Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 266 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1 IPN60R1K0PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2 Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.52 грн
20+43.17 грн
100+29.11 грн
500+19.70 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1 IPN60R1K0PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2 Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.11 грн
500+19.70 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1 IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON 3163575.pdf Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.52 грн
19+44.08 грн
100+29.68 грн
500+19.39 грн
1000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c5b5c39ec Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.72 грн
13+67.10 грн
100+43.75 грн
500+31.31 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.85 грн
24+35.61 грн
100+27.88 грн
500+19.32 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.12 грн
28+29.52 грн
100+19.65 грн
500+15.50 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.88 грн
500+19.32 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.79 грн
32+25.90 грн
100+18.34 грн
500+15.58 грн
1000+13.46 грн
5000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.85 грн
50+61.34 грн
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
50+74.99 грн
100+48.84 грн
500+34.89 грн
1500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.49 грн
18+47.61 грн
100+31.41 грн
500+22.60 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.95 грн
19+44.98 грн
100+29.19 грн
500+20.77 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.55 грн
500+21.15 грн
1000+12.97 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.74 грн
50+42.84 грн
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.10 грн
500+20.85 грн
1500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
21+40.21 грн
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.34 грн
19+44.90 грн
100+27.55 грн
500+21.15 грн
1000+12.97 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF IR2130STRPBF INFINEON INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.27 грн
10+190.77 грн
25+175.15 грн
50+155.00 грн
100+136.03 грн
250+128.28 грн
500+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.78 грн
10+231.07 грн
25+191.60 грн
50+159.58 грн
100+136.03 грн
250+126.87 грн
500+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF IR2132STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2132STRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 425ns Ein/Aus, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.56 грн
10+194.06 грн
25+177.62 грн
50+157.29 грн
100+137.44 грн
250+130.39 грн
500+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
11+81.65 грн
50+73.27 грн
100+60.32 грн
250+52.23 грн
500+50.25 грн
1000+48.63 грн
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF IR21834STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR21834STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 1.4Aout Spitze, 220ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF IR2181STRPBF INFINEON INFN-S-A0009261158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.46 грн
50+111.01 грн
100+99.50 грн
500+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF IR2175STRPBF INFINEON 60009.pdf Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.12 грн
10+236.00 грн
25+216.26 грн
50+190.89 грн
100+167.04 грн
250+157.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IR2118STRPBF INFINEON IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.35 грн
50+109.37 грн
100+96.21 грн
500+83.23 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF IR2183STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.64 грн
50+111.01 грн
100+99.50 грн
500+83.99 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF IR21084STRPBF INFINEON 59968.pdf Description: INFINEON - IR21084STRPBF - MOSFET- & IGBT-Treiber, Halbbrücke, 625V Offset, 10V-20V Gatterspannung, CMOS & LSTTL, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.85 грн
10+199.82 грн
50+181.73 грн
100+151.95 грн
250+124.75 грн
500+109.25 грн
1000+93.74 грн
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF IR2156STRPBF INFINEON 1706377.pdf Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.46 грн
10+122.52 грн
50+109.37 грн
100+84.76 грн
250+74.01 грн
500+71.89 грн
1000+66.11 грн
2500+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF IR2156STRPBF INFINEON 1706377.pdf Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.76 грн
250+74.01 грн
500+71.89 грн
1000+66.11 грн
2500+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.97 грн
10+113.48 грн
50+95.39 грн
100+72.39 грн
250+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 39976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.32 грн
12+70.72 грн
100+58.88 грн
500+42.45 грн
1000+38.77 грн
5000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.12 грн
11+76.39 грн
100+52.13 грн
500+37.19 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.88 грн
12+72.86 грн
100+51.15 грн
500+35.35 грн
1000+28.40 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.14 грн
13+63.40 грн
100+42.10 грн
500+30.85 грн
1000+25.66 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+236.00 грн
50+146.37 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.63 грн
15+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.99 грн
50+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.57 грн
50+108.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+276.29 грн
50+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.24 грн
50+94.56 грн
250+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.77 грн
250+110.19 грн
1000+76.36 грн
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+314.94 грн
50+208.04 грн
250+151.30 грн
1000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.04 грн
250+151.30 грн
1000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.56 грн
250+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
50+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+60.52 грн
20+43.17 грн
100+29.11 грн
500+19.70 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+29.11 грн
500+19.70 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1 3163575.pdf
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.52 грн
19+44.08 грн
100+29.68 грн
500+19.39 грн
1000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c5b5c39ec
IPN60R600PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+107.72 грн
13+67.10 грн
100+43.75 грн
500+31.31 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+54.85 грн
24+35.61 грн
100+27.88 грн
500+19.32 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN50R2K0CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+47.12 грн
28+29.52 грн
100+19.65 грн
500+15.50 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
IPN50R2K0CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.88 грн
500+19.32 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+27.79 грн
32+25.90 грн
100+18.34 грн
500+15.58 грн
1000+13.46 грн
5000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.85 грн
50+61.34 грн
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
50+74.99 грн
100+48.84 грн
500+34.89 грн
1500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+75.49 грн
18+47.61 грн
100+31.41 грн
500+22.60 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+71.95 грн
19+44.98 грн
100+29.19 грн
500+20.77 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.55 грн
500+21.15 грн
1000+12.97 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+68.74 грн
50+42.84 грн
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+30.10 грн
500+20.85 грн
1500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
21+40.21 грн
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+55.34 грн
19+44.90 грн
100+27.55 грн
500+21.15 грн
1000+12.97 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2130STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+253.27 грн
10+190.77 грн
25+175.15 грн
50+155.00 грн
100+136.03 грн
250+128.28 грн
500+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+264.78 грн
10+231.07 грн
25+191.60 грн
50+159.58 грн
100+136.03 грн
250+126.87 грн
500+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF INFN-S-A0008964808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2132STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2132STRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 425ns Ein/Aus, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+256.56 грн
10+194.06 грн
25+177.62 грн
50+157.29 грн
100+137.44 грн
250+130.39 грн
500+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description 59961.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.01 грн
11+81.65 грн
50+73.27 грн
100+60.32 грн
250+52.23 грн
500+50.25 грн
1000+48.63 грн
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF 133039.pdf
IR21834STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21834STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 1.4Aout Spitze, 220ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF INFN-S-A0009261158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2181STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+164.46 грн
50+111.01 грн
100+99.50 грн
500+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF 60009.pdf
IR2175STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+314.12 грн
10+236.00 грн
25+216.26 грн
50+190.89 грн
100+167.04 грн
250+157.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2118STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+160.35 грн
50+109.37 грн
100+96.21 грн
500+83.23 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF 133039.pdf
IR2183STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+163.64 грн
50+111.01 грн
100+99.50 грн
500+83.99 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF 59968.pdf
IR21084STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21084STRPBF - MOSFET- & IGBT-Treiber, Halbbrücke, 625V Offset, 10V-20V Gatterspannung, CMOS & LSTTL, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+296.85 грн
10+199.82 грн
50+181.73 грн
100+151.95 грн
250+124.75 грн
500+109.25 грн
1000+93.74 грн
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF 1706377.pdf
IR2156STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+164.46 грн
10+122.52 грн
50+109.37 грн
100+84.76 грн
250+74.01 грн
500+71.89 грн
1000+66.11 грн
2500+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF 1706377.pdf
IR2156STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+84.76 грн
250+74.01 грн
500+71.89 грн
1000+66.11 грн
2500+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+175.97 грн
10+113.48 грн
50+95.39 грн
100+72.39 грн
250+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF 2043041.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 39976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+137.32 грн
12+70.72 грн
100+58.88 грн
500+42.45 грн
1000+38.77 грн
5000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+115.12 грн
11+76.39 грн
100+52.13 грн
500+37.19 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.88 грн
12+72.86 грн
100+51.15 грн
500+35.35 грн
1000+28.40 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.14 грн
13+63.40 грн
100+42.10 грн
500+30.85 грн
1000+25.66 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+236.00 грн
50+146.37 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+89.63 грн
15+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.99 грн
50+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+168.57 грн
50+108.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+276.29 грн
50+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC190N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+156.24 грн
50+94.56 грн
250+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+153.77 грн
250+110.19 грн
1000+76.36 грн
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 2312610.pdf
BSC13DN30NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+314.94 грн
50+208.04 грн
250+151.30 грн
1000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 2312610.pdf
BSC13DN30NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+208.04 грн
250+151.30 грн
1000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC190N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+94.56 грн
250+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
50+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]