Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 266 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.99 грн
24+35.05 грн
100+27.44 грн
500+19.02 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.38 грн
28+29.06 грн
100+19.35 грн
500+15.26 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.44 грн
500+19.02 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.36 грн
32+25.50 грн
100+18.05 грн
500+15.33 грн
1000+13.25 грн
5000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.33 грн
50+60.39 грн
100+39.66 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
50+73.82 грн
100+48.08 грн
500+34.35 грн
1500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.31 грн
18+46.87 грн
100+30.92 грн
500+22.25 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.61 грн
500+31.34 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.83 грн
19+44.28 грн
100+28.74 грн
500+20.45 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.12 грн
500+20.82 грн
1000+12.77 грн
2000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.67 грн
50+42.17 грн
100+27.28 грн
500+19.39 грн
1500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.28 грн
500+19.39 грн
1500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.63 грн
500+20.52 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.91 грн
16+53.51 грн
100+41.61 грн
500+31.34 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.48 грн
19+44.20 грн
100+27.12 грн
500+20.82 грн
1000+12.77 грн
2000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF IR2130STRPBF INFINEON INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.51 грн
10+212.89 грн
25+195.89 грн
50+172.88 грн
100+151.26 грн
250+142.93 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.65 грн
10+227.46 грн
25+188.61 грн
50+157.10 грн
100+133.91 грн
250+124.89 грн
500+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF IR2132STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2132STRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 425ns Ein/Aus, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.89 грн
10+212.08 грн
25+194.27 грн
50+172.13 грн
100+150.56 грн
250+142.24 грн
500+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.23 грн
10+89.04 грн
50+80.14 грн
100+66.00 грн
250+57.17 грн
500+54.88 грн
1000+53.15 грн
2500+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF IR21834STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR21834STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 1.4Aout Spitze, 220ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF IR2181STRPBF INFINEON INFN-S-A0009261158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.47 грн
50+119.80 грн
100+107.66 грн
500+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF IR2175STRPBF INFINEON 60009.pdf Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.22 грн
10+232.32 грн
25+212.89 грн
50+187.91 грн
100+164.44 грн
250+155.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IR2118STRPBF INFINEON IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.85 грн
50+107.66 грн
100+94.71 грн
500+81.93 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF IR2183STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.89 грн
50+121.42 грн
100+109.28 грн
500+91.70 грн
1000+81.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF IR21084STRPBF INFINEON 59968.pdf Description: INFINEON - IR21084STRPBF - MOSFET- & IGBT-Treiber, Halbbrücke, 625V Offset, 10V-20V Gatterspannung, CMOS & LSTTL, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.22 грн
10+196.70 грн
50+178.89 грн
100+149.58 грн
250+122.81 грн
500+107.54 грн
1000+92.28 грн
2500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF IR2156STRPBF INFINEON 1706377.pdf Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.75 грн
10+123.85 грн
50+112.52 грн
100+85.69 грн
250+75.63 грн
500+72.16 грн
1000+65.08 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF IR2156STRPBF INFINEON 1706377.pdf Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.69 грн
250+75.63 грн
500+72.16 грн
1000+65.08 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.85 грн
10+124.66 грн
50+105.23 грн
100+78.92 грн
250+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.99 грн
13+65.08 грн
100+58.20 грн
500+41.94 грн
1000+36.08 грн
5000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.42 грн
10+81.76 грн
100+55.69 грн
500+41.12 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.80 грн
11+76.25 грн
100+50.59 грн
500+35.70 грн
1000+29.63 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.90 грн
12+69.29 грн
100+45.98 грн
500+33.75 грн
1000+28.03 грн
5000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+243.65 грн
50+151.37 грн
250+108.47 грн
1000+75.17 грн
3000+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.23 грн
15+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
50+100.38 грн
250+71.07 грн
1000+44.87 грн
3000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.94 грн
50+106.85 грн
250+71.56 грн
1000+49.38 грн
3000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.66 грн
50+90.66 грн
250+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+271.98 грн
50+187.80 грн
250+144.90 грн
1000+108.99 грн
3000+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.80 грн
50+93.09 грн
250+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.37 грн
250+108.47 грн
1000+75.17 грн
3000+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.85 грн
250+71.56 грн
1000+49.38 грн
3000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.66 грн
250+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.80 грн
250+144.90 грн
1000+108.99 грн
3000+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+310.03 грн
50+204.80 грн
250+148.94 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.80 грн
250+148.94 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.09 грн
250+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.38 грн
250+71.07 грн
1000+44.87 грн
3000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.54 грн
250+57.63 грн
1000+46.98 грн
3000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.76 грн
50+66.54 грн
250+57.63 грн
1000+46.98 грн
3000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.23 грн
10+110.90 грн
100+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM20F60GAXKMA1 IGCM20F60GAXKMA1 INFINEON Infineon-IGCM20F60GA-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb1efd587879 Description: INFINEON - IGCM20F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/20A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1051.51 грн
5+877.47 грн
10+703.44 грн
50+615.61 грн
100+532.87 грн
250+498.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM06F60GAXKMA1 IGCM06F60GAXKMA1 INFINEON INFN-S-A0017689075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGCM06F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/6A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 6A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.77 грн
5+610.35 грн
10+505.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GAXKMA1 INFINEON Infineon-IGCM10F60GA-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb0cba6d7856 Description: INFINEON - IGCM10F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/10A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.52 грн
5+815.95 грн
10+716.39 грн
50+609.59 грн
100+511.36 грн
250+500.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HAXKMA1 INFINEON Infineon-IGCM04G60HA-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcaf11fdf7804 Description: INFINEON - IGCM04G60HAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 9.5V-13.0V, 600V/4A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 4A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+709.91 грн
5+586.87 грн
10+463.02 грн
50+380.34 грн
100+304.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+53.99 грн
24+35.05 грн
100+27.44 грн
500+19.02 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN50R2K0CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.38 грн
28+29.06 грн
100+19.35 грн
500+15.26 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
IPN50R2K0CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.44 грн
500+19.02 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.36 грн
32+25.50 грн
100+18.05 грн
500+15.33 грн
1000+13.25 грн
5000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.33 грн
50+60.39 грн
100+39.66 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.18 грн
50+73.82 грн
100+48.08 грн
500+34.35 грн
1500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.31 грн
18+46.87 грн
100+30.92 грн
500+22.25 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.61 грн
500+31.34 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.83 грн
19+44.28 грн
100+28.74 грн
500+20.45 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.12 грн
500+20.82 грн
1000+12.77 грн
2000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+67.67 грн
50+42.17 грн
100+27.28 грн
500+19.39 грн
1500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.28 грн
500+19.39 грн
1500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.63 грн
500+20.52 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+73.91 грн
16+53.51 грн
100+41.61 грн
500+31.34 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.48 грн
19+44.20 грн
100+27.12 грн
500+20.82 грн
1000+12.77 грн
2000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2130STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+282.51 грн
10+212.89 грн
25+195.89 грн
50+172.88 грн
100+151.26 грн
250+142.93 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.65 грн
10+227.46 грн
25+188.61 грн
50+157.10 грн
100+133.91 грн
250+124.89 грн
500+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF INFN-S-A0008964808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2132STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2132STRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 425ns Ein/Aus, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.89 грн
10+212.08 грн
25+194.27 грн
50+172.13 грн
100+150.56 грн
250+142.24 грн
500+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description 59961.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.23 грн
10+89.04 грн
50+80.14 грн
100+66.00 грн
250+57.17 грн
500+54.88 грн
1000+53.15 грн
2500+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF 133039.pdf
IR21834STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21834STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 1.4Aout Spitze, 220ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF INFN-S-A0009261158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2181STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.47 грн
50+119.80 грн
100+107.66 грн
500+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF 60009.pdf
IR2175STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+309.22 грн
10+232.32 грн
25+212.89 грн
50+187.91 грн
100+164.44 грн
250+155.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2118STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.85 грн
50+107.66 грн
100+94.71 грн
500+81.93 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF 133039.pdf
IR2183STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.89 грн
50+121.42 грн
100+109.28 грн
500+91.70 грн
1000+81.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF 59968.pdf
IR21084STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21084STRPBF - MOSFET- & IGBT-Treiber, Halbbrücke, 625V Offset, 10V-20V Gatterspannung, CMOS & LSTTL, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.22 грн
10+196.70 грн
50+178.89 грн
100+149.58 грн
250+122.81 грн
500+107.54 грн
1000+92.28 грн
2500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF 1706377.pdf
IR2156STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.75 грн
10+123.85 грн
50+112.52 грн
100+85.69 грн
250+75.63 грн
500+72.16 грн
1000+65.08 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF 1706377.pdf
IR2156STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2156STRPBF - Controller für Vorschaltgerät, -25°C bis 125°C, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Vorschaltgerät: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.69 грн
250+75.63 грн
500+72.16 грн
1000+65.08 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.85 грн
10+124.66 грн
50+105.23 грн
100+78.92 грн
250+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF 2043041.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.99 грн
13+65.08 грн
100+58.20 грн
500+41.94 грн
1000+36.08 грн
5000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRSDS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.42 грн
10+81.76 грн
100+55.69 грн
500+41.12 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.80 грн
11+76.25 грн
100+50.59 грн
500+35.70 грн
1000+29.63 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.90 грн
12+69.29 грн
100+45.98 грн
500+33.75 грн
1000+28.03 грн
5000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+243.65 грн
50+151.37 грн
250+108.47 грн
1000+75.17 грн
3000+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.23 грн
15+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.47 грн
50+100.38 грн
250+71.07 грн
1000+44.87 грн
3000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.94 грн
50+106.85 грн
250+71.56 грн
1000+49.38 грн
3000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.66 грн
50+90.66 грн
250+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+271.98 грн
50+187.80 грн
250+144.90 грн
1000+108.99 грн
3000+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC190N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.80 грн
50+93.09 грн
250+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.37 грн
250+108.47 грн
1000+75.17 грн
3000+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.85 грн
250+71.56 грн
1000+49.38 грн
3000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.66 грн
250+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.80 грн
250+144.90 грн
1000+108.99 грн
3000+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 2312610.pdf
BSC13DN30NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+310.03 грн
50+204.80 грн
250+148.94 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 2312610.pdf
BSC13DN30NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+204.80 грн
250+148.94 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC190N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.09 грн
250+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.38 грн
250+71.07 грн
1000+44.87 грн
3000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.54 грн
250+57.63 грн
1000+46.98 грн
3000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.76 грн
50+66.54 грн
250+57.63 грн
1000+46.98 грн
3000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.23 грн
10+110.90 грн
100+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM20F60GAXKMA1 Infineon-IGCM20F60GA-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb1efd587879
IGCM20F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGCM20F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/20A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1051.51 грн
5+877.47 грн
10+703.44 грн
50+615.61 грн
100+532.87 грн
250+498.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM06F60GAXKMA1 INFN-S-A0017689075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGCM06F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGCM06F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/6A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 6A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+714.77 грн
5+610.35 грн
10+505.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 Infineon-IGCM10F60GA-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb0cba6d7856
IGCM10F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGCM10F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/10A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+915.52 грн
5+815.95 грн
10+716.39 грн
50+609.59 грн
100+511.36 грн
250+500.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 Infineon-IGCM04G60HA-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcaf11fdf7804
IGCM04G60HAXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGCM04G60HAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 9.5V-13.0V, 600V/4A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 4A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Mini
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+709.91 грн
5+586.87 грн
10+463.02 грн
50+380.34 грн
100+304.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]