Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 268 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR185SH6327XTSA1 BCR185SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.34 грн
47+17.53 грн
100+10.97 грн
500+7.60 грн
1000+6.27 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 BCR185SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.97 грн
500+7.60 грн
1000+6.27 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.32 грн
50+95.82 грн
250+62.57 грн
1000+42.66 грн
3000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157ESL-45ZSXI CY62157ESL-45ZSXI INFINEON CYPR-S-A0011126802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62157ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.06 грн
10+909.91 грн
25+874.69 грн
50+791.68 грн
100+628.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G18-55BVXI CY62157G18-55BVXI INFINEON 2968989.pdf Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.26 грн
10+664.21 грн
25+656.02 грн
50+600.80 грн
100+482.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXI INFINEON 2309629.pdf Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZSXI - IC SRAM 8MB 512K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V Versorgung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.25 грн
10+1013.10 грн
25+839.48 грн
50+698.90 грн
100+595.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZXI CY62157EV30LL-45ZXI INFINEON 2309629.pdf Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+959.05 грн
10+878.79 грн
25+828.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-55ZSXE CY62157EV30LL-55ZSXE INFINEON 2309629.pdf Description: INFINEON - CY62157EV30LL-55ZSXE - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+811.63 грн
10+800.98 грн
25+790.34 грн
50+724.00 грн
100+659.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G30-45ZSXI CY62157G30-45ZSXI INFINEON 2968989.pdf Description: INFINEON - CY62157G30-45ZSXI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.17 грн
10+713.35 грн
25+712.53 грн
50+660.87 грн
100+609.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157GE30-45ZXI CY62157GE30-45ZXI INFINEON 2968989.pdf Description: INFINEON - CY62157GE30-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.77 грн
10+97.46 грн
100+76.00 грн
500+61.37 грн
1000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.67 грн
10+111.38 грн
100+86.00 грн
500+66.62 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.28 грн
500+82.13 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE88812TNAKSA1 TLE88812TNAKSA1 INFINEON 2920462.pdf Description: INFINEON - TLE88812TNAKSA1 - Regler für Drehstromgenerator, mit LIN, 6V bis 18V, -40°C bis 175°C, TO-220-5
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Lichtmaschinenregler mit LIN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TO-220
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.10 грн
10+624.90 грн
25+599.51 грн
50+523.22 грн
100+452.09 грн
250+430.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 TLE49663GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1 Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 TLE49663GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1 Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 TLE4966GHTSA1 INFINEON INFN-S-A0009369266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.89 грн
20+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 TLE4966GHTSA1 INFINEON INFN-S-A0009369266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 ESD150B1W0201E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0012713660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD150B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 3.8 V, WLL-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V, 12 W, ESD150-B1-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 3.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD150-B1-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.42 грн
124+6.66 грн
283+2.90 грн
500+2.55 грн
1000+2.08 грн
5000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASEVALKITTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - 1EDI2002ASEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, 1EDI2002AS, IGBT-Gate-Treiber, Motortreiber
Prozessorkern: 1EDI2002AS
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 1EDI2002AS
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 INFINEON INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.29 грн
35+23.59 грн
100+13.35 грн
500+8.29 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TAKSA1 BTS462TAKSA1 INFINEON INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS462TAKSA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 14A, 0.07 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.07
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 4.4
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780AZXKLA1 ICE5QR4780AZXKLA1 INFINEON INFN-S-A0003555962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ICE5QR4780AZXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 300V AC Eingangsspannung, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.28 грн
10+173.63 грн
50+149.88 грн
100+117.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 EVALHBPARALLELGANTOBO1 INFINEON 3097845.pdf Description: INFINEON - EVALHBPARALLELGANTOBO1 - Evaluationsboard, IGOT60R070D1, E-Modus-Leistungstransistor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IGOT60R070D1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGOT60R070D1
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: E-Modus-Leistungstransistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9723.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.02 грн
50+19.90 грн
100+17.28 грн
500+14.15 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.28 грн
500+14.15 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0006116922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA95R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.97 грн
10+126.13 грн
100+117.12 грн
500+95.06 грн
1000+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 INFINEON 2643904.pdf Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.63 грн
10+85.18 грн
100+76.58 грн
500+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 INFINEON Infineon-SBSnG_auir3242-board-unidir-UserManual-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd2aad4642e31 Description: INFINEON - AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 - Demoboard, AUIR3242, Power-Management, Batterieschalter
Prozessorkern: AUIR3242
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242
Unterart Anwendung: Batterieschalter
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11362.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBF IRFS4020TRLPBF INFINEON 526926.pdf Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.38 грн
10+128.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON INFNS10806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.38 грн
83+9.91 грн
105+7.83 грн
500+6.33 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.46 грн
82+10.07 грн
104+7.91 грн
500+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+14.09 грн
100+8.27 грн
126+6.50 грн
500+6.02 грн
1000+5.52 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF IRF7490TRPBF INFINEON 138018.pdf Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.47 грн
50+67.24 грн
250+45.13 грн
1000+29.36 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF IRF7490TRPBF INFINEON 138018.pdf Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.24 грн
250+45.13 грн
1000+29.36 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.81 грн
250+67.57 грн
1000+45.86 грн
2000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.85 грн
50+86.81 грн
250+67.57 грн
1000+45.86 грн
2000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KT3BPSA1 FP15R12KT3BPSA1 INFINEON 3629232.pdf Description: INFINEON - FP15R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT4 - T4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPIM 1B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5927.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOFHPSA1 TZ600N16KOFHPSA1 INFINEON INFNS29293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TZ600N16KOFHPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, 1.6kV, 1.05kA, 2.2V Vgt, 0.25A Igt, 17A Itsm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 600A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16015.54 грн
5+15695.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004848098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.36 грн
10+172.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21434-24LTXI CY8C21434-24LTXI INFINEON 2143889.pdf Description: INFINEON - CY8C21434-24LTXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 32 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 28Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 512Byte
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 28I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.84 грн
10+407.04 грн
25+365.27 грн
50+335.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF INFINEON 139529.pdf Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.31 грн
15+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4620D-EPBF IRGP4620D-EPBF INFINEON 2059616.pdf Description: INFINEON - IRGP4620D-EPBF - IGBT, 32 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 32
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBF IRF6674TRPBF INFINEON 91431.pdf Description: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 67
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBF IRF6674TRPBF INFINEON 91431.pdf Description: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF INFINEON 1911581.pdf description Description: INFINEON - IRGB4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXI CY62128EV30LL-45ZAXI INFINEON CYPR-S-A0011166944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45ZAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.37 грн
10+181.00 грн
25+174.45 грн
50+156.66 грн
100+139.00 грн
250+133.38 грн
500+128.47 грн
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FV30LL-45ZAXI CY62138FV30LL-45ZAXI INFINEON CYPRS14040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62138FV30LL-45ZAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+664.21 грн
10+581.49 грн
25+481.57 грн
50+400.78 грн
100+341.87 грн
250+318.71 грн
500+301.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXIT CY62128EV30LL-45ZAXIT INFINEON CYPRS08954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45ZAXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.22 грн
10+210.48 грн
25+205.57 грн
50+186.32 грн
100+167.78 грн
250+162.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB14C40LPBF IRGB14C40LPBF INFINEON 140438.pdf description Description: INFINEON - IRGB14C40LPBF - IGBT, 20 A, 1.75 V, 125 W, 430 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 20
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-418.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB640E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 76 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 76pF
Produktpalette: BB640
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.70 грн
63+13.19 грн
100+10.65 грн
500+9.05 грн
1000+7.72 грн
5000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5702VH6327XTSA1 BBY5702VH6327XTSA1 INFINEON 1849683.html Description: INFINEON - BBY5702VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 18.6 pF, 20 mA, 10 V, 125 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 18.6pF
Produktpalette: BBY57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.77 грн
500+14.60 грн
1000+12.57 грн
5000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5702VH6327XTSA1 BBY5702VH6327XTSA1 INFINEON 1849683.html Description: INFINEON - BBY5702VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 18.6 pF, 20 mA, 10 V, 125 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 18.6pF
Produktpalette: BBY57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.63 грн
45+18.43 грн
100+17.77 грн
500+14.60 грн
1000+12.57 грн
5000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 INFINEON Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531 Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.45 грн
10+222.77 грн
100+217.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF INFINEON IRSDS11230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.26 грн
50+105.65 грн
250+73.05 грн
1000+52.17 грн
3000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR0680BZSXKLA1 ICE5AR0680BZSXKLA1 INFINEON INFN-S-A0004583174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ICE5AR0680BZSXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 100kHz, 39W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 39W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.06 грн
10+112.20 грн
50+94.18 грн
100+84.42 грн
250+73.71 грн
500+73.01 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR185SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.34 грн
47+17.53 грн
100+10.97 грн
500+7.60 грн
1000+6.27 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR185SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.97 грн
500+7.60 грн
1000+6.27 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1018ETRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.32 грн
50+95.82 грн
250+62.57 грн
1000+42.66 грн
3000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157ESL-45ZSXI CYPR-S-A0011126802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62157ESL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+968.06 грн
10+909.91 грн
25+874.69 грн
50+791.68 грн
100+628.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G18-55BVXI 2968989.pdf
CY62157G18-55BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+718.26 грн
10+664.21 грн
25+656.02 грн
50+600.80 грн
100+482.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI 2309629.pdf
CY62157EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZSXI - IC SRAM 8MB 512K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V Versorgung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1157.25 грн
10+1013.10 грн
25+839.48 грн
50+698.90 грн
100+595.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZXI 2309629.pdf
CY62157EV30LL-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.05 грн
10+878.79 грн
25+828.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-55ZSXE 2309629.pdf
CY62157EV30LL-55ZSXE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-55ZSXE - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+811.63 грн
10+800.98 грн
25+790.34 грн
50+724.00 грн
100+659.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G30-45ZSXI 2968989.pdf
CY62157G30-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157G30-45ZSXI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+714.17 грн
10+713.35 грн
25+712.53 грн
50+660.87 грн
100+609.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157GE30-45ZXI 2968989.pdf
CY62157GE30-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157GE30-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.77 грн
10+97.46 грн
100+76.00 грн
500+61.37 грн
1000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF INFN-S-A0012826950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6620TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.67 грн
10+111.38 грн
100+86.00 грн
500+66.62 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6643TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6643TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.28 грн
500+82.13 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE88812TNAKSA1 2920462.pdf
TLE88812TNAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE88812TNAKSA1 - Regler für Drehstromgenerator, mit LIN, 6V bis 18V, -40°C bis 175°C, TO-220-5
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Lichtmaschinenregler mit LIN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TO-220
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+823.10 грн
10+624.90 грн
25+599.51 грн
50+523.22 грн
100+452.09 грн
250+430.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1
TLE49663GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1
TLE49663GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 INFN-S-A0009369266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4966GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.89 грн
20+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 INFN-S-A0009369266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4966GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 INFN-S-A0012713660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD150B1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD150B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 3.8 V, WLL-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V, 12 W, ESD150-B1-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 3.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD150-B1-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.42 грн
124+6.66 грн
283+2.90 грн
500+2.55 грн
1000+2.08 грн
5000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASEVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI2002ASEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, 1EDI2002AS, IGBT-Gate-Treiber, Motortreiber
Prozessorkern: 1EDI2002AS
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 1EDI2002AS
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857SH6327XTSA1 INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.29 грн
35+23.59 грн
100+13.35 грн
500+8.29 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TAKSA1 INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS462TAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS462TAKSA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 14A, 0.07 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.07
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 4.4
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780AZXKLA1 INFN-S-A0003555962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ICE5QR4780AZXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5QR4780AZXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 300V AC Eingangsspannung, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.28 грн
10+173.63 грн
50+149.88 грн
100+117.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 3097845.pdf
EVALHBPARALLELGANTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALHBPARALLELGANTOBO1 - Evaluationsboard, IGOT60R070D1, E-Modus-Leistungstransistor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IGOT60R070D1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGOT60R070D1
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: E-Modus-Leistungstransistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9723.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP650H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.02 грн
50+19.90 грн
100+17.28 грн
500+14.15 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP650H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.28 грн
500+14.15 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 INFN-S-A0006116922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA95R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.97 грн
10+126.13 грн
100+117.12 грн
500+95.06 грн
1000+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 2643904.pdf
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.63 грн
10+85.18 грн
100+76.58 грн
500+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 Infineon-SBSnG_auir3242-board-unidir-UserManual-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd2aad4642e31
AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 - Demoboard, AUIR3242, Power-Management, Batterieschalter
Prozessorkern: AUIR3242
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242
Unterart Anwendung: Batterieschalter
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11362.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBF 526926.pdf
IRFS4020TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.38 грн
10+128.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 INFNS10806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.38 грн
83+9.91 грн
105+7.83 грн
500+6.33 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.46 грн
82+10.07 грн
104+7.91 грн
500+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.09 грн
100+8.27 грн
126+6.50 грн
500+6.02 грн
1000+5.52 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF 138018.pdf
IRF7490TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.47 грн
50+67.24 грн
250+45.13 грн
1000+29.36 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF 138018.pdf
IRF7490TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.24 грн
250+45.13 грн
1000+29.36 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.81 грн
250+67.57 грн
1000+45.86 грн
2000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.85 грн
50+86.81 грн
250+67.57 грн
1000+45.86 грн
2000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KT3BPSA1 3629232.pdf
FP15R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT4 - T4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPIM 1B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5927.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOFHPSA1 INFNS29293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TZ600N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TZ600N16KOFHPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, 1.6kV, 1.05kA, 2.2V Vgt, 0.25A Igt, 17A Itsm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 600A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16015.54 грн
5+15695.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 INFN-S-A0004848098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.36 грн
10+172.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21434-24LTXI 2143889.pdf
CY8C21434-24LTXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21434-24LTXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 32 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 28Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 512Byte
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 28I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+475.84 грн
10+407.04 грн
25+365.27 грн
50+335.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ24NPBF 139529.pdf
IRFIZ24NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.31 грн
15+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4620D-EPBF 2059616.pdf
IRGP4620D-EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4620D-EPBF - IGBT, 32 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 32
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBF 91431.pdf
IRF6674TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 67
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBF 91431.pdf
IRF6674TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4062DPBF description 1911581.pdf
IRGB4062DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXI CYPR-S-A0011166944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62128EV30LL-45ZAXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45ZAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.37 грн
10+181.00 грн
25+174.45 грн
50+156.66 грн
100+139.00 грн
250+133.38 грн
500+128.47 грн
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FV30LL-45ZAXI CYPRS14040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62138FV30LL-45ZAXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62138FV30LL-45ZAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+664.21 грн
10+581.49 грн
25+481.57 грн
50+400.78 грн
100+341.87 грн
250+318.71 грн
500+301.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXIT CYPRS08954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62128EV30LL-45ZAXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45ZAXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.22 грн
10+210.48 грн
25+205.57 грн
50+186.32 грн
100+167.78 грн
250+162.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB14C40LPBF description 140438.pdf
IRGB14C40LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB14C40LPBF - IGBT, 20 A, 1.75 V, 125 W, 430 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 20
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 SIEMD095-418.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB640E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 76 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 76pF
Produktpalette: BB640
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.70 грн
63+13.19 грн
100+10.65 грн
500+9.05 грн
1000+7.72 грн
5000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5702VH6327XTSA1 1849683.html
BBY5702VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5702VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 18.6 pF, 20 mA, 10 V, 125 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 18.6pF
Produktpalette: BBY57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.77 грн
500+14.60 грн
1000+12.57 грн
5000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5702VH6327XTSA1 1849683.html
BBY5702VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5702VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 18.6 pF, 20 mA, 10 V, 125 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 18.6pF
Produktpalette: BBY57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.63 грн
45+18.43 грн
100+17.77 грн
500+14.60 грн
1000+12.57 грн
5000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C6XKSA1 Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531
IDH16G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.45 грн
10+222.77 грн
100+217.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRSDS11230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.26 грн
50+105.65 грн
250+73.05 грн
1000+52.17 грн
3000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR0680BZSXKLA1 INFN-S-A0004583174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ICE5AR0680BZSXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR0680BZSXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 100kHz, 39W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 39W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.06 грн
10+112.20 грн
50+94.18 грн
100+84.42 грн
250+73.71 грн
500+73.01 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]