Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25021) > Сторінка 418 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 413 414 415 416 417 418
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 INFINEON 4406525.pdf Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1 4406525.pdf
IMZA65R007M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 413 414 415 416 417 418