Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 263 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON INFN-S-A0003258229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.87 грн
250+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.03 грн
10+144.09 грн
100+99.57 грн
500+60.51 грн
1000+55.09 грн
5000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.08 грн
10+171.61 грн
100+119.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.37 грн
10+171.61 грн
100+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+259.03 грн
50+167.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP INFINEON INFN-S-A0012838097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.75 грн
10+190.23 грн
100+144.09 грн
500+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBF IRF520NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.18 грн
10+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBF IRF520NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 48W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF INFINEON 1718470.pdf Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.80 грн
10+148.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.61 грн
10+154.61 грн
50+131.14 грн
100+99.97 грн
250+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48IOTAWSWIFITOBO1 KITXMC48IOTAWSWIFITOBO1 INFINEON Infineon-XMC4700-XMC4800-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151908ea8db00b3 Description: INFINEON - KITXMC48IOTAWSWIFITOBO1 - Embedded-Development-Relax-Kit, XMC4800-F100X2048, XMC4000, 32 Bit, Arm Cortex-M4-MCU
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard XMC4800-F100X2048
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M4
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: XMC4000
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC4800-F100X2048
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7638.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 ESD150B1W0201E6327XTSA1 INFINEON Infineon-ESD150-B1-W0201-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01790dcd03eb4818 Description: INFINEON - ESD150B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 3.8 V, WLL-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V, 12 W, ESD150-B1-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 3.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD150-B1-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.74 грн
155+5.23 грн
500+3.71 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON IRLES00078-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.60 грн
10+153.80 грн
100+125.47 грн
500+98.47 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON 665845.pdf Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.46 грн
10+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON 665845.pdf Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.98 грн
53+15.38 грн
250+9.71 грн
1000+5.42 грн
7500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - MOSFET, N CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.14 грн
124+6.55 грн
250+4.78 грн
1000+4.13 грн
12000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.38 грн
250+9.71 грн
1000+5.42 грн
7500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.74 грн
10+293.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 INFINEON IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.09 грн
10+157.04 грн
100+152.18 грн
500+137.55 грн
1000+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1 IPB60R125CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4 Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.42 грн
500+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1 IPB60R125CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4 Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.50 грн
10+220.18 грн
100+155.42 грн
500+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.36 грн
10+209.65 грн
100+159.47 грн
500+144.32 грн
1000+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.13 грн
10+98.76 грн
50+85.00 грн
100+65.92 грн
250+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5200XUMA1 TDA5200XUMA1 INFINEON INFNS16676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5200XUMA1 - HF-Empfänger, Alarm, schlüssellose Entriegelung, 868MHz-870MHz, ASK, -110dBm, 4kB/s, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerungssysteme
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 868MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfangsstrom: 4.8mA
Empfindlichkeit (dBm): -110dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: ASK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 4Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 870MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5210XUMA1 TDA5210XUMA1 INFINEON INFNS02798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5210XUMA1 - HF-Alarmsystem, 810MHz-870MHz, ASK, FSK, -107dBm, 100kB/s, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 810
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -107
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Frequenz, max.: 870
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.60 грн
10+276.03 грн
25+261.46 грн
50+227.00 грн
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+165.13 грн
1000+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5210XUMA1 TDA5210XUMA1 INFINEON INFNS02798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5210XUMA1 - HF-Alarmsystem, 810MHz-870MHz, ASK, FSK, -107dBm, 100kB/s, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+165.13 грн
1000+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF IR21271STRPBF INFINEON IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR21271STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.65 грн
10+156.23 грн
50+142.47 грн
100+118.76 грн
250+103.38 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF IR2127STRPBF INFINEON IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2127STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout und 125R Ausgangswiderstand, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.25 грн
250+97.14 грн
500+94.36 грн
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF IR2127STRPBF INFINEON IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2127STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout und 125R Ausgangswiderstand, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.70 грн
10+146.52 грн
50+134.37 грн
100+111.25 грн
250+97.14 грн
500+94.36 грн
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF IR21271STRPBF INFINEON IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR21271STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.76 грн
250+103.38 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON INFN-S-A0012837748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 160 A, 5300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.84 грн
10+165.94 грн
100+135.18 грн
500+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 19385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.65 грн
10+186.18 грн
100+134.37 грн
500+124.02 грн
1000+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF INFINEON INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF INFINEON INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905 AUIRF4905 INFINEON INFN-S-A0003614985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF4905 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.45 грн
10+416.88 грн
100+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.55 грн
10+233.94 грн
100+163.51 грн
500+145.82 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.51 грн
500+145.82 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GATELEADL500PB34602XPSA1 GATELEADL500PB34602XPSA1 INFINEON 2853083.pdf Description: INFINEON - GATELEADL500PB34602XPSA1 - GATE-KABEL, POWERBLOCK-THYRISTOR-MODUL
tariffCode: 85444290
Art des Zubehörs: Gate-Kabel
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PowerBLOCK-Thyristor-Module
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1405.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1 ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1 INFINEON INFNS15736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, Array, 13 V, TSLP-3-7, 3 Pin(s), ESD5V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: TSLP-3-7
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 126605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.14 грн
37+22.26 грн
100+16.27 грн
500+11.73 грн
1000+7.63 грн
5000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF INFINEON 140142.pdf Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF INFINEON 140142.pdf Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF INFINEON irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.31 грн
100+25.98 грн
500+23.90 грн
1000+21.65 грн
5000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.56 грн
69+11.82 грн
118+6.90 грн
500+4.78 грн
1500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 INFINEON 1849757.html Description: INFINEON - SN7002NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.35 грн
69+11.82 грн
250+7.03 грн
1000+3.74 грн
5000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 INFINEON 1849757.html Description: INFINEON - SN7002NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.43 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.42 грн
13+65.41 грн
100+43.06 грн
500+31.19 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.14 грн
11+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IR4302MTRPBF INFINEON IRSDS15784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.93 грн
10+255.79 грн
25+236.37 грн
50+202.20 грн
100+168.60 грн
250+160.28 грн
500+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IR4302MTRPBF INFINEON IRSDS15784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.60 грн
250+160.28 грн
500+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.13 грн
10+116.56 грн
100+77.95 грн
500+64.12 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.71 грн
250+100.38 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111STRPBF IR2111STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.33 грн
12+70.75 грн
50+64.03 грн
100+48.48 грн
250+42.05 грн
500+40.38 грн
1000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2112STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.41 грн
10+191.85 грн
25+175.66 грн
50+154.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2112STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON IR2113SPBF.pdf Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.51 грн
10+199.94 грн
25+182.94 грн
50+161.61 грн
100+141.54 грн
250+133.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON 133074.pdf Description: INFINEON - IR21844STRPBF - MOSFET- / IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 INFN-S-A0003258229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40SC228
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.87 грн
250+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.03 грн
10+144.09 грн
100+99.57 грн
500+60.51 грн
1000+55.09 грн
5000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.08 грн
10+171.61 грн
100+119.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.37 грн
10+171.61 грн
100+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+259.03 грн
50+167.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP INFN-S-A0012838097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2804STRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.75 грн
10+190.23 грн
100+144.09 грн
500+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBF INFN-S-A0012826511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF520NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.18 грн
10+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBF INFN-S-A0012826511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF520NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 48W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF 1718470.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.80 грн
10+148.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.61 грн
10+154.61 грн
50+131.14 грн
100+99.97 грн
250+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48IOTAWSWIFITOBO1 Infineon-XMC4700-XMC4800-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151908ea8db00b3
KITXMC48IOTAWSWIFITOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC48IOTAWSWIFITOBO1 - Embedded-Development-Relax-Kit, XMC4800-F100X2048, XMC4000, 32 Bit, Arm Cortex-M4-MCU
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard XMC4800-F100X2048
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M4
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: XMC4000
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC4800-F100X2048
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7638.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD150-B1-W0201-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01790dcd03eb4818
ESD150B1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD150B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 3.8 V, WLL-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V, 12 W, ESD150-B1-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 3.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD150-B1-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.74 грн
155+5.23 грн
500+3.71 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRLES00078-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+273.60 грн
10+153.80 грн
100+125.47 грн
500+98.47 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF 665845.pdf
IRF2805STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.46 грн
10+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF 665845.pdf
IRF2805STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.98 грн
53+15.38 грн
250+9.71 грн
1000+5.42 грн
7500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 3690159.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - MOSFET, N CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+12.14 грн
124+6.55 грн
250+4.78 грн
1000+4.13 грн
12000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.38 грн
250+9.71 грн
1000+5.42 грн
7500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1 INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R125C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+455.74 грн
10+293.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba
IPB60R125CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.09 грн
10+157.04 грн
100+152.18 грн
500+137.55 грн
1000+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4
IPB60R125CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+155.42 грн
500+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4
IPB60R125CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.50 грн
10+220.18 грн
100+155.42 грн
500+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+338.36 грн
10+209.65 грн
100+159.47 грн
500+144.32 грн
1000+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.13 грн
10+98.76 грн
50+85.00 грн
100+65.92 грн
250+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5200XUMA1 INFNS16676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5200XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5200XUMA1 - HF-Empfänger, Alarm, schlüssellose Entriegelung, 868MHz-870MHz, ASK, -110dBm, 4kB/s, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerungssysteme
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 868MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfangsstrom: 4.8mA
Empfindlichkeit (dBm): -110dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: ASK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 4Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 870MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5210XUMA1 INFNS02798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5210XUMA1 - HF-Alarmsystem, 810MHz-870MHz, ASK, FSK, -107dBm, 100kB/s, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 810
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -107
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Frequenz, max.: 870
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.60 грн
10+276.03 грн
25+261.46 грн
50+227.00 грн
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+165.13 грн
1000+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5210XUMA1 INFNS02798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5210XUMA1 - HF-Alarmsystem, 810MHz-870MHz, ASK, FSK, -107dBm, 100kB/s, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+165.13 грн
1000+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR21271STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21271STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.65 грн
10+156.23 грн
50+142.47 грн
100+118.76 грн
250+103.38 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2127STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2127STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout und 125R Ausgangswiderstand, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.25 грн
250+97.14 грн
500+94.36 грн
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2127STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2127STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout und 125R Ausgangswiderstand, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.70 грн
10+146.52 грн
50+134.37 грн
100+111.25 грн
250+97.14 грн
500+94.36 грн
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF IRSDS12204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR21271STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21271STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.76 грн
250+103.38 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF INFN-S-A0012837748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 160 A, 5300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.84 грн
10+165.94 грн
100+135.18 грн
500+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 19385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.65 грн
10+186.18 грн
100+134.37 грн
500+124.02 грн
1000+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF4905STRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF4905STRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905 INFN-S-A0003614985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF4905
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF4905 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+516.45 грн
10+416.88 грн
100+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF 1915327.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+354.55 грн
10+233.94 грн
100+163.51 грн
500+145.82 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF 1915327.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.51 грн
500+145.82 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GATELEADL500PB34602XPSA1 2853083.pdf
GATELEADL500PB34602XPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GATELEADL500PB34602XPSA1 - GATE-KABEL, POWERBLOCK-THYRISTOR-MODUL
tariffCode: 85444290
Art des Zubehörs: Gate-Kabel
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PowerBLOCK-Thyristor-Module
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1405.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1 INFNS15736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, Array, 13 V, TSLP-3-7, 3 Pin(s), ESD5V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: TSLP-3-7
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 126605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.14 грн
37+22.26 грн
100+16.27 грн
500+11.73 грн
1000+7.63 грн
5000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBF 140142.pdf
IRFZ46NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBF 140142.pdf
IRFZ46NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5
IRLHM630TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.31 грн
100+25.98 грн
500+23.90 грн
1000+21.65 грн
5000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.56 грн
69+11.82 грн
118+6.90 грн
500+4.78 грн
1500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 1849757.html
SN7002NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.35 грн
69+11.82 грн
250+7.03 грн
1000+3.74 грн
5000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 1849757.html
SN7002NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.43 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.42 грн
13+65.41 грн
100+43.06 грн
500+31.19 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.14 грн
11+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IRSDS15784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR4302MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.93 грн
10+255.79 грн
25+236.37 грн
50+202.20 грн
100+168.60 грн
250+160.28 грн
500+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IRSDS15784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR4302MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+168.60 грн
250+160.28 грн
500+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.13 грн
10+116.56 грн
100+77.95 грн
500+64.12 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6727MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.71 грн
250+100.38 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111STRPBF description INFN-S-A0008964807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2111STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.33 грн
12+70.75 грн
50+64.03 грн
100+48.48 грн
250+42.05 грн
500+40.38 грн
1000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF INFN-S-A0008993831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2112STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.41 грн
10+191.85 грн
25+175.66 грн
50+154.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF INFN-S-A0008993831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2112STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113SPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.51 грн
10+199.94 грн
25+182.94 грн
50+161.61 грн
100+141.54 грн
250+133.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF 133074.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21844STRPBF - MOSFET- / IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]