Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24883) > Сторінка 268 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP028N08N3GXKSA1 IPP028N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS17001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.91 грн
10+347.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON INFNS19757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.03 грн
10+94.08 грн
100+86.65 грн
500+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0002484814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS16320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+102.34 грн
100+96.56 грн
500+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON INFNS19758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.14 грн
11+77.16 грн
100+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON 2643902.pdf Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.67 грн
11+75.76 грн
100+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON INFNS10688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR400WH6327XTSA1 - LED-Treiber-IC, Active-Bias-Controller, 1.8V bis 18V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85044095
IC-Funktion: Active-Bias-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOT-343
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.33 грн
78+10.65 грн
106+7.80 грн
500+6.52 грн
1000+5.59 грн
5000+5.29 грн
10000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSPBF IRS2453DSPBF INFINEON 3121109.pdf description Description: INFINEON - IRS2453DSPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V bis 16.6V Versorgungsspannung, 260mAout Spitze, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 250ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.43 грн
10+87.48 грн
50+83.35 грн
100+72.96 грн
250+66.00 грн
500+64.66 грн
1000+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF INFINEON 1911745.pdf description Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
12+75.02 грн
100+58.35 грн
500+41.38 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON 1849735.pdf Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.55 грн
50+18.16 грн
100+11.47 грн
500+7.89 грн
1500+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 3.9 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.15 грн
28+29.55 грн
50+24.84 грн
200+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BPSA1 FS75R12KT3BPSA1 INFINEON 2255591.pdf Description: INFINEON - FS75R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 105A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 105A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9031.91 грн
5+8851.17 грн
10+8670.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12N2T7B15BPSA2 FS75R12N2T7B15BPSA2 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FS75R12N2T7B15BPSA2 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6064.19 грн
5+5597.90 грн
10+5130.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BOSA1 FS75R12KT3BOSA1 INFINEON 2255591.pdf Description: INFINEON - FS75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 105
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 355
Verlustleistung: 355
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 105
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 BCR185SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.39 грн
47+17.58 грн
100+15.02 грн
500+12.87 грн
1000+9.20 грн
5000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 BCR185SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.02 грн
500+12.87 грн
1000+9.20 грн
5000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.57 грн
50+88.31 грн
250+67.18 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157ESL-45ZSXI CY62157ESL-45ZSXI INFINEON 2330443.pdf Description: INFINEON - CY62157ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.60 грн
10+853.34 грн
25+845.09 грн
50+777.06 грн
100+710.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G18-55BVXI CY62157G18-55BVXI INFINEON 2968989.pdf Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.77 грн
10+669.31 грн
25+661.05 грн
50+605.40 грн
100+485.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXI INFINEON 2309629.pdf Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZSXI - IC SRAM 8MB 512K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V Versorgung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.37 грн
10+906.99 грн
25+858.30 грн
50+769.40 грн
100+684.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZXI CY62157EV30LL-45ZXI INFINEON 2309629.pdf Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.85 грн
10+936.70 грн
25+810.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-55ZSXE CY62157EV30LL-55ZSXE INFINEON 2309629.pdf Description: INFINEON - CY62157EV30LL-55ZSXE - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.59 грн
10+954.85 грн
25+855.82 грн
50+788.56 грн
100+722.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G30-45ZSXI CY62157G30-45ZSXI INFINEON download Description: INFINEON - CY62157G30-45ZSXI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.21 грн
10+1338.61 грн
25+1282.49 грн
50+1072.10 грн
100+969.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157GE30-45ZXI CY62157GE30-45ZXI INFINEON 2968989.pdf Description: INFINEON - CY62157GE30-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.74 грн
10+122.14 грн
100+89.13 грн
500+64.83 грн
1000+55.25 грн
5000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.62 грн
10+112.24 грн
100+86.65 грн
500+67.13 грн
1000+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.44 грн
50+134.52 грн
250+94.08 грн
1000+65.22 грн
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.52 грн
250+94.08 грн
1000+65.22 грн
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.11 грн
500+83.53 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE88812TNAKSA1 TLE88812TNAKSA1 INFINEON 2920462.pdf Description: INFINEON - TLE88812TNAKSA1 - Regler für Drehstromgenerator, mit LIN, 6V bis 18V, -40°C bis 175°C, TO-220-5
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Lichtmaschinenregler mit LIN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TO-220
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.69 грн
10+689.11 грн
25+635.47 грн
50+531.07 грн
100+447.07 грн
250+446.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 TLE49663GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1 Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 TLE49663GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1 Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 TLE4966GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966G-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b50b5daa10900 Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.48 грн
16+54.22 грн
100+40.19 грн
500+33.64 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 TLE4966GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966G-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b50b5daa10900 Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.19 грн
500+33.64 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 ESD150B1W0201E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0012713660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD150B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 3.8 V, WLL-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V, 12 W, ESD150-B1-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 3.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD150-B1-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+9.24 грн
125+6.60 грн
271+3.05 грн
500+2.45 грн
1000+1.70 грн
5000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASEVALKITTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - 1EDI2002ASEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, 1EDI2002AS, IGBT-Gate-Treiber, Motortreiber
Prozessorkern: 1EDI2002AS
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 1EDI2002AS
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 INFINEON INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.76 грн
87+9.57 грн
155+5.36 грн
500+4.61 грн
1000+3.92 грн
5000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TAKSA1 BTS462TAKSA1 INFINEON INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS462TAKSA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 14A, 0.07 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.07
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 4.4
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780AZXKLA1 ICE5QR4780AZXKLA1 INFINEON INFN-S-A0003555962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ICE5QR4780AZXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 300V AC Eingangsspannung, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.77 грн
10+174.96 грн
50+151.03 грн
100+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 EVALHBPARALLELGANTOBO1 INFINEON 3097845.pdf Description: INFINEON - EVALHBPARALLELGANTOBO1 - Evaluationsboard, Power-Management, IGOT60R070D1, SNT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IGOT60R070D1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGOT60R070D1
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8450.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.27 грн
50+20.05 грн
100+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0006116922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA95R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.65 грн
10+126.27 грн
100+115.54 грн
500+105.75 грн
1000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 INFINEON 2643904.pdf Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.09 грн
10+96.56 грн
100+88.31 грн
500+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 INFINEON Infineon-SBSnG_auir3242-board-unidir-UserManual-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd2aad4642e31 Description: INFINEON - AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 - Demoboard, AUIR3242, Power-Management, Batterieschalter
Prozessorkern: AUIR3242
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242
Unterart Anwendung: Batterieschalter
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11449.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBF IRFS4020TRLPBF INFINEON 526926.pdf Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.89 грн
10+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.94 грн
98+8.50 грн
133+6.22 грн
500+5.20 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+11.64 грн
117+7.10 грн
157+5.28 грн
500+4.60 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.80 грн
114+7.25 грн
135+6.14 грн
500+5.60 грн
1000+5.09 грн
5000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF IRF7490TRPBF INFINEON 138018.pdf Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
50+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF IRF7490TRPBF INFINEON 138018.pdf Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.91 грн
250+69.57 грн
1000+46.36 грн
2000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.47 грн
50+94.91 грн
250+69.57 грн
1000+46.36 грн
2000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KT3BPSA1 FP15R12KT3BPSA1 INFINEON 3629232.pdf Description: INFINEON - FP15R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT4 - T4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM 1B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6593.19 грн
5+5769.56 грн
10+4780.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOFHPSA1 TZ600N16KOFHPSA1 INFINEON INFNS29293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TZ600N16KOFHPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, 1.6kV, 1.05kA, 2.2V Vgt, 0.25A Igt, 17A Itsm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 600A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16855.60 грн
5+15904.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004848098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.52 грн
10+212.10 грн
100+170.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21434-24LTXI CY8C21434-24LTXI INFINEON 2143889.pdf Description: INFINEON - CY8C21434-24LTXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 32 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 28Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 512Byte
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 28I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.49 грн
10+410.17 грн
25+368.08 грн
50+337.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF INFINEON 139529.pdf Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.27 грн
15+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1 INFNS17001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP028N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+453.91 грн
10+347.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 INFNS19757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.03 грн
10+94.08 грн
100+86.65 грн
500+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFN-S-A0002484814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP051N15N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 INFNS16320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.76 грн
10+102.34 грн
100+96.56 грн
500+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 INFNS19758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP060N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.14 грн
11+77.16 грн
100+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 2643902.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.67 грн
11+75.76 грн
100+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 INFNS10688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR400WH6327XTSA1 - LED-Treiber-IC, Active-Bias-Controller, 1.8V bis 18V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85044095
IC-Funktion: Active-Bias-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOT-343
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.33 грн
78+10.65 грн
106+7.80 грн
500+6.52 грн
1000+5.59 грн
5000+5.29 грн
10000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSPBF description 3121109.pdf
IRS2453DSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2453DSPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V bis 16.6V Versorgungsspannung, 260mAout Spitze, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 250ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.43 грн
10+87.48 грн
50+83.35 грн
100+72.96 грн
250+66.00 грн
500+64.66 грн
1000+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description 1911745.pdf
IRFH7932TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.29 грн
12+75.02 грн
100+58.35 грн
500+41.38 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 1849735.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.55 грн
50+18.16 грн
100+11.47 грн
500+7.89 грн
1500+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 3.9 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.15 грн
28+29.55 грн
50+24.84 грн
200+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BPSA1 2255591.pdf
FS75R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 105A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 105A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9031.91 грн
5+8851.17 грн
10+8670.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12N2T7B15BPSA2 3758284.pdf
FS75R12N2T7B15BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12N2T7B15BPSA2 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6064.19 грн
5+5597.90 грн
10+5130.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BOSA1 2255591.pdf
FS75R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 105
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 355
Verlustleistung: 355
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 105
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR185SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.39 грн
47+17.58 грн
100+15.02 грн
500+12.87 грн
1000+9.20 грн
5000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185SH6327XTSA1 INFNS11751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR185SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR185SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR185 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.02 грн
500+12.87 грн
1000+9.20 грн
5000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1018ETRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.57 грн
50+88.31 грн
250+67.18 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157ESL-45ZSXI 2330443.pdf
CY62157ESL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.60 грн
10+853.34 грн
25+845.09 грн
50+777.06 грн
100+710.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G18-55BVXI 2968989.pdf
CY62157G18-55BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+723.77 грн
10+669.31 грн
25+661.05 грн
50+605.40 грн
100+485.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI 2309629.pdf
CY62157EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZSXI - IC SRAM 8MB 512K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V Versorgung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1004.37 грн
10+906.99 грн
25+858.30 грн
50+769.40 грн
100+684.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZXI 2309629.pdf
CY62157EV30LL-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.85 грн
10+936.70 грн
25+810.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-55ZSXE 2309629.pdf
CY62157EV30LL-55ZSXE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-55ZSXE - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1050.59 грн
10+954.85 грн
25+855.82 грн
50+788.56 грн
100+722.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G30-45ZSXI download
CY62157G30-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157G30-45ZSXI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1482.21 грн
10+1338.61 грн
25+1282.49 грн
50+1072.10 грн
100+969.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157GE30-45ZXI 2968989.pdf
CY62157GE30-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157GE30-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.74 грн
10+122.14 грн
100+89.13 грн
500+64.83 грн
1000+55.25 грн
5000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF INFN-S-A0012826950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6620TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.62 грн
10+112.24 грн
100+86.65 грн
500+67.13 грн
1000+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6643TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.44 грн
50+134.52 грн
250+94.08 грн
1000+65.22 грн
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6643TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.52 грн
250+94.08 грн
1000+65.22 грн
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.11 грн
500+83.53 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE88812TNAKSA1 2920462.pdf
TLE88812TNAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE88812TNAKSA1 - Regler für Drehstromgenerator, mit LIN, 6V bis 18V, -40°C bis 175°C, TO-220-5
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Lichtmaschinenregler mit LIN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TO-220
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+903.69 грн
10+689.11 грн
25+635.47 грн
50+531.07 грн
100+447.07 грн
250+446.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1
TLE49663GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49663GHTSA1 Infineon-TLE4966-3G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511a9d4a0ca1
TLE49663GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49663GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Schalter, 10 mA, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V
Hall-Effekt-Typ: Schalter
Ausgangsstrom: 10
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Bauform - Sensor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 24
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 Infineon-TLE4966G-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b50b5daa10900
TLE4966GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.48 грн
16+54.22 грн
100+40.19 грн
500+33.64 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966GHTSA1 Infineon-TLE4966G-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b50b5daa10900
TLE4966GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4966GHTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.7 V, 24 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.19 грн
500+33.64 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 INFN-S-A0012713660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD150B1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD150B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 3.8 V, WLL-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V, 12 W, ESD150-B1-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 3.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD150-B1-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+9.24 грн
125+6.60 грн
271+3.05 грн
500+2.45 грн
1000+1.70 грн
5000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASEVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI2002ASEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, 1EDI2002AS, IGBT-Gate-Treiber, Motortreiber
Prozessorkern: 1EDI2002AS
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 1EDI2002AS
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857SH6327XTSA1 INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.76 грн
87+9.57 грн
155+5.36 грн
500+4.61 грн
1000+3.92 грн
5000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TAKSA1 INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS462TAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS462TAKSA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 14A, 0.07 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.07
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 4.4
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780AZXKLA1 INFN-S-A0003555962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ICE5QR4780AZXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5QR4780AZXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 300V AC Eingangsspannung, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.77 грн
10+174.96 грн
50+151.03 грн
100+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 3097845.pdf
EVALHBPARALLELGANTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALHBPARALLELGANTOBO1 - Evaluationsboard, Power-Management, IGOT60R070D1, SNT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IGOT60R070D1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGOT60R070D1
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8450.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP650H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.27 грн
50+20.05 грн
100+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327XTSA1 INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP650H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 INFN-S-A0006116922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA95R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.65 грн
10+126.27 грн
100+115.54 грн
500+105.75 грн
1000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 2643904.pdf
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.09 грн
10+96.56 грн
100+88.31 грн
500+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 Infineon-SBSnG_auir3242-board-unidir-UserManual-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd2aad4642e31
AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR3242BOARDUNIDIRTOBO1 - Demoboard, AUIR3242, Power-Management, Batterieschalter
Prozessorkern: AUIR3242
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242
Unterart Anwendung: Batterieschalter
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11449.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBF 526926.pdf
IRFS4020TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.89 грн
10+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.94 грн
98+8.50 грн
133+6.22 грн
500+5.20 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+11.64 грн
117+7.10 грн
157+5.28 грн
500+4.60 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.80 грн
114+7.25 грн
135+6.14 грн
500+5.60 грн
1000+5.09 грн
5000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF 138018.pdf
IRF7490TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.29 грн
50+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF 138018.pdf
IRF7490TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.91 грн
250+69.57 грн
1000+46.36 грн
2000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.47 грн
50+94.91 грн
250+69.57 грн
1000+46.36 грн
2000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KT3BPSA1 3629232.pdf
FP15R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT4 - T4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM 1B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6593.19 грн
5+5769.56 грн
10+4780.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOFHPSA1 INFNS29293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TZ600N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TZ600N16KOFHPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, 1.6kV, 1.05kA, 2.2V Vgt, 0.25A Igt, 17A Itsm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 600A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16855.60 грн
5+15904.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 INFN-S-A0004848098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.52 грн
10+212.10 грн
100+170.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21434-24LTXI 2143889.pdf
CY8C21434-24LTXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21434-24LTXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 32 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 28Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 512Byte
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 28I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+479.49 грн
10+410.17 грн
25+368.08 грн
50+337.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ24NPBF 139529.pdf
IRFIZ24NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.27 грн
15+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]