Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 262 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON INFNS16264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.79 грн
10+228.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+224.23 грн
50+145.71 грн
250+100.38 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.69 грн
10+288.17 грн
100+234.75 грн
500+194.68 грн
1000+148.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 INFINEON INFNS16280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.07 грн
10+272.79 грн
100+221.80 грн
500+192.42 грн
1000+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.41 грн
10+229.08 грн
100+165.13 грн
500+142.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1087097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.53 грн
65+12.47 грн
250+8.18 грн
1000+4.68 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.44 грн
28+28.98 грн
100+18.54 грн
500+12.93 грн
1000+10.55 грн
5000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 INFINEON Infineon-3D%20Magnetic%20Sensor-PB-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46261d5e6820161e7571b2b3dd0 Description: INFINEON - TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO 3D-Magnetsensor, boardinterner Debugger
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLV493D-A1B6
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLV493D-A1B6
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0000193372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.17 грн
10+216.13 грн
100+175.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.60 грн
29+28.90 грн
100+23.15 грн
500+18.42 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 BAT15099E6433HTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.52 грн
20+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.15 грн
500+18.42 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 BAT15099E6433HTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412S-TPBF PVT412S-TPBF INFINEON 2290910.pdf Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.16 грн
5+449.26 грн
10+422.55 грн
50+362.30 грн
100+323.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LPBF PVT412LPBF INFINEON pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b description Description: INFINEON - PVT412LPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.54 грн
5+410.40 грн
10+347.27 грн
50+299.16 грн
100+265.74 грн
250+258.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412PBF PVT412PBF INFINEON 2290910.pdf description Description: INFINEON - PVT412PBF - MOSFET-Relais, 400V, 140mA, 27R, SPST-NO
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.26 грн
5+401.50 грн
10+363.46 грн
20+331.48 грн
50+299.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF PVT412APBF INFINEON 2290909.pdf Description: INFINEON - PVT412APBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 240 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 240mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.26 грн
5+408.79 грн
10+384.50 грн
50+302.92 грн
100+269.90 грн
250+258.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON IRSD-S-A0001054338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVT412LSPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 120 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1
Durchlassstrom If: 25
Isolationsspannung: 4
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120
Produktpalette: HEXFET PVT412PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.63 грн
5+563.40 грн
10+492.16 грн
50+431.45 грн
100+373.98 грн
250+343.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412SPBF PVT412SPBF INFINEON 2290910.pdf description Description: INFINEON - PVT412SPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.69 грн
5+448.45 грн
10+405.55 грн
20+369.82 грн
50+335.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412AS-TPBF PVT412AS-TPBF INFINEON 665980.pdf Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.87 грн
5+507.54 грн
10+478.40 грн
50+409.65 грн
100+365.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412AS-TPBF PVT412AS-TPBF INFINEON 665980.pdf Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+478.40 грн
50+409.65 грн
100+365.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 INFINEON 3109943.pdf Description: INFINEON - KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC387, AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC387
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC387
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18885.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.55 грн
500+7.00 грн
1500+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 INFINEON infineon-lite-sbc-evaluation-board-getting-started-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 - Evaluationsboard, Schnittstelle, TLE9471-3ES, CAN, Kfz
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9471-3ES
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9471-3ES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Systembasis-Chip (SBC)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10863.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 INFINEON INFNS19096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.70 грн
10+118.18 грн
100+84.19 грн
500+62.24 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.38 грн
50+28.33 грн
250+18.21 грн
1000+11.35 грн
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF INFINEON INFN-S-A0003523308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.61 грн
50+24.93 грн
100+18.54 грн
500+16.84 грн
1500+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.42 грн
37+22.42 грн
100+15.46 грн
500+10.90 грн
1000+8.95 грн
5000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.42 грн
50+23.80 грн
250+15.14 грн
1000+9.40 грн
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.30 грн
50+19.59 грн
250+12.38 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.56 грн
38+21.45 грн
100+14.33 грн
500+10.00 грн
1000+8.26 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.77 грн
59+13.84 грн
100+9.88 грн
500+7.74 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.92 грн
28+29.55 грн
100+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.22 грн
500+10.60 грн
1000+8.74 грн
5000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.30 грн
50+30.11 грн
250+19.10 грн
1000+11.88 грн
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.77 грн
32+25.50 грн
100+16.11 грн
500+11.20 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.11 грн
500+11.20 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.53 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.94 грн
27+30.03 грн
100+21.53 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON IR2113SPBF.pdf description Description: INFINEON - IR2113PBF - MOSFET-Treiber, zweifach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.17 грн
10+217.75 грн
25+199.94 грн
50+176.64 грн
100+154.73 грн
250+145.71 грн
500+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON IR2113SPBF.pdf Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e description Description: INFINEON - IR2113SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.64 грн
10+286.55 грн
25+246.08 грн
50+221.74 грн
100+198.44 грн
250+184.56 грн
500+176.23 грн
1000+174.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.80 грн
50+110.09 грн
100+73.18 грн
500+63.44 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.18 грн
500+63.44 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON 786211.pdf Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON 786211.pdf Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON INFN-S-A0008993266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - PVT422SPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, DPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: DPST-NO (2 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT422 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Kontaktkonfiguration: DPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.96 грн
5+611.15 грн
10+576.35 грн
50+458.51 грн
100+410.75 грн
250+403.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.99 грн
10+116.56 грн
50+100.38 грн
100+78.17 грн
250+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.80 грн
10+98.76 грн
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.37 грн
10+130.33 грн
50+110.90 грн
100+84.19 грн
250+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6433HTMA1 BAS4005E6433HTMA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4005E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6433HTMA1 BAS4005E6433HTMA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4005E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC1400ARDUINOTOBO1 KITXMC1400ARDUINOTOBO1 INFINEON Infineon-KIT_XMC1400_AR_-_XMC1000_Family-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae23eb7fe5e5d Description: INFINEON - KITXMC1400ARDUINOTOBO1 - EVAL BOARD, 32BIT, ARM CORTEX-M0
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1400
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC1000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC1400
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2029.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.51 грн
10+128.71 грн
100+104.42 грн
500+77.42 грн
1000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 INFNS16264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.79 грн
10+228.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6727MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+224.23 грн
50+145.71 грн
250+100.38 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 4129357.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.69 грн
10+288.17 грн
100+234.75 грн
500+194.68 грн
1000+148.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 INFNS16280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.07 грн
10+272.79 грн
100+221.80 грн
500+192.42 грн
1000+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 INFNS16268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.41 грн
10+229.08 грн
100+165.13 грн
500+142.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1087097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.53 грн
65+12.47 грн
250+8.18 грн
1000+4.68 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.44 грн
28+28.98 грн
100+18.54 грн
500+12.93 грн
1000+10.55 грн
5000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 Infineon-3D%20Magnetic%20Sensor-PB-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46261d5e6820161e7571b2b3dd0
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO 3D-Magnetsensor, boardinterner Debugger
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLV493D-A1B6
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLV493D-A1B6
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2053.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 INFN-S-A0000193372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.17 грн
10+216.13 грн
100+175.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1502ELE6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.60 грн
29+28.90 грн
100+23.15 грн
500+18.42 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT15099E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.52 грн
20+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1502ELE6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.15 грн
500+18.42 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT15099E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412S-TPBF 2290910.pdf
PVT412S-TPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+475.16 грн
5+449.26 грн
10+422.55 грн
50+362.30 грн
100+323.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LPBF description pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b
PVT412LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412LPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+473.54 грн
5+410.40 грн
10+347.27 грн
50+299.16 грн
100+265.74 грн
250+258.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412PBF description 2290910.pdf
PVT412PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412PBF - MOSFET-Relais, 400V, 140mA, 27R, SPST-NO
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.26 грн
5+401.50 грн
10+363.46 грн
20+331.48 грн
50+299.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF 2290909.pdf
PVT412APBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412APBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 240 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 240mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+432.26 грн
5+408.79 грн
10+384.50 грн
50+302.92 грн
100+269.90 грн
250+258.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF IRSD-S-A0001054338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVT412LSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412LSPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 120 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1
Durchlassstrom If: 25
Isolationsspannung: 4
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120
Produktpalette: HEXFET PVT412PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+634.63 грн
5+563.40 грн
10+492.16 грн
50+431.45 грн
100+373.98 грн
250+343.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412SPBF description 2290910.pdf
PVT412SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412SPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+502.69 грн
5+448.45 грн
10+405.55 грн
20+369.82 грн
50+335.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412AS-TPBF 665980.pdf
PVT412AS-TPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+535.87 грн
5+507.54 грн
10+478.40 грн
50+409.65 грн
100+365.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412AS-TPBF 665980.pdf
PVT412AS-TPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+478.40 грн
50+409.65 грн
100+365.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 3109943.pdf
KITA2GTC3873V3TFTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC387, AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC387
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC387
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18885.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.55 грн
500+7.00 грн
1500+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 infineon-lite-sbc-evaluation-board-getting-started-usermanual-en.pdf
LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 - Evaluationsboard, Schnittstelle, TLE9471-3ES, CAN, Kfz
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9471-3ES
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9471-3ES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Systembasis-Chip (SBC)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10863.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SHXUMA1 INFNS19096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO080P03SHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.70 грн
10+118.18 грн
100+84.19 грн
500+62.24 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.38 грн
50+28.33 грн
250+18.21 грн
1000+11.35 грн
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF description INFN-S-A0003523308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLMS2002TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.61 грн
50+24.93 грн
100+18.54 грн
500+16.84 грн
1500+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.42 грн
37+22.42 грн
100+15.46 грн
500+10.90 грн
1000+8.95 грн
5000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF INFN-S-A0012905116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.42 грн
50+23.80 грн
250+15.14 грн
1000+9.40 грн
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.30 грн
50+19.59 грн
250+12.38 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF INFN-S-A0012905613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.56 грн
38+21.45 грн
100+14.33 грн
500+10.00 грн
1000+8.26 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF INFN-S-A0012905186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2246TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+24.77 грн
59+13.84 грн
100+9.88 грн
500+7.74 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF description INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLMS1503TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+47.92 грн
28+29.55 грн
100+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.22 грн
500+10.60 грн
1000+8.74 грн
5000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6344TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.30 грн
50+30.11 грн
250+19.10 грн
1000+11.88 грн
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF description INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLMS1503TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.77 грн
32+25.50 грн
100+16.11 грн
500+11.20 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.11 грн
500+11.20 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF 140795.pdf
IRLMS6802TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.53 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF 140795.pdf
IRLMS6802TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.94 грн
27+30.03 грн
100+21.53 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113PBF - MOSFET-Treiber, zweifach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.17 грн
10+217.75 грн
25+199.94 грн
50+176.64 грн
100+154.73 грн
250+145.71 грн
500+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+379.64 грн
10+286.55 грн
25+246.08 грн
50+221.74 грн
100+198.44 грн
250+184.56 грн
500+176.23 грн
1000+174.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.80 грн
50+110.09 грн
100+73.18 грн
500+63.44 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.18 грн
500+63.44 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF 786211.pdf
IRLZ44ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF 786211.pdf
IRLZ44ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF description INFN-S-A0008993266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVT422SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT422SPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, DPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: DPST-NO (2 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT422 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Kontaktkonfiguration: DPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+645.96 грн
5+611.15 грн
10+576.35 грн
50+458.51 грн
100+410.75 грн
250+403.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.99 грн
10+116.56 грн
50+100.38 грн
100+78.17 грн
250+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.80 грн
10+98.76 грн
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+202.37 грн
10+130.33 грн
50+110.90 грн
100+84.19 грн
250+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4005E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4005E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4005E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4005E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC1400ARDUINOTOBO1 Infineon-KIT_XMC1400_AR_-_XMC1000_Family-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae23eb7fe5e5d
KITXMC1400ARDUINOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC1400ARDUINOTOBO1 - EVAL BOARD, 32BIT, ARM CORTEX-M0
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1400
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC1000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC1400
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2029.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.51 грн
10+128.71 грн
100+104.42 грн
500+77.42 грн
1000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]