Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25910) > Сторінка 410 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DD340N16SHPSA1 DD340N16SHPSA1 INFINEON 2354595.pdf Description: INFINEON - DD340N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 330 A, 1.31 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.31V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 IPW80R360P7XKSA1 INFINEON 2327445.pdf Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+293.20 грн
10+287.90 грн
100+132.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.58 грн
10+165.15 грн
100+127.17 грн
500+104.15 грн
1000+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.64 грн
11+81.07 грн
100+54.84 грн
500+40.43 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.31 грн
20+46.10 грн
100+31.79 грн
500+26.24 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.24 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2 IPD90R1K2C3ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90R1K2C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f13d4a88e0220 Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.51 грн
10+113.92 грн
100+76.30 грн
500+56.42 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2 IPD90R1K2C3ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90R1K2C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f13d4a88e0220 Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.30 грн
500+56.42 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 BGT24ATR22E6433XUMA1 INFINEON 4379514.pdf Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+826.62 грн
25+784.23 грн
50+696.23 грн
100+613.15 грн
250+601.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70901EPLXUMA1 BTG70901EPLXUMA1 INFINEON 3920471.pdf Description: INFINEON - BTG70901EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 4.34A, 0.09 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.34A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.61 грн
14+67.56 грн
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752TFUMA1 ISP752TFUMA1 INFINEON 1836358.pdf Description: INFINEON - ISP752TFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 52V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 52V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.10 грн
250+57.30 грн
500+55.03 грн
1000+51.25 грн
2500+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.49 грн
250+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON IR2113SPBF.pdf description Description: INFINEON - IR2110STRPBF - Treiber, 2fach, High-Side, Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5AOut, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.07 грн
250+136.26 грн
500+131.71 грн
1000+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70502EPLXUMA1 BTG70502EPLXUMA1 INFINEON 3920472.pdf Description: INFINEON - BTG70502EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 2 Ausgänge, 8.86A, 0.05 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 8.86A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70502EPLXUMA1 BTG70502EPLXUMA1 INFINEON 3920472.pdf Description: INFINEON - BTG70502EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 2 Ausgänge, 8.86A, 0.05 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 8.86A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.32 грн
10+144.83 грн
50+128.94 грн
100+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 1EDS5663HXUMA1 INFINEON 2711529.pdf Description: INFINEON - 1EDS5663HXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: GaN EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.17 грн
250+101.43 грн
500+84.02 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S-TPBF PVG612S-TPBF INFINEON INFN-S-A0008993438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVG612S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 1 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 1A
Produktpalette: HEXFET PVG612 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+641.16 грн
50+560.10 грн
100+498.85 грн
250+476.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752RFUMA1 ISP752RFUMA1 INFINEON 2331885.pdf Description: INFINEON - ISP752RFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 4.5A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.26 грн
250+53.14 грн
500+51.10 грн
1000+49.43 грн
2500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.69 грн
500+17.39 грн
1500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.03 грн
250+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 INFINEON 2333563.pdf Description: INFINEON - IKP08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 70 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.80 грн
10+125.41 грн
100+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDSMFV000 S25FL128SDSMFV000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SDSMFV000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 80MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.38 грн
10+279.96 грн
25+275.54 грн
50+251.76 грн
100+224.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV000 S25FL128SAGNFV000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGNFV000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.40 грн
10+294.09 грн
25+284.37 грн
50+258.32 грн
100+233.15 грн
250+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHV200 S25FL128SAGBHV200 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGBHV200 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.93 грн
10+246.40 грн
25+230.50 грн
50+207.47 грн
100+187.73 грн
250+174.86 грн
500+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 S25FL128LAGMFA010 INFINEON INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128LAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.34 грн
10+174.86 грн
25+166.03 грн
50+152.53 грн
100+139.28 грн
250+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA000 S25FL128SAGNFA000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGNFA000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.36 грн
10+256.11 грн
25+250.81 грн
50+227.98 грн
100+205.90 грн
250+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHIZ00 S25FL128SAGBHIZ00 INFINEON INFN-S-A0011122469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIZ00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.21 грн
10+223.43 грн
25+217.25 грн
50+196.81 грн
100+177.89 грн
250+165.78 грн
500+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFA000 S25FL128SAGMFA000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGMFA000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.12 грн
10+260.53 грн
25+257.88 грн
50+235.36 грн
100+211.20 грн
250+207.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFM010 S25FL128LAGNFM010 INFINEON INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128LAGNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.62 грн
10+213.72 грн
25+208.42 грн
50+189.43 грн
100+170.32 грн
250+161.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDPMFIG11 S25FL128SDPMFIG11 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SDPMFIG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+292.32 грн
10+272.89 грн
25+259.64 грн
50+235.36 грн
100+195.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFM000 S25FL128SAGMFM000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGMFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.00 грн
10+363.85 грн
25+358.55 грн
50+317.36 грн
100+274.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFB010 S25FL128LAGNFB010 INFINEON INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128LAGNFB010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.89 грн
10+190.76 грн
25+181.93 грн
50+167.29 грн
100+152.15 грн
250+143.83 грн
500+140.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFMG00 S25FL128SAGMFMG00 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGMFMG00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.79 грн
10+332.06 грн
25+323.23 грн
50+292.76 грн
100+263.43 грн
250+255.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHBA00 S25FL128SAGBHBA00 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGBHBA00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.36 грн
10+314.40 грн
25+304.68 грн
50+277.18 грн
100+249.80 грн
250+239.20 грн
500+233.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFB000 S25FL128SAGMFB000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGMFB000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.23 грн
10+302.92 грн
25+295.85 грн
50+265.70 грн
100+228.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV010 S25FL128SAGNFV010 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGNFV010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.40 грн
10+294.09 грн
25+284.37 грн
50+258.32 грн
100+233.15 грн
250+222.55 грн
500+218.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFB010 S25FL128LAGMFB010 INFINEON INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128LAGMFB010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.01 грн
10+190.76 грн
25+181.04 грн
50+166.47 грн
100+151.40 грн
250+146.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM000 S25FL128SAGNFM000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGNFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.10 грн
10+351.49 грн
25+340.89 грн
50+309.16 грн
100+277.05 грн
250+267.21 грн
500+260.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1 IDK20G120C5XTMA1 INFINEON 3154658.pdf Description: INFINEON - IDK20G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.13 грн
5+580.22 грн
10+480.43 грн
50+394.45 грн
100+315.66 грн
250+309.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DZ435N40KHPSA1 DZ435N40KHPSA1 INFINEON Infineon-DZ435N-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124e2ccd4426304 Description: INFINEON - DZ435N40KHPSA1 - Diodenmodul, 4 kV, 435 A, 1.71 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 14.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.71V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 435A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 4kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20085.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 INFINEON BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.52 грн
500+44.45 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904E6327HTSA1 SMBT3904E6327HTSA1 INFINEON 1932449.pdf Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.22 грн
1000+4.26 грн
27000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.88 грн
10+211.07 грн
50+189.88 грн
200+155.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+189.88 грн
200+155.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 INFINEON INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.14 грн
200+177.95 грн
500+143.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4285GHTSA1 TLE4285GHTSA1 INFINEON 2060073.pdf Description: INFINEON - TLE4285GHTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 42V, 800mV Dropout, 5Vout/70mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 800mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 800mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.30 грн
250+41.79 грн
500+40.04 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031 Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.94 грн
500+155.81 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC033S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc75be702e Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031 Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.62 грн
10+249.05 грн
100+196.94 грн
500+155.81 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC033S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc75be702e Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.62 грн
10+249.05 грн
100+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 CYW55512IUBGTXTMA1 INFINEON 4423404.pdf Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+873.42 грн
5+755.08 грн
10+715.34 грн
50+610.94 грн
100+520.04 грн
250+457.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 CYW55512IUBGTXTMA1 INFINEON 4423404.pdf Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+715.34 грн
50+610.94 грн
100+520.04 грн
250+457.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH7XKSA1 IKY75N120CH7XKSA1 INFINEON 4425941.pdf Description: INFINEON - IKY75N120CH7XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+769.21 грн
5+647.34 грн
10+524.58 грн
50+473.99 грн
100+424.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R024M1HXKSA1 IMYH200R024M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMYH200R024M1H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eed3db1114 Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4044.78 грн
5+3983.84 грн
10+3922.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R075M1HXKSA1 IMYH200R075M1HXKSA1 INFINEON 4098647.pdf Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1783.94 грн
5+1730.95 грн
10+1677.08 грн
50+1089.86 грн
100+953.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI010 S29GL256S90FHI010 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL256S90FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.28 грн
10+633.21 грн
25+619.08 грн
50+573.22 грн
100+474.62 грн
250+440.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI020 S29GL256S90FHI020 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL256S90FHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.46 грн
10+600.53 грн
25+566.09 грн
50+472.35 грн
100+386.82 грн
250+379.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N16SHPSA1 2354595.pdf
DD340N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD340N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 330 A, 1.31 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.31V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 2327445.pdf
IPW80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+293.20 грн
10+287.90 грн
100+132.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1 INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R185CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.58 грн
10+165.15 грн
100+127.17 грн
500+104.15 грн
1000+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
IAUC50N08S5L096ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.64 грн
11+81.07 грн
100+54.84 грн
500+40.43 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50R800CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.31 грн
20+46.10 грн
100+31.79 грн
500+26.24 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50R800CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.24 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2 Infineon-IPD90R1K2C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f13d4a88e0220
IPD90R1K2C3ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.51 грн
10+113.92 грн
100+76.30 грн
500+56.42 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2 Infineon-IPD90R1K2C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f13d4a88e0220
IPD90R1K2C3ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.30 грн
500+56.42 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 4379514.pdf
BGT24ATR22E6433XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+826.62 грн
25+784.23 грн
50+696.23 грн
100+613.15 грн
250+601.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70901EPLXUMA1 3920471.pdf
BTG70901EPLXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTG70901EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 4.34A, 0.09 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.34A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.61 грн
14+67.56 грн
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752TFUMA1 1836358.pdf
ISP752TFUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP752TFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 52V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 52V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description 59961.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.10 грн
250+57.30 грн
500+55.03 грн
1000+51.25 грн
2500+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.49 грн
250+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2110STRPBF - Treiber, 2fach, High-Side, Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5AOut, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.07 грн
250+136.26 грн
500+131.71 грн
1000+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70502EPLXUMA1 3920472.pdf
BTG70502EPLXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTG70502EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 2 Ausgänge, 8.86A, 0.05 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 8.86A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70502EPLXUMA1 3920472.pdf
BTG70502EPLXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTG70502EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 2 Ausgänge, 8.86A, 0.05 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 8.86A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.32 грн
10+144.83 грн
50+128.94 грн
100+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 2711529.pdf
1EDS5663HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDS5663HXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: GaN EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.17 грн
250+101.43 грн
500+84.02 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S-TPBF INFN-S-A0008993438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVG612S-TPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVG612S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 1 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 1A
Produktpalette: HEXFET PVG612 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+641.16 грн
50+560.10 грн
100+498.85 грн
250+476.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752RFUMA1 2331885.pdf
ISP752RFUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP752RFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 4.5A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.26 грн
250+53.14 грн
500+51.10 грн
1000+49.43 грн
2500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.69 грн
500+17.39 грн
1500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.03 грн
250+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 2333563.pdf
IKP08N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 70 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.80 грн
10+125.41 грн
100+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDSMFV000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SDSMFV000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SDSMFV000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 80MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+299.38 грн
10+279.96 грн
25+275.54 грн
50+251.76 грн
100+224.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGNFV000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFV000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+314.40 грн
10+294.09 грн
25+284.37 грн
50+258.32 грн
100+233.15 грн
250+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHV200 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGBHV200
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHV200 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+453.93 грн
10+246.40 грн
25+230.50 грн
50+207.47 грн
100+187.73 грн
250+174.86 грн
500+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128LAGMFA010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128LAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.34 грн
10+174.86 грн
25+166.03 грн
50+152.53 грн
100+139.28 грн
250+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGNFA000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFA000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.36 грн
10+256.11 грн
25+250.81 грн
50+227.98 грн
100+205.90 грн
250+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHIZ00 INFN-S-A0011122469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGBHIZ00
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIZ00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.21 грн
10+223.43 грн
25+217.25 грн
50+196.81 грн
100+177.89 грн
250+165.78 грн
500+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFA000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGMFA000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGMFA000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.12 грн
10+260.53 грн
25+257.88 грн
50+235.36 грн
100+211.20 грн
250+207.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFM010 INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128LAGNFM010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128LAGNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.62 грн
10+213.72 грн
25+208.42 грн
50+189.43 грн
100+170.32 грн
250+161.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDPMFIG11 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SDPMFIG11
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SDPMFIG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+292.32 грн
10+272.89 грн
25+259.64 грн
50+235.36 грн
100+195.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFM000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGMFM000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGMFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+393.00 грн
10+363.85 грн
25+358.55 грн
50+317.36 грн
100+274.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFB010 INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128LAGNFB010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128LAGNFB010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.89 грн
10+190.76 грн
25+181.93 грн
50+167.29 грн
100+152.15 грн
250+143.83 грн
500+140.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFMG00 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGMFMG00
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGMFMG00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.79 грн
10+332.06 грн
25+323.23 грн
50+292.76 грн
100+263.43 грн
250+255.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHBA00 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGBHBA00
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHBA00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+337.36 грн
10+314.40 грн
25+304.68 грн
50+277.18 грн
100+249.80 грн
250+239.20 грн
500+233.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFB000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGMFB000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGMFB000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.23 грн
10+302.92 грн
25+295.85 грн
50+265.70 грн
100+228.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV010 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGNFV010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFV010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+314.40 грн
10+294.09 грн
25+284.37 грн
50+258.32 грн
100+233.15 грн
250+222.55 грн
500+218.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFB010 INFN-S-A0016395060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128LAGMFB010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128LAGMFB010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.01 грн
10+190.76 грн
25+181.04 грн
50+166.47 грн
100+151.40 грн
250+146.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGNFM000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.10 грн
10+351.49 грн
25+340.89 грн
50+309.16 грн
100+277.05 грн
250+267.21 грн
500+260.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1 3154658.pdf
IDK20G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK20G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+679.13 грн
5+580.22 грн
10+480.43 грн
50+394.45 грн
100+315.66 грн
250+309.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DZ435N40KHPSA1 Infineon-DZ435N-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124e2ccd4426304
DZ435N40KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DZ435N40KHPSA1 - Diodenmodul, 4 kV, 435 A, 1.71 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 14.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.71V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 435A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 4kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20085.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.52 грн
500+44.45 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904E6327HTSA1 1932449.pdf
SMBT3904E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.22 грн
1000+4.26 грн
27000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.88 грн
10+211.07 грн
50+189.88 грн
200+155.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.88 грн
200+155.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180P04P4L02ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+218.14 грн
200+177.95 грн
500+143.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4285GHTSA1 2060073.pdf
TLE4285GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4285GHTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 42V, 800mV Dropout, 5Vout/70mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 800mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 800mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.30 грн
250+41.79 грн
500+40.04 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+196.94 грн
500+155.81 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 Infineon-IGC033S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc75be702e
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.62 грн
10+249.05 грн
100+196.94 грн
500+155.81 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 Infineon-IGC033S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc75be702e
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.62 грн
10+249.05 грн
100+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 4423404.pdf
CYW55512IUBGTXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+873.42 грн
5+755.08 грн
10+715.34 грн
50+610.94 грн
100+520.04 грн
250+457.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 4423404.pdf
CYW55512IUBGTXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+715.34 грн
50+610.94 грн
100+520.04 грн
250+457.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH7XKSA1 4425941.pdf
IKY75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY75N120CH7XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+769.21 грн
5+647.34 грн
10+524.58 грн
50+473.99 грн
100+424.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon-IMYH200R024M1H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eed3db1114
IMYH200R024M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4044.78 грн
5+3983.84 грн
10+3922.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R075M1HXKSA1 4098647.pdf
IMYH200R075M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1783.94 грн
5+1730.95 грн
10+1677.08 грн
50+1089.86 грн
100+953.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI010 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL256S90FHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+708.28 грн
10+633.21 грн
25+619.08 грн
50+573.22 грн
100+474.62 грн
250+440.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI020 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL256S90FHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90FHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+646.46 грн
10+600.53 грн
25+566.09 грн
50+472.35 грн
100+386.82 грн
250+379.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]