| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPI076N15N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FP25R12W1T7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY8C4147AZI-S455 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY8C4127AZI-S455 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4127AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 128 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IHW40N135R3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 Verlustleistung: 429 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP™ SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FS820R08A6P2BBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, AEC-Q101, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V Verlustleistung Pd: 714W euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FS820R08A6P2BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 820 A, 1.3 V, 714 W, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.3 Verlustleistung Pd: 714 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Produktpalette: HybridPACK IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] DC-Kollektorstrom: 820 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FF1800R12IE5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FF1800R12IE5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+ IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FF1800R17IP5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220Kapazitive Gesamtladung: 26.8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: CoolSiC 6G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTS5242-2L | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS5242-2L - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 28V, 40A, SOIC-12Durchlasswiderstand: 0.019 Überhitzungsschutz: - Strombegrenzung: 40 Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 28 Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLR8721TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLR8721TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, OberflächenmontageSVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PVT312LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312LPBF - MOSFET-Relais, 250V, 170mA, 15R, SPST-NOtariffCode: 85423990 Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: PC-Pin hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Durchsteckmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 170mA Produktpalette: HEXFET PVT312 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PVT312LS-TPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, OberflächenmontagetariffCode: 85364900 Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 170mA Produktpalette: HEXFET PVT312 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PVT312LS-TPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, OberflächenmontagetariffCode: 85364900 Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 4kV euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 170mA Produktpalette: HEXFET PVT312 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Durchlasswiderstand, max.: 15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PVT312SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312SPBF - MOSFET-Relais, 250V, 190mA, 10R, SPST-NOtariffCode: 85412900 Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 2µA Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 190mA Produktpalette: HEXFET PVT312 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C1380KV33-167AXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1380KV33-167AXI - SRAM, Pipelined-SRAM, 18 Mbit, 512K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Speicherdichte: 18Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 167MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 100Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pipelined-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 36 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CYUSB3014-BZXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXI - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: USB-Peripherie-Controller Anzahl der Pins: 121Pin(s) Übertragungsrate: 320Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CYUSB3014-BZXC | INFINEON |
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.15 V, 1.25 V, BGA, 121 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 1.15V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: USB-Peripherie-Controller Anzahl der Pins: 121Pin(s) Übertragungsrate: 5Gbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLS3034TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FF1200R12IE5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FF1200R17IP5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: PrimePACK 2 IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 1.2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FF1200R17IP5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, ModuletariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FF1200R12IE5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, ModultariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL128SAGBHIA00 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA00 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, BGAtariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45ZXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR3910TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KITAURIXTC234TFTTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITAURIXTC234TFTTOBO1 - Anwendungsboard, TC234TFT, 32 Bit, AURIX, TriCore-MCUtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Embedded rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: AURIX-Anwendungsplatine TC234TFT Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Unterart Anwendung: LCD-Anzeige usEccn: 3A991.a.2 Prozessorfamilie: AURIX euEccn: NLR Prozessorkern: TC234TFT Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: TriCore SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1, isolierter Gate-TreiberProzessorkern: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1 Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF60R217 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 58 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.7 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF60R217 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageSVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SC-74, 6 Pin(s), 5.5 VtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-74 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-SCHUTZDIODE, 5.3V, TSFPtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSFP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ESD5V3U2U Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSFP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ESD5V3U2U Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4315TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4315TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR2121PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2121PBF - Leistungstreiber, Low-Side, 12V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 7V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 23V Eingabeverzögerung: 150ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR2128SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2128SPBF - MOSFET-Treiber-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 150ns, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V Quellstrom: 250mA euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFR182E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFR182E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFR183E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFR183E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BB545E7904HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BB545E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 PinsKapazität: 2.2 Durchlassstrom, max.: 20 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: SOD-323 Sperrspannung: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: BB545 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR3709ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY8C20496A-24LQXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C20496A-24LQXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C20xx6A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 32 Pin(s), QFNtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 25Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 2KB MCU-Baureihe: CY8C20xx6A Anzahl der Ein-/Ausgänge: 25I/O(s) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C20xx6A Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPI076N15N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 318.48 грн |
| 10+ | 312.45 грн |
| 100+ | 153.21 грн |
| 500+ | 130.28 грн |
| FP25R12W1T7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3284.64 грн |
| 5+ | 2957.56 грн |
| 10+ | 2630.47 грн |
| CY8C4147AZI-S455 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 259.09 грн |
| 10+ | 248.76 грн |
| 25+ | 238.43 грн |
| 50+ | 211.81 грн |
| 100+ | 186.66 грн |
| CY8C4127AZI-S455 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4127AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4127AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 364.10 грн |
| 10+ | 257.37 грн |
| 25+ | 247.04 грн |
| 50+ | 219.80 грн |
| IHW40N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 370.99 грн |
| 10+ | 241.01 грн |
| 100+ | 185.06 грн |
| IHW40N135R3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS820R08A6P2BBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, AEC-Q101, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, AEC-Q101, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS820R08A6P2BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 820 A, 1.3 V, 714 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.3
Verlustleistung Pd: 714
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Produktpalette: HybridPACK
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 820
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 820 A, 1.3 V, 714 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.3
Verlustleistung Pd: 714
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Produktpalette: HybridPACK
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 820
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800R12IE5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 90379.36 грн |
| FF1800R12IE5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 47110.89 грн |
| FF1800R17IP5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 160530.96 грн |
| IDH20G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 732.50 грн |
| 5+ | 688.60 грн |
| 10+ | 644.71 грн |
| 50+ | 553.90 грн |
| 100+ | 469.23 грн |
| 250+ | 457.43 грн |
| BTS5242-2L | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS5242-2L - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 28V, 40A, SOIC-12
Durchlasswiderstand: 0.019
Überhitzungsschutz: -
Strombegrenzung: 40
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BTS5242-2L - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 28V, 40A, SOIC-12
Durchlasswiderstand: 0.019
Überhitzungsschutz: -
Strombegrenzung: 40
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8721TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8721TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.90 грн |
| 50+ | 70.15 грн |
| 250+ | 48.89 грн |
| 1000+ | 32.29 грн |
| 3000+ | 24.05 грн |
| PVT312LPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312LPBF - MOSFET-Relais, 250V, 170mA, 15R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PVT312LPBF - MOSFET-Relais, 250V, 170mA, 15R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 584.45 грн |
| 5+ | 522.48 грн |
| 10+ | 473.42 грн |
| 20+ | 430.81 грн |
| 50+ | 389.55 грн |
| PVT312LS-TPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 545.72 грн |
| 5+ | 516.45 грн |
| 10+ | 487.19 грн |
| 50+ | 417.22 грн |
| 100+ | 369.63 грн |
| 250+ | 355.62 грн |
| PVT312LS-TPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 487.19 грн |
| 50+ | 417.22 грн |
| 100+ | 369.63 грн |
| 250+ | 355.62 грн |
| PVT312SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312SPBF - MOSFET-Relais, 250V, 190mA, 10R, SPST-NO
tariffCode: 85412900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 2µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 190mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - PVT312SPBF - MOSFET-Relais, 250V, 190mA, 10R, SPST-NO
tariffCode: 85412900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 2µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 190mA
Produktpalette: HEXFET PVT312 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 500.96 грн |
| 5+ | 422.63 грн |
| 10+ | 405.42 грн |
| 20+ | 340.49 грн |
| 50+ | 307.66 грн |
| CY7C1380KV33-167AXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1380KV33-167AXI - SRAM, Pipelined-SRAM, 18 Mbit, 512K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 18Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 167MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pipelined-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1380KV33-167AXI - SRAM, Pipelined-SRAM, 18 Mbit, 512K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 18Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 167MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pipelined-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3119.38 грн |
| 5+ | 3039.33 грн |
| 10+ | 2958.42 грн |
| 25+ | 2669.57 грн |
| CYUSB3014-BZXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXI - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pin(s)
Übertragungsrate: 320Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXI - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pin(s)
Übertragungsrate: 320Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3304.44 грн |
| 5+ | 2998.87 грн |
| 10+ | 2693.30 грн |
| 25+ | 2359.45 грн |
| 50+ | 2134.43 грн |
| CYUSB3014-BZXC |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.15 V, 1.25 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.15V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pin(s)
Übertragungsrate: 5Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.15 V, 1.25 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.15V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pin(s)
Übertragungsrate: 5Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2576.24 грн |
| 5+ | 2410.12 грн |
| 10+ | 2243.13 грн |
| 25+ | 1988.59 грн |
| 50+ | 1798.73 грн |
| IRLS3034TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 247.04 грн |
| 10+ | 178.18 грн |
| 100+ | 128.25 грн |
| FF1200R12IE5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 61711.89 грн |
| FF1200R17IP5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 89862.91 грн |
| FF1200R17IP5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 67725.99 грн |
| FF1200R12IE5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 41940.33 грн |
| 2+ | 36697.46 грн |
| S25FL128SAGBHIA00 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA00 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, BGA
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA00 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, BGA
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 279.75 грн |
| 10+ | 258.23 грн |
| 25+ | 252.20 грн |
| 50+ | 225.40 грн |
| 100+ | 200.68 грн |
| 250+ | 196.25 грн |
| 500+ | 188.14 грн |
| 1000+ | 184.45 грн |
| CY62128ELL-45SXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 321.06 грн |
| 10+ | 280.61 грн |
| 25+ | 232.40 грн |
| 50+ | 193.42 грн |
| 100+ | 165.27 грн |
| 250+ | 154.20 грн |
| 500+ | 145.34 грн |
| CY62128ELL-45ZXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 204.00 грн |
| 10+ | 190.23 грн |
| 25+ | 183.34 грн |
| 50+ | 168.65 грн |
| 100+ | 154.20 грн |
| 250+ | 149.77 грн |
| 500+ | 142.39 грн |
| CY62128ELL-45SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 337.42 грн |
| 10+ | 295.24 грн |
| 25+ | 244.45 грн |
| 50+ | 203.81 грн |
| 100+ | 173.38 грн |
| 250+ | 162.31 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 88.66 грн |
| 14+ | 63.35 грн |
| 100+ | 55.35 грн |
| 500+ | 48.44 грн |
| BSD316SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.02 грн |
| 77+ | 11.19 грн |
| 132+ | 6.52 грн |
| 500+ | 5.59 грн |
| 1000+ | 4.81 грн |
| 5000+ | 3.61 грн |
| BSD316SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.59 грн |
| 1000+ | 4.81 грн |
| 5000+ | 3.61 грн |
| KITAURIXTC234TFTTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITAURIXTC234TFTTOBO1 - Anwendungsboard, TC234TFT, 32 Bit, AURIX, TriCore-MCU
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Embedded
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: AURIX-Anwendungsplatine TC234TFT
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LCD-Anzeige
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC234TFT
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KITAURIXTC234TFTTOBO1 - Anwendungsboard, TC234TFT, 32 Bit, AURIX, TriCore-MCU
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Embedded
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: AURIX-Anwendungsplatine TC234TFT
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LCD-Anzeige
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC234TFT
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17456.99 грн |
| EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1, isolierter Gate-Treiber
Prozessorkern: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1, isolierter Gate-Treiber
Prozessorkern: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11482.48 грн |
| IRF60R217 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF60R217 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SC-74, 6 Pin(s), 5.5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SC-74, 6 Pin(s), 5.5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 47.17 грн |
| 30+ | 29.61 грн |
| 100+ | 26.17 грн |
| 500+ | 21.02 грн |
| 1000+ | 16.45 грн |
| ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.78 грн |
| 500+ | 7.46 грн |
| ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-SCHUTZDIODE, 5.3V, TSFP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD5V3U2U Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-SCHUTZDIODE, 5.3V, TSFP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD5V3U2U Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.53 грн |
| 29+ | 29.70 грн |
| 100+ | 22.72 грн |
| 500+ | 15.75 грн |
| 1000+ | 13.58 грн |
| 5000+ | 11.58 грн |
| ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 30.21 грн |
| 44+ | 19.97 грн |
| 100+ | 8.78 грн |
| 500+ | 7.46 грн |
| ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD5V3U2U Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD5V3U2U Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.72 грн |
| 500+ | 15.75 грн |
| 1000+ | 13.58 грн |
| 5000+ | 11.58 грн |
| IRFL4315TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 56.90 грн |
| 50+ | 42.44 грн |
| 100+ | 30.82 грн |
| 500+ | 26.46 грн |
| 1000+ | 22.65 грн |
| IRFL4315TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.82 грн |
| 500+ | 26.46 грн |
| 1000+ | 22.65 грн |
| BFR193FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 7.08 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 64.99 грн |
| 15+ | 58.19 грн |
| 100+ | 55.86 грн |
| 500+ | 49.71 грн |
| 1000+ | 43.60 грн |
| 5000+ | 43.31 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 55.86 грн |
| 500+ | 49.71 грн |
| 1000+ | 43.60 грн |
| 5000+ | 43.31 грн |
| IR2121PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2121PBF - Leistungstreiber, Low-Side, 12V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 23V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IR2121PBF - Leistungstreiber, Low-Side, 12V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 23V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.45 грн |
| 10+ | 183.34 грн |
| 25+ | 159.24 грн |
| 50+ | 140.67 грн |
| 100+ | 123.21 грн |
| 250+ | 117.31 грн |
| 500+ | 112.88 грн |
| 1000+ | 106.24 грн |
| IR2128SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2128SPBF - MOSFET-Treiber-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IR2128SPBF - MOSFET-Treiber-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 197.97 грн |
| 10+ | 166.99 грн |
| 50+ | 156.66 грн |
| 100+ | 135.08 грн |
| 250+ | 117.31 грн |
| 500+ | 105.50 грн |
| 1000+ | 96.65 грн |
| 2500+ | 87.80 грн |
| BFR182E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.56 грн |
| 56+ | 15.49 грн |
| 250+ | 12.31 грн |
| 1000+ | 10.31 грн |
| BFR182E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.49 грн |
| 250+ | 12.31 грн |
| 1000+ | 10.31 грн |
| BFR183E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 35.98 грн |
| BFR183E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKP15N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7351TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.95 грн |
| 50+ | 84.78 грн |
| 250+ | 71.36 грн |
| 1000+ | 53.95 грн |
| BB545E7904HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB545E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
Kapazität: 2.2
Durchlassstrom, max.: 20
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: SOD-323
Sperrspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BB545
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BB545E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
Kapazität: 2.2
Durchlassstrom, max.: 20
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: SOD-323
Sperrspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BB545
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR3709ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 88.66 грн |
| CY8C20496A-24LQXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C20496A-24LQXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C20xx6A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 32 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 25Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C20xx6A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 25I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C20xx6A Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C20496A-24LQXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C20xx6A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 32 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 25Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C20xx6A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 25I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C20xx6A Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 531.95 грн |
| 10+ | 409.72 грн |
| 25+ | 377.87 грн |









































