Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148380) > Сторінка 2437 з 2473

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.07 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.42 грн
6+176.26 грн
14+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.81 грн
5+190.05 грн
13+179.32 грн
30+172.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.05 грн
6+150.97 грн
17+142.54 грн
30+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65EF5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65ES5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.10 грн
5+196.95 грн
13+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.56 грн
3+195.42 грн
6+149.44 грн
17+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.83 грн
10+53.72 грн
21+44.22 грн
50+42.15 грн
56+41.84 грн
100+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.16 грн
38+10.19 грн
55+7.00 грн
100+5.98 грн
244+3.66 грн
671+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF IR2125PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2125.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -2...1A
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2125SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO16
Output current: -2...1A
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.25 грн
5+215.34 грн
12+203.85 грн
270+196.95 грн
450+195.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; SOT23; 350mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+13.37 грн
48+8.05 грн
60+6.41 грн
70+5.52 грн
100+4.74 грн
315+2.84 грн
865+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT015N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.28 грн
7+149.44 грн
17+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S INFINEON TECHNOLOGIES auirg4ph50s.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.60 грн
9+111.88 грн
23+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.67 грн
9+101.16 грн
25+95.79 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20957S.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.86 грн
7+147.14 грн
17+138.71 грн
100+137.94 грн
250+133.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.30 грн
7+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5300pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 143nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.74 грн
3+352.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR162.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR166.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.76 грн
27+14.56 грн
35+11.22 грн
100+8.74 грн
250+6.41 грн
379+2.41 грн
1041+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.80 грн
16+58.24 грн
44+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.30 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
100+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.93 грн
11+37.17 грн
29+31.57 грн
78+29.89 грн
525+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.13 грн
10+56.02 грн
36+25.29 грн
98+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 98mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES irfb31n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.09 грн
14+29.12 грн
50+23.99 грн
57+15.79 грн
156+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8743pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1
+1
 		ICE2QR2280ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QR2280Z.pdf Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP7; 10.5÷25VDC; SMPS; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...25V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 800V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF IR2110PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: DIP14
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 500V
Power: 1.6W
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.33 грн
7+129.51 грн
20+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF IR2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO16-W
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 500V
Power: 1.25W
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.99 грн
8+112.65 грн
22+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2110STRPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO16-W
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 500V
Power: 1.25W
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.97 грн
9+105.75 грн
24+99.62 грн
250+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 144W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 170nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 440ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.79 грн
8+118.02 грн
22+111.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN751x_1EDN851x.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.25 грн
10+46.21 грн
27+32.95 грн
74+31.42 грн
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0040pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
21+18.32 грн
50+12.64 грн
100+10.96 грн
140+6.44 грн
385+6.05 грн
6000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 17562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.76 грн
20+20.15 грн
50+16.17 грн
100+14.25 грн
143+6.28 грн
391+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 21mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.41 грн
24+16.25 грн
50+11.65 грн
100+10.12 грн
205+4.37 грн
563+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6246pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.76 грн
28+14.02 грн
50+9.92 грн
100+8.53 грн
219+4.11 грн
601+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302PBF IRLML6302PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6302.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6302pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.78A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.28 грн
24+16.40 грн
50+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.07 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.42 грн
6+176.26 грн
14+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1.pdf
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.81 грн
5+190.05 грн
13+179.32 грн
30+172.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5.pdf
IHW40N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.05 грн
6+150.97 грн
17+142.54 грн
30+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5.pdf
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5-DTE.pdf
IKP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5-DTE.pdf
IKP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.10 грн
5+196.95 грн
13+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5-DTE.pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.56 грн
3+195.42 грн
6+149.44 грн
17+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.83 грн
10+53.72 грн
21+44.22 грн
50+42.15 грн
56+41.84 грн
100+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1.pdf
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.16 грн
38+10.19 грн
55+7.00 грн
100+5.98 грн
244+3.66 грн
671+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF ir2125.pdf
IR2125PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -2...1A
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF.pdf
IR2125SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO16
Output current: -2...1A
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.25 грн
5+215.34 грн
12+203.85 грн
270+196.95 грн
450+195.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS21E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; SOT23; 350mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+13.37 грн
48+8.05 грн
60+6.41 грн
70+5.52 грн
100+4.74 грн
315+2.84 грн
865+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5-DTE.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBF irfp4310zpbf.pdf
IRFP4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.28 грн
7+149.44 грн
17+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S auirg4ph50s.pdf
AUIRG4PH50S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3G-DTE.pdf
IPA045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G-DTE.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.60 грн
9+111.88 грн
23+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3G-DTE.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.67 грн
9+101.16 грн
25+95.79 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957S.pdf
IRS20957STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.86 грн
7+147.14 грн
17+138.71 грн
100+137.94 грн
250+133.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.30 грн
7+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF irfh5300pbf.pdf
IRFH5300TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF irfs3207pbf.pdf
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 143nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.74 грн
3+352.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162.pdf
BCR162E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166.pdf
BCR166E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.76 грн
27+14.56 грн
35+11.22 грн
100+8.74 грн
250+6.41 грн
379+2.41 грн
1041+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G-DTE.pdf
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.80 грн
16+58.24 грн
44+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF description irfp4227pbf.pdf
IRFP4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF irfp3710.pdf
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.30 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
100+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.93 грн
11+37.17 грн
29+31.57 грн
78+29.89 грн
525+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.13 грн
10+56.02 грн
36+25.29 грн
98+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR auirf7316q.pdf
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 98mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF irg4ph20kdpbf.pdf
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KPBF irg4ph20kpbf.pdf
IRG4PH20KPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP irfb31n20dpbf.pdf
IRFS31N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.09 грн
14+29.12 грн
50+23.99 грн
57+15.79 грн
156+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF irlr8743pbf.pdf
IRLR8743TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1 ICE2QR2280Z.pdf
ICE2QR2280ZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP7; 10.5÷25VDC; SMPS; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...25V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 800V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF ir2110_2113.pdf
IR2110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: DIP14
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 500V
Power: 1.6W
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.33 грн
7+129.51 грн
20+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF description ir2110_2113.pdf
IR2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO16-W
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 500V
Power: 1.25W
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.99 грн
8+112.65 грн
22+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description IR2110STRPBF.pdf
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO16-W
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 500V
Power: 1.25W
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.97 грн
9+105.75 грн
24+99.62 грн
250+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5.pdf
IHW20N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 144W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 170nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 440ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.79 грн
8+118.02 грн
22+111.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN751x_1EDN851x.pdf
1EDN7512BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.25 грн
10+46.21 грн
27+32.95 грн
74+31.42 грн
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF irlml0040pbf.pdf
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
21+18.32 грн
50+12.64 грн
100+10.96 грн
140+6.44 грн
385+6.05 грн
6000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 17562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.76 грн
20+20.15 грн
50+16.17 грн
100+14.25 грн
143+6.28 грн
391+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF irlml6244pbf.pdf
IRLML6244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 21mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.41 грн
24+16.25 грн
50+11.65 грн
100+10.12 грн
205+4.37 грн
563+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF irlml6246pbf.pdf
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.76 грн
28+14.02 грн
50+9.92 грн
100+8.53 грн
219+4.11 грн
601+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302PBF irlml6302.pdf
IRLML6302PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF irlml6302pbf.pdf
IRLML6302TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.78A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.28 грн
24+16.40 грн
50+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2432 2433 2434 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]