Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148380) > Сторінка 2436 з 2473

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz24nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+365.60 грн
7+133.34 грн
19+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Power: 1W
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Voltage class: 600V
Mounting: THT
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.59 грн
8+127.98 грн
20+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.54 грн
5+95.79 грн
13+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2111.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.96 грн
8+126.45 грн
20+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2111SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.96 грн
5+145.60 грн
9+111.88 грн
23+105.75 грн
95+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC847PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.51 грн
36+10.81 грн
100+8.35 грн
158+5.67 грн
434+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.12 грн
10+43.60 грн
36+25.06 грн
99+23.68 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.11 грн
31+12.57 грн
50+10.35 грн
100+8.28 грн
141+6.51 грн
389+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.81 грн
31+12.41 грн
50+10.65 грн
100+8.35 грн
185+4.83 грн
508+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.17 грн
35+11.27 грн
51+7.54 грн
100+6.53 грн
200+4.49 грн
549+4.25 грн
1000+4.19 грн
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF IRL2505PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.08 грн
10+109.59 грн
11+82.00 грн
30+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7201TRPBF.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7205pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.26 грн
49+18.47 грн
134+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Drain current: 38A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.10 грн
4+295.04 грн
9+278.95 грн
90+274.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.12 грн
5+189.28 грн
14+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.55 грн
3+421.48 грн
6+398.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC750 WATT MOTOR CONTROL KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4400; Comp: XMC1300,XMC4400
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4400
Kit contents: board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4400 microcontroller; three-phase inverter
Components: XMC1300; XMC4400
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; screw; USB B micro
Application: 3-phase BLDC motors
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.70 грн
10+47.74 грн
34+26.36 грн
94+24.91 грн
500+24.68 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2203nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF PVT422PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+762.56 грн
2+496.59 грн
5+469.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.30 грн
6+154.80 грн
16+146.37 грн
100+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50N03S207G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.02 грн
25+34.49 грн
70+33.72 грн
100+32.95 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.18 грн
10+53.03 грн
27+33.41 грн
74+31.57 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.53 грн
8+125.68 грн
20+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBF IRF7101TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7101pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.27 грн
50+39.54 грн
65+14.02 грн
177+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7104pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES irf7103qpbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4004PBF IRFP4004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4004pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
Power dissipation: 380W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.79 грн
3+288.91 грн
5+225.30 грн
12+213.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.42 грн
10+48.66 грн
38+24.22 грн
102+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.23 грн
10+57.48 грн
25+37.86 грн
67+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS721L1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Power dissipation: 3.7W
Technology: Classic PROFET
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.49 грн
3+341.02 грн
8+322.63 грн
250+318.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD060N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4568pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.78 грн
3+186.99 грн
6+162.46 грн
16+153.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBF irlz24nspbf.pdf
IRLZ24NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+365.60 грн
7+133.34 грн
19+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Power: 1W
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Voltage class: 600V
Mounting: THT
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.59 грн
8+127.98 грн
20+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.54 грн
5+95.79 грн
13+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description ir2111.pdf
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.96 грн
8+126.45 грн
20+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description IR2111SPBF.pdf
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.96 грн
5+145.60 грн
9+111.88 грн
23+105.75 грн
95+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.51 грн
36+10.81 грн
100+8.35 грн
158+5.67 грн
434+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.12 грн
10+43.60 грн
36+25.06 грн
99+23.68 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1.pdf
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.11 грн
31+12.57 грн
50+10.35 грн
100+8.28 грн
141+6.51 грн
389+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.81 грн
31+12.41 грн
50+10.65 грн
100+8.35 грн
185+4.83 грн
508+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1.pdf
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.17 грн
35+11.27 грн
51+7.54 грн
100+6.53 грн
200+4.49 грн
549+4.25 грн
1000+4.19 грн
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF description irl2505pbf.pdf
IRL2505PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.08 грн
10+109.59 грн
11+82.00 грн
30+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description IRF7201TRPBF.pdf
IRF7201TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description irf7205pbf.pdf
IRF7205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.26 грн
49+18.47 грн
134+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Drain current: 38A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.10 грн
4+295.04 грн
9+278.95 грн
90+274.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+363.12 грн
5+189.28 грн
14+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.55 грн
3+421.48 грн
6+398.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC750 WATT MOTOR CONTROL KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4400; Comp: XMC1300,XMC4400
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4400
Kit contents: board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4400 microcontroller; three-phase inverter
Components: XMC1300; XMC4400
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; screw; USB B micro
Application: 3-phase BLDC motors
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.70 грн
10+47.74 грн
34+26.36 грн
94+24.91 грн
500+24.68 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF irl2203nspbf.pdf
IRL2203NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF description pvt422.pdf
PVT422PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF description pvt422.pdf
PVT422SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+762.56 грн
2+496.59 грн
5+469.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5.pdf
IGB20N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.30 грн
6+154.80 грн
16+146.37 грн
100+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207G-DTE.pdf
SPD50N03S207GBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+36.02 грн
25+34.49 грн
70+33.72 грн
100+32.95 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSG-DTE.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSG-DTE.pdf
BSC050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG-DTE.pdf
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSG-DTE.pdf
BSZ050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.18 грн
10+53.03 грн
27+33.41 грн
74+31.57 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.53 грн
8+125.68 грн
20+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 description SPW11N80C3-DTE.pdf
SPW11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBF irf7101pbf.pdf
IRF7101TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.27 грн
50+39.54 грн
65+14.02 грн
177+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR irf7103qpbf.pdf
AUIRF7103QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4004PBF description irfp4004pbf.pdf
IRFP4004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
Power dissipation: 380W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.79 грн
3+288.91 грн
5+225.30 грн
12+213.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.42 грн
10+48.66 грн
38+24.22 грн
102+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LG-DTE.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.23 грн
10+57.48 грн
25+37.86 грн
67+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1.pdf
BTS721L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Power dissipation: 3.7W
Technology: Classic PROFET
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.49 грн
3+341.02 грн
8+322.63 грн
250+318.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LG-DTE.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF description irfp4568pbf.pdf
IRFP4568PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.78 грн
3+186.99 грн
6+162.46 грн
16+153.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]