Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119469) > Сторінка 1984 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1985 1986 1987 1988 1989 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4041KV13-667FCXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C4021KV13_CY7C4041KV13_72-Mbit_QDR-IV_HP_SRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4cc743a40 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 667MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.33 грн
10+114.99 грн
100+94.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.89 грн
10+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAW60R180P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e659c3d5009 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 26W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAW60R180P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e659c3d5009 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N16KOFHPSA1 TD500N16KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD500N16KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N18KOF TD500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD500N18KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT500N14KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFXPSA1 TT500N16KOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT570N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ600N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: buck chopper
Power dissipation: 2kW
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KS4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e003d864bc4 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3B1HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KE3_B1-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433c1965d75 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433be115d71 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; screw; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7c1e8565958 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 62MM; screw; 2.4kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KP4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KP4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120c8ca11e73293 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; screw; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ400R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 2.5kW
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R12PT4B26BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L400R12PT4_B26-DS-v02_00-DE.pdf?fileId=db3a30433a747525013a879896ef6412 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Power dissipation: 2.15kW
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EconoPACK™ 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 580A; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 580A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+15074.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF2400R12IP7P_Rev1.00_6-9-23.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.4kA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+63582.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7455pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2336.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Supply voltage: 11.5...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5180-2EKA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.33Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.20 грн
10+58.33 грн
25+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP50R06W2E3B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY2B-2
Technology: EasyPIM™ 2B
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.71 грн
12+35.50 грн
25+31.91 грн
100+28.17 грн
250+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD180N22S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1H811GAUMA1 ISO1H811GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ISO1H811G.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 11÷35VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: ISOFACE™
Case: PG-DSO-36
Output current: 0.625A
Number of channels: 8
Supply voltage: 11...35V DC
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
Turn-on time: 64µs
Turn-off time: 89µs
Power dissipation: 3.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+594.07 грн
10+514.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1 ITS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS711L1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.39 грн
10+219.99 грн
25+210.82 грн
50+208.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28413-24PVXI CY8C28413-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28433-24PVXI CY8C28433-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download description Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28403-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28445-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.87 грн
5+93.33 грн
10+85.00 грн
25+75.00 грн
50+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.27 грн
50+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.54 грн
29+14.58 грн
50+10.35 грн
100+8.97 грн
500+6.64 грн
1000+5.78 грн
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.72 грн
24+17.75 грн
50+12.40 грн
100+10.56 грн
500+7.41 грн
1000+6.45 грн
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG-DTE.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4041KV13-667FCXC Infineon-CY7C4021KV13_CY7C4041KV13_72-Mbit_QDR-IV_HP_SRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4cc743a40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 667MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.33 грн
10+114.99 грн
100+94.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.89 грн
10+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAW60R180P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e659c3d5009
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 26W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAW60R180P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e659c3d5009
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N16KOFHPSA1 TD500N16KOF.pdf
TD500N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N18KOF TD500N18KOF.pdf
TD500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOF.pdf
TT500N14KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFXPSA1 TT500N16KOF.pdf
TT500N16KOFXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOF.pdf
TT570N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF.pdf
TZ600N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF.pdf
TZ500N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF.pdf
TZ500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3.pdf
DF400R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: buck chopper
Power dissipation: 2kW
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4PHOSA1 Infineon-FZ400R12KS4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e003d864bc4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3B1HOSA1 Infineon-FZ400R12KE3_B1-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433c1965d75
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3HOSA1 Infineon-FZ400R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433be115d71
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; screw; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE4HOSA1 Infineon-FZ400R12KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7c1e8565958
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 62MM; screw; 2.4kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KP4HOSA1 Infineon-FZ400R12KP4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120c8ca11e73293
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; screw; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4HOSA1 FZ400R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 2.5kW
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R12PT4B26BOSA1 Infineon-F3L400R12PT4_B26-DS-v02_00-DE.pdf?fileId=db3a30433a747525013a879896ef6412
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Power dissipation: 2.15kW
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EconoPACK™ 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 580A; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 580A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+15074.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 FF2400R12IP7P_Rev1.00_6-9-23.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.4kA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+63582.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF irf7455pbf.pdf
IRF7455TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF irs2336.pdf
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Supply voltage: 11.5...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA.pdf
BTS5180-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.33Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.20 грн
10+58.33 грн
25+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 FP50R06W2E3B11.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY2B-2
Technology: EasyPIM™ 2B
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.71 грн
12+35.50 грн
25+31.91 грн
100+28.17 грн
250+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1H811GAUMA1 ISO1H811G.pdf
ISO1H811GAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 11÷35VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: ISOFACE™
Case: PG-DSO-36
Output current: 0.625A
Number of channels: 8
Supply voltage: 11...35V DC
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
Turn-on time: 64µs
Turn-off time: 89µs
Power dissipation: 3.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
CY62157EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.07 грн
10+514.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1 ITS711L1.pdf
ITS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.39 грн
10+219.99 грн
25+210.82 грн
50+208.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28413-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28413-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28433-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28433-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI description download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28403-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28445-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG-DTE.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.87 грн
5+93.33 грн
10+85.00 грн
25+75.00 грн
50+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+146.27 грн
50+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA-DTE.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.54 грн
29+14.58 грн
50+10.35 грн
100+8.97 грн
500+6.64 грн
1000+5.78 грн
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.72 грн
24+17.75 грн
50+12.40 грн
100+10.56 грн
500+7.41 грн
1000+6.45 грн
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858CE6327.pdf
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1985 1986 1987 1988 1989 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]