 грн
34+26.44 грн
93+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT343; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.49 грн
100+6.26 грн
183+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.81 грн
29+13.41 грн
100+7.67 грн
250+6.02 грн
307+2.93 грн
843+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
79+5.24 грн
148+2.61 грн
165+2.33 грн
197+1.95 грн
250+1.75 грн
500+1.62 грн
672+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CE6327.pdf
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
220+1.88 грн
278+1.38 грн
296+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327.pdf
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+5.61 грн
100+3.85 грн
250+3.40 грн
305+2.95 грн
835+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Frequency: 170MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.89 грн
85+4.75 грн
100+4.27 грн
275+3.26 грн
755+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116.pdf
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Frequency: 150MHz
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.07 грн
90+4.51 грн
100+4.06 грн
290+3.11 грн
795+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129.pdf
BCR129WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1 ICE2A265.pdf
ICE2A180ZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Output current: 4.1A
Power: 29/17W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02G.pdf
ICE2QS02GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.34 грн
10+56.71 грн
17+54.41 грн
45+51.34 грн
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 ICE3BR0665J.pdf
ICE3BR0665JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 4.8A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.89 грн
7+128.74 грн
20+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 ICE3BR1765J.pdf
ICE3BR1765JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1.5A
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.20 грн
4+126.45 грн
9+109.59 грн
23+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1 INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1 ICE3RBR1765JZ.pdf
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1 ICE3RBR4765JZ.pdf
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 26/18W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Application: Inverter
Power dissipation: 210W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2430 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]