Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24926) > Сторінка 410 з 416

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS0650111LMRXUSA1 GS0650111LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 GS0650116LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 GS0650146LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 GS0650306LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 GS0650146LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 GS0650186LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 GS0650086LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 GS0650111LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 GS0650112LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 GS0650116LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 GS0650302LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 GS0650046LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LMRXUSA1 GS0650146LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LMRXUSA1 GS0650112LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 GS0650146LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 GS0650086LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 GS0650046LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 GS0650302LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 GS0650186LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 GS0650116LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 GS0650306LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LTRXUMA1 GS0650046LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LMRXUSA1 GS0650116LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 GS0650116LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 GS0650112LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 GS0650111LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 GS0650111LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 GS0650146LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LTRXUMA1 GS0650086LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9RPI55513EVKTOBO1 INFINEON infineon-cyw9rpi55513-evk-evaluation-kit-user-guide-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2461SXUMA1 IRS2461SXUMA1 INFINEON 4626039.pdf Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 TLE9009DQUXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69 Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 TLE9009DQUXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69 Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F43L100R07W2S5B40BPSA1 INFINEON Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON Infineon-IQDH45N04LM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2ac53fa0acc Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON Infineon-IQDH45N04LM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2ac53fa0acc Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1 IPW65R025CM8XKSA1 INFINEON Infineon-IPW65R025CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d8f4f0608b Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 1EDC20I12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 1EDC20I12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 INFINEON INFNS16598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 100kHz
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 11V
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 INFINEON INFNS16598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 100kHz
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 11V
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 FS01MR08A8MA2CHPSA1 INFINEON 4603892.pdf Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT285N16KOFHPSA2 TT285N16KOFHPSA2 INFINEON Infineon-TT285N16KOF-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f7b4d4bc5 Description: INFINEON - TT285N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, 285mA, 1.6kV, Phasensteuerung, Schraube, Baureihe TT285N
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 285A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TT285N Series
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAS4004E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 120 mA, 380 mV, 200 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 380mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3030ASXUMA1 1EDI3030ASXUMA1 INFINEON 3517979.pdf Description: INFINEON - 1EDI3030ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3023ASXUMA1 1EDI3023ASXUMA1 INFINEON 3517979.pdf Description: INFINEON - 1EDI3023ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LTRXUMA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LTRXUMA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9RPI55513EVKTOBO1 infineon-cyw9rpi55513-evk-evaluation-kit-user-guide-usermanual-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2461SXUMA1 4626039.pdf
IRS2461SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69
TLE9009DQUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69
TLE9009DQUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 2619562.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F43L100R07W2S5B40BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon-IQDH45N04LM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2ac53fa0acc
IQDH45N04LM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon-IQDH45N04LM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2ac53fa0acc
IQDH45N04LM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1 Infineon-IPW65R025CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d8f4f0608b
IPW65R025CM8XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 2718597.pdf
1EDC20I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 2718597.pdf
1EDC20I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 INFNS16598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 100kHz
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 11V
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 INFNS16598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 100kHz
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 11V
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 4603892.pdf
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT285N16KOFHPSA2 Infineon-TT285N16KOF-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f7b4d4bc5
TT285N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT285N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, 285mA, 1.6kV, Phasensteuerung, Schraube, Baureihe TT285N
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 285A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TT285N Series
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4004E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 120 mA, 380 mV, 200 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 380mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3030ASXUMA1 3517979.pdf
1EDI3030ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3030ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3023ASXUMA1 3517979.pdf
1EDI3023ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3023ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416  [ Наступна Сторінка >> ]