Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148587) > Сторінка 696 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTG70501EPLDAUGHBRDTOBO1 BTG70501EPLDAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-PROFET_Customer_evaluation_kit_description-UserManual-v01_10-EN-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183c1e8e8367e73 Description: BTG7050-1EPL DAUGH BRD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTG7050-1EPL
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3499.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R17ME3BOSA1 FF450R17ME3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R17ME3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d01145046701403b2 Description: IGBT MOD 1700V 605A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 605 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1500R33HE3S6BOSA1 Infineon Technologies Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1.5kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHVB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2400000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 280 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 ISP25DP06NMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399 Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.04 грн
2000+20.23 грн
3000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 ISP25DP06NMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399 Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+48.43 грн
100+31.72 грн
500+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6307WH6327XTSA1 BAT6307WH6327XTSA1 Infineon Technologies bat63series.pdf?folderId=db3a304314dca389011518104e5d0df2&fileId=db3a304314dca38901151817843c0df4 Description: DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SOT343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 3V
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
на замовлення 88581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R145CFD7XKSA1 IPA60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Infineon Technologies auirl3705z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bac1911546 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+102.03 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Infineon Technologies auirl3705z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bac1911546 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL8033G4B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01888faf64467e84 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 3A, 6A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 6A
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-5
Rise / Fall Time (Typ): 195ns, 106ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 8V ~ 17V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL8033G4B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01888faf64467e84 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 3A, 6A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 6A
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-5
Rise / Fall Time (Typ): 195ns, 106ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 8V ~ 17V
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+76.63 грн
25+69.49 грн
100+57.87 грн
250+54.36 грн
500+52.25 грн
1000+49.68 грн
2500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CG10218AA Infineon Technologies Description: IC FRAM
Packaging: Tube
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG10218AAT Infineon Technologies Description: IC FRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5116H6327XTSA1 BCP5116H6327XTSA1 Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Description: TRANS PNP 45V 1A PG-SOT223-4-24
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1947+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 1947
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CE6433HTMA1 BC848CE6433HTMA1 Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11357+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 11357
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805 AUIRF3805 Infineon Technologies INFN-S-A0008053181-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+131.39 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805L AUIRF3805L Infineon Technologies INFN-S-A0008053181-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+148.28 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
SPA21N50C3XKSA1 SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A21N50C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42cf25f47d8 Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+170.02 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001101XTMA1 SP4001101XTMA1 Infineon Technologies Infineon-SP400-11-01-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7597d6f5d Description: IC TPMS & INERTIA 24DSOSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+347.22 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001101XTMA1 SP4001101XTMA1 Infineon Technologies Infineon-SP400-11-01-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7597d6f5d Description: IC TPMS & INERTIA 24DSOSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.47 грн
10+443.48 грн
25+411.18 грн
100+352.64 грн
250+336.78 грн
500+327.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MB9BFD18TPMC-GK7E1 MB9BFD18TPMC-GK7E1 Infineon Technologies Infineon-MB9BD10T_Series_32-Bit_Arm_Cortex_-M3_FM3_Microcontroller-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eded7cd63c9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 144MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 32x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, Ethernet, I2C, LINbus, SD, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Number of I/O: 154
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9180D32QKXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1 Infineon Technologies Description: DRIVER_IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 60V
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-27
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9180D32QKXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1 Infineon Technologies Description: DRIVER_IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 60V
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-27
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9AFB44NBBGL-GK9E1 CY9AFB44NBBGL-GK9E1 Infineon Technologies Infineon-CY9AB40NB_Series_32_bit_Arm_Cortex_M3_FM3_Microcontroller-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee06c916608 Description: IC MCU 32BIT 288KB FLASH 112BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 112-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 288KB (288K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, I2C, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 112-PFBGA (10x10)
Number of I/O: 83
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHSS23 S29GL01GS10FHSS23 Infineon Technologies Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHSS33 S29GL01GS10FHSS33 Infineon Technologies Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHSS30 S29GL01GS10FHSS30 Infineon Technologies Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61T CYAT81688-100AS61T Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+900.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61T CYAT81688-100AS61T Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.02 грн
10+1244.83 грн
25+1154.41 грн
100+990.13 грн
250+945.65 грн
500+918.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61ZT CYAT81688-100AS61ZT Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+980.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61ZT CYAT81688-100AS61ZT Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.02 грн
10+1244.83 грн
25+1154.41 грн
100+990.13 грн
250+945.65 грн
500+918.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AA71 Infineon Technologies Infineon-CYAT81682-100AA61Z-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edabc100b8b Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1488.96 грн
10+1322.23 грн
25+1262.77 грн
90+1059.58 грн
270+1010.79 грн
450+961.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61 CYAT81688-100AS61 Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.57 грн
10+995.78 грн
25+923.53 грн
90+813.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61KH CYAT81688-100AS61KH Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.57 грн
10+995.78 грн
25+923.53 грн
90+813.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127AXI-S453 CY8C4127AXI-S453 Infineon Technologies PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 44TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 44-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 16x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Number of I/O: 37
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.66 грн
10+351.90 грн
25+332.68 грн
160+270.57 грн
320+256.70 грн
480+230.33 грн
960+191.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4148AZI-S453 CY8C4148AZI-S453 Infineon Technologies Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_PLUS_256KB_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee8193c7109 Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.39 грн
10+398.49 грн
25+379.98 грн
80+309.61 грн
250+295.70 грн
500+269.61 грн
1000+230.97 грн
2500+222.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4147AZI-S453 CY8C4147AZI-S453 Infineon Technologies PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 16x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.09 грн
10+294.73 грн
25+271.90 грн
80+234.80 грн
230+221.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4221EV3.4 PXB4221EV3.4 Infineon Technologies Description: ATM UNI SINGLE 2.048MBPS 3.3V 25
Packaging: Bulk
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6295.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4220EV3.4 PXB4220EV3.4 Infineon Technologies Description: INTERWORKING ELEMENT FOR 8 E1/T1
Packaging: Bulk
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6295.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4221EV3.2 PXB4221EV3.2 Infineon Technologies Description: IWE8 INTERWORKING ELEMENT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6761.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9AF342LBPMC1-G-JNE2 CY9AF342LBPMC1-G-JNE2 Infineon Technologies Infineon-CY9A340NB_Series_32_bit_Arm_Cortex_M3_FM3_Microcontroller-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee01fbe65a4 Description: IC MCU 32BIT 160KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 160KB (160K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, I2C, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8201XTSA1 ICL8201XTSA1 Infineon Technologies ICL8201.pdf Description: IC LED DRVR OFFL TRIAC SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Voltage - Output: 27V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 40kHz ~ 150kHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 400mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Dimming: Triac
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6433HTMA1 BC858BE6433HTMA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10193+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10193
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5M1BN6E6327XTSA1 BGA5M1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA5M1BN6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462617643590161b3b177e035db Description: IC AMP LTE 1.805GHZ-2.2GHZ TSNP6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 19.3dB
Current - Supply: 9.5mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -17dBm
Test Frequency: 2GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-10
на замовлення 38129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42794GMXUMA2 TLE42794GMXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42794-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e494d1f80 Description: IC REG LINEAR 5V 100MA PG-DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
PSRR: 70dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 8 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 Infineon Technologies BSO211PH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203PHXUMA1 BSO203PHXUMA1 Infineon Technologies BSO203P_H_1.31.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b46bc7670b11 Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3B9BOSA1 FS75R12KE3B9BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KE3_B9-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a7caf0c5c68d3 Description: IGBT MOD 1200V 105A 355W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7765.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1 IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPSA70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c99b2654f5 Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW70R600CEXKSA1 IPAW70R600CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAW70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157d21612bd71fd Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 10825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600P7SAKMA1 IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPSA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c5ab11389 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BOSA1 FS50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5291.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.17 грн
10+49.12 грн
100+32.28 грн
500+23.47 грн
1000+21.27 грн
2000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTMA1 Infineon Technologies Description: MAG SWITCH IC HALL EFF SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031S AUIPS6031S Infineon Technologies AUIPS6031%28S%2CR%29.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tube
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R1K5CEAKMA1 IPS60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537ac2003175ba Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70501EPLDAUGHBRDTOBO1 Infineon-Infineon-PROFET_Customer_evaluation_kit_description-UserManual-v01_10-EN-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183c1e8e8367e73
BTG70501EPLDAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTG7050-1EPL DAUGH BRD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTG7050-1EPL
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3499.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R17ME3BOSA1 Infineon-FF450R17ME3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d01145046701403b2
FF450R17ME3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 605A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 605 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1500R33HE3S6BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1.5kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHVB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2400000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 280 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399
ISP25DP06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.04 грн
2000+20.23 грн
3000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399
ISP25DP06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+48.43 грн
100+31.72 грн
500+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6307WH6327XTSA1 bat63series.pdf?folderId=db3a304314dca389011518104e5d0df2&fileId=db3a304314dca38901151817843c0df4
BAT6307WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SOT343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 3V
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
на замовлення 88581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3463+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R145CFD7XKSA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
IPA60R145CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL3705ZS auirl3705z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bac1911546
AUIRL3705ZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+102.03 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL3705ZS auirl3705z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bac1911546
AUIRL3705ZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8033G4BXTMA1 Infineon-2EDL8033G4B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01888faf64467e84
2EDL8033G4BXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 3A, 6A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 6A
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-5
Rise / Fall Time (Typ): 195ns, 106ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 8V ~ 17V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8033G4BXTMA1 Infineon-2EDL8033G4B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01888faf64467e84
2EDL8033G4BXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 3A, 6A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 6A
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-5
Rise / Fall Time (Typ): 195ns, 106ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 8V ~ 17V
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+76.63 грн
25+69.49 грн
100+57.87 грн
250+54.36 грн
500+52.25 грн
1000+49.68 грн
2500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CG10218AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM
Packaging: Tube
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG10218AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5116H6327XTSA1 bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9
BCP5116H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 1A PG-SOT223-4-24
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1947+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 1947
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CE6433HTMA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
BC848CE6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11357+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 11357
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805 INFN-S-A0008053181-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3805
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+131.39 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805L INFN-S-A0008053181-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3805L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+148.28 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
SPA21N50C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A21N50C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42cf25f47d8
SPA21N50C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+170.02 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001101XTMA1 Infineon-SP400-11-01-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7597d6f5d
SP4001101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TPMS & INERTIA 24DSOSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+347.22 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001101XTMA1 Infineon-SP400-11-01-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7597d6f5d
SP4001101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TPMS & INERTIA 24DSOSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.47 грн
10+443.48 грн
25+411.18 грн
100+352.64 грн
250+336.78 грн
500+327.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MB9BFD18TPMC-GK7E1 Infineon-MB9BD10T_Series_32-Bit_Arm_Cortex_-M3_FM3_Microcontroller-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eded7cd63c9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
MB9BFD18TPMC-GK7E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 144MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 32x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, Ethernet, I2C, LINbus, SD, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Number of I/O: 154
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9180D32QKXUMA1
TLE9180D32QKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DRIVER_IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 60V
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-27
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9180D32QKXUMA1
TLE9180D32QKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DRIVER_IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 60V
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-27
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9AFB44NBBGL-GK9E1 Infineon-CY9AB40NB_Series_32_bit_Arm_Cortex_M3_FM3_Microcontroller-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee06c916608
CY9AFB44NBBGL-GK9E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 288KB FLASH 112BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 112-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 288KB (288K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, I2C, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 112-PFBGA (10x10)
Number of I/O: 83
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHSS23
S29GL01GS10FHSS23
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHSS33
S29GL01GS10FHSS33
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHSS30
S29GL01GS10FHSS30
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61T CYAT8168x.pdf
CYAT81688-100AS61T
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+900.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61T CYAT8168x.pdf
CYAT81688-100AS61T
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1668.02 грн
10+1244.83 грн
25+1154.41 грн
100+990.13 грн
250+945.65 грн
500+918.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61ZT CYAT8168x.pdf
CYAT81688-100AS61ZT
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+980.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61ZT CYAT8168x.pdf
CYAT81688-100AS61ZT
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1668.02 грн
10+1244.83 грн
25+1154.41 грн
100+990.13 грн
250+945.65 грн
500+918.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AA71 Infineon-CYAT81682-100AA61Z-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edabc100b8b
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1488.96 грн
10+1322.23 грн
25+1262.77 грн
90+1059.58 грн
270+1010.79 грн
450+961.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61 CYAT8168x.pdf
CYAT81688-100AS61
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1334.57 грн
10+995.78 грн
25+923.53 грн
90+813.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81688-100AS61KH CYAT8168x.pdf
CYAT81688-100AS61KH
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1334.57 грн
10+995.78 грн
25+923.53 грн
90+813.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127AXI-S453 PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf
CY8C4127AXI-S453
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 44TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 44-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 16x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Number of I/O: 37
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.66 грн
10+351.90 грн
25+332.68 грн
160+270.57 грн
320+256.70 грн
480+230.33 грн
960+191.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4148AZI-S453 Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_PLUS_256KB_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee8193c7109
CY8C4148AZI-S453
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.39 грн
10+398.49 грн
25+379.98 грн
80+309.61 грн
250+295.70 грн
500+269.61 грн
1000+230.97 грн
2500+222.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4147AZI-S453 PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf
CY8C4147AZI-S453
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 16x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.09 грн
10+294.73 грн
25+271.90 грн
80+234.80 грн
230+221.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4221EV3.4
PXB4221EV3.4
Виробник: Infineon Technologies
Description: ATM UNI SINGLE 2.048MBPS 3.3V 25
Packaging: Bulk
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6295.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4220EV3.4
PXB4220EV3.4
Виробник: Infineon Technologies
Description: INTERWORKING ELEMENT FOR 8 E1/T1
Packaging: Bulk
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6295.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4221EV3.2
PXB4221EV3.2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IWE8 INTERWORKING ELEMENT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6761.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9AF342LBPMC1-G-JNE2 Infineon-CY9A340NB_Series_32_bit_Arm_Cortex_M3_FM3_Microcontroller-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee01fbe65a4
CY9AF342LBPMC1-G-JNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 160KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 160KB (160K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, I2C, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8201XTSA1 ICL8201.pdf
ICL8201XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR OFFL TRIAC SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Voltage - Output: 27V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 40kHz ~ 150kHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 400mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Dimming: Triac
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858BE6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10193+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10193
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5M1BN6E6327XTSA1 Infineon-BGA5M1BN6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462617643590161b3b177e035db
BGA5M1BN6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 1.805GHZ-2.2GHZ TSNP6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 19.3dB
Current - Supply: 9.5mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -17dBm
Test Frequency: 2GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-10
на замовлення 38129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42794GMXUMA2 Infineon-TLE42794-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e494d1f80
TLE42794GMXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA PG-DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
PSRR: 70dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 8 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PH.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203PHXUMA1 BSO203P_H_1.31.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b46bc7670b11
BSO203PHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3B9BOSA1 Infineon-FS75R12KE3_B9-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a7caf0c5c68d3
FS75R12KE3B9BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 105A 355W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7765.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1 Infineon-IPSA70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c99b2654f5
IPSA70R600CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW70R600CEXKSA1 Infineon-IPAW70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157d21612bd71fd
IPAW70R600CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 10825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon-IPSA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c5ab11389
IPSA70R600P7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
891+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BOSA1 Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c
FS50R12KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+5291.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1
IRF8721TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1
IRF8721TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.17 грн
10+49.12 грн
100+32.28 грн
500+23.47 грн
1000+21.27 грн
2000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH IC HALL EFF SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031S AUIPS6031%28S%2CR%29.pdf
AUIPS6031S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tube
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R1K5CEAKMA1 Infineon-IPS60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537ac2003175ba
IPS60R1K5CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]