Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 267 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375 Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.82 грн
10+212.94 грн
100+157.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7071GTRPBF IPS7071GTRPBF INFINEON 44087.pdf Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7071GTRPBF IPS7071GTRPBF INFINEON 44087.pdf Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6041GTR AUIPS6041GTR INFINEON IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6041GTR AUIPS6041GTR INFINEON IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147EV30LL-45ZSXI.. CY62147EV30LL-45ZSXI.. INFINEON Description: INFINEON - CY62147EV30LL-45ZSXI.. - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.82 грн
10+271.09 грн
25+265.36 грн
50+241.08 грн
100+217.62 грн
250+212.71 грн
500+207.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62146ESL-45ZSXI CY62146ESL-45ZSXI INFINEON CYPR-S-A0011108349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62146ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: INFINEON - BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine, Lastschalter, PROFET+2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine - Lastschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PROFET+2 12V-Hauptplatine PROFETPLUS2MOTHBRDTOBO1
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3095.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 INFINEON 3625760.pdf Description: INFINEON - BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 - Evaluationsboard, BTS70012-1ESP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS70012-1ESP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS70012-1ESP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7683.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.42 грн
10+108.11 грн
100+89.27 грн
500+77.57 грн
1000+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R380CEXKSA1 IPAW60R380CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002272464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPAW60R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.70 грн
10+96.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHIA10 S25FL128SAGBHIA10 INFINEON Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA10 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, FBGA
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.42 грн
10+217.85 грн
25+211.30 грн
50+176.44 грн
100+159.35 грн
250+152.33 грн
500+148.82 грн
1000+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI010 S25FL128SAGNFI010 INFINEON 2330414.pdf Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.09 грн
10+253.07 грн
25+245.70 грн
50+222.83 грн
100+199.37 грн
250+187.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI013 S25FL128SAGNFI013 INFINEON INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI013 S25FL128SAGNFI013 INFINEON INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 INFINEON 3626605.pdf Description: INFINEON - ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 - Drehknopf, Tlx5012 magnetische Winkelsensoren 2GO-Kits
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Winkelsensoren, magnetisch, Tlx5012, 2GO-Kits
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON INFN-S-A0003258229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.53 грн
10+232.60 грн
50+199.02 грн
100+152.86 грн
250+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR602XTSA1 BCR602XTSA1 INFINEON 2787973.pdf Description: INFINEON - BCR602XTSA1 - LED-Treiber, linear, dimmbar, 1 Ausgang, 8V-60Vin, 10mA Gate, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 160°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.75 грн
25+33.58 грн
100+26.21 грн
500+21.60 грн
1000+19.23 грн
2500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2334SPBF IRS2334SPBF INFINEON 1497827.pdf Description: INFINEON - IRS2334SPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.29 грн
10+255.53 грн
25+237.51 грн
50+215.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DSPBF IRS23364DSPBF INFINEON 2331976.pdf Description: INFINEON - IRS23364DSPBF - Treiber-IC, 3-Phasen-Brücke, 11.5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, SOIC-28
Sinkstrom: 350
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 6
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 11.5
Quellstrom: 200
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 530
Ausgabeverzögerung: 530
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.89 грн
34+24.73 грн
100+21.29 грн
500+17.80 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1 IPP60R380E6XKSA1 INFINEON 2255623.pdf Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.63 грн
10+117.12 грн
100+88.45 грн
500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CP IPD50R399CP INFINEON 1926940.pdf Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CP IPD50R399CP INFINEON 1926940.pdf Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF IRF7811AVTRPBF INFINEON 107877.pdf description Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF INFINEON 2333714.pdf Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.58 грн
10+98.28 грн
100+73.87 грн
500+54.30 грн
1000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NS-TPBF PVI1050NS-TPBF INFINEON IRSDS10210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVI1050NS-TPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, SMD, 8 Pin(s), 2.5 kV, PVI
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SMD
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.57 грн
5+780.51 грн
10+622.44 грн
50+537.67 грн
100+459.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI011 S25FL064LABNFI011 INFINEON 2785310.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI040 S25FL064LABNFI040 INFINEON INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFI040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, USON
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.18 грн
10+88.45 грн
50+84.36 грн
100+76.05 грн
250+66.55 грн
500+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002837998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW30N60TPXKSA1 - IGBT, 53 A, 1.6 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 53A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.33 грн
10+90.09 грн
100+74.45 грн
500+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON 2332237.pdf Description: INFINEON - IGW30N60TFKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.76 грн
10+170.35 грн
100+139.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF INFINEON 3739373.pdf Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, -15A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.63 грн
10+101.56 грн
100+81.41 грн
500+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SDPNFB000 S25FL256SDPNFB000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SDPNFB000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.78 грн
10+303.85 грн
25+294.84 грн
50+269.22 грн
100+240.79 грн
250+233.06 грн
500+222.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHV200 S25FL256SAGBHV200 INFINEON INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGBHV200 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.15 грн
10+311.22 грн
25+300.57 грн
50+276.82 грн
100+252.72 грн
250+249.21 грн
500+246.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF INFINEON 137917.pdf Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF INFINEON 137917.pdf Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 192A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.80 грн
10+104.01 грн
100+99.10 грн
500+74.53 грн
1000+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.36 грн
10+230.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED44176N01FTOBO1 EVAL1ED44176N01FTOBO1 INFINEON Infineon-Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01655c2d8358778a Description: INFINEON - EVAL1ED44176N01FTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44176N01F, 1 Kanal, Low-Side, IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED44176N01F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44176N01F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QN-40SXI CY15B108QN-40SXI INFINEON INFN-S-A0018585899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B108QN-40SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 8MBIT 40MHZ SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3787.88 грн
5+3314.49 грн
10+2746.11 грн
25+2286.06 грн
50+1948.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 INFINEON INFNS16316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.60 грн
10+93.37 грн
100+64.62 грн
500+46.77 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.18 грн
10+115.48 грн
100+78.87 грн
500+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3GXKSA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.92 грн
10+108.11 грн
100+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.89 грн
10+103.19 грн
100+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.11 грн
11+79.36 грн
100+73.96 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1 IPP028N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS17001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.62 грн
10+326.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON INFNS19757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.90 грн
10+121.21 грн
100+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0002484814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS16320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.52 грн
10+122.03 грн
100+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON INFNS19758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.60 грн
10+101.56 грн
100+80.51 грн
500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON 2643902.pdf Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.90 грн
11+79.36 грн
100+72.15 грн
500+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON INFNS10688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR400WH6327XTSA1 - LED-Treiber-IC, Active-Bias-Controller, 1.8V bis 18V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85044095
IC-Funktion: Active-Bias-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOT-343
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.28 грн
72+11.47 грн
100+8.76 грн
500+7.01 грн
1000+5.80 грн
5000+5.59 грн
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSPBF IRS2453DSPBF INFINEON 3121109.pdf description Description: INFINEON - IRS2453DSPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V bis 16.6V Versorgungsspannung, 260mAout Spitze, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 250ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.68 грн
10+108.11 грн
50+105.65 грн
100+82.13 грн
250+73.71 грн
500+71.60 грн
1000+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF INFINEON irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02 description Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.58 грн
11+81.65 грн
100+54.38 грн
500+39.39 грн
1000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON 1849735.pdf Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.76 грн
53+15.56 грн
100+9.42 грн
500+8.14 грн
1500+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.90 грн
23+35.63 грн
50+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BPSA1 FS75R12KT3BPSA1 INFINEON 2255591.pdf Description: INFINEON - FS75R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 105A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 105A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6223.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12N2T7B15BPSA2 FS75R12N2T7B15BPSA2 INFINEON Infineon-FS75R12N2T7_B15-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a4c9cf2e2f Description: INFINEON - FS75R12N2T7B15BPSA2 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5696.96 грн
5+5096.64 грн
10+4495.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BOSA1 FS75R12KT3BOSA1 INFINEON 2255591.pdf Description: INFINEON - FS75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 105
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 355
Verlustleistung: 355
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 105
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.82 грн
10+212.94 грн
100+157.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7071GTRPBF 44087.pdf
IPS7071GTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7071GTRPBF 44087.pdf
IPS7071GTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6041GTR IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIPS6041GTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6041GTR IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIPS6041GTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147EV30LL-45ZSXI..
CY62147EV30LL-45ZSXI..
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62147EV30LL-45ZSXI.. - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.82 грн
10+271.09 грн
25+265.36 грн
50+241.08 грн
100+217.62 грн
250+212.71 грн
500+207.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62146ESL-45ZSXI CYPR-S-A0011108349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62146ESL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62146ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine, Lastschalter, PROFET+2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine - Lastschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PROFET+2 12V-Hauptplatine PROFETPLUS2MOTHBRDTOBO1
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3095.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 3625760.pdf
BTS700121ESPEVALBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 - Evaluationsboard, BTS70012-1ESP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS70012-1ESP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS70012-1ESP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7683.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR825TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.42 грн
10+108.11 грн
100+89.27 грн
500+77.57 грн
1000+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R380CEXKSA1 INFN-S-A0002272464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPAW60R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.70 грн
10+96.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHIA10 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGBHIA10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA10 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, FBGA
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.42 грн
10+217.85 грн
25+211.30 грн
50+176.44 грн
100+159.35 грн
250+152.33 грн
500+148.82 грн
1000+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI010 2330414.pdf
S25FL128SAGNFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.09 грн
10+253.07 грн
25+245.70 грн
50+222.83 грн
100+199.37 грн
250+187.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI013 INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGNFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI013 INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGNFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 3626605.pdf
ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 - Drehknopf, Tlx5012 magnetische Winkelsensoren 2GO-Kits
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Winkelsensoren, magnetisch, Tlx5012, 2GO-Kits
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2056.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 INFN-S-A0003258229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40SC228
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.53 грн
10+232.60 грн
50+199.02 грн
100+152.86 грн
250+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR602XTSA1 2787973.pdf
BCR602XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR602XTSA1 - LED-Treiber, linear, dimmbar, 1 Ausgang, 8V-60Vin, 10mA Gate, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 160°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.75 грн
25+33.58 грн
100+26.21 грн
500+21.60 грн
1000+19.23 грн
2500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2334SPBF 1497827.pdf
IRS2334SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2334SPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.29 грн
10+255.53 грн
25+237.51 грн
50+215.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DSPBF 2331976.pdf
IRS23364DSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS23364DSPBF - Treiber-IC, 3-Phasen-Brücke, 11.5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, SOIC-28
Sinkstrom: 350
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 6
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 11.5
Quellstrom: 200
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 530
Ausgabeverzögerung: 530
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.89 грн
34+24.73 грн
100+21.29 грн
500+17.80 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380E6XKSA1 2255623.pdf
IPP60R380E6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.63 грн
10+117.12 грн
100+88.45 грн
500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CP 1926940.pdf
IPD50R399CP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CP 1926940.pdf
IPD50R399CP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF description 107877.pdf
IRF7811AVTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF 2333714.pdf
IRFH8303TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.58 грн
10+98.28 грн
100+73.87 грн
500+54.30 грн
1000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NS-TPBF IRSDS10210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVI1050NS-TPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVI1050NS-TPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, SMD, 8 Pin(s), 2.5 kV, PVI
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SMD
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.57 грн
5+780.51 грн
10+622.44 грн
50+537.67 грн
100+459.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI011 2785310.pdf
S25FL064LABNFI011
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI040 INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFI040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, USON
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.18 грн
10+88.45 грн
50+84.36 грн
100+76.05 грн
250+66.55 грн
500+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 INFN-S-A0002837998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW30N60TPXKSA1 - IGBT, 53 A, 1.6 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 53A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.33 грн
10+90.09 грн
100+74.45 грн
500+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 2332237.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW30N60TFKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.76 грн
10+170.35 грн
100+139.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF 3739373.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, -15A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.63 грн
10+101.56 грн
100+81.41 грн
500+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SDPNFB000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SDPNFB000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SDPNFB000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.78 грн
10+303.85 грн
25+294.84 грн
50+269.22 грн
100+240.79 грн
250+233.06 грн
500+222.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHV200 INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGBHV200
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGBHV200 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.15 грн
10+311.22 грн
25+300.57 грн
50+276.82 грн
100+252.72 грн
250+249.21 грн
500+246.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBF 137917.pdf
IRF7452TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBF 137917.pdf
IRF7452TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B201 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 192A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.80 грн
10+104.01 грн
100+99.10 грн
500+74.53 грн
1000+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100S201
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.36 грн
10+230.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED44176N01FTOBO1 Infineon-Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01655c2d8358778a
EVAL1ED44176N01FTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED44176N01FTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44176N01F, 1 Kanal, Low-Side, IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED44176N01F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44176N01F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QN-40SXI INFN-S-A0018585899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B108QN-40SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B108QN-40SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 8MBIT 40MHZ SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3787.88 грн
5+3314.49 грн
10+2746.11 грн
25+2286.06 грн
50+1948.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 INFNS16316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
10+93.37 грн
100+64.62 грн
500+46.77 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.18 грн
10+115.48 грн
100+78.87 грн
500+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP086N10N3GXKSA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.92 грн
10+108.11 грн
100+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.89 грн
10+103.19 грн
100+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.11 грн
11+79.36 грн
100+73.96 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1 INFNS17001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP028N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.62 грн
10+326.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 INFNS19757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.90 грн
10+121.21 грн
100+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFN-S-A0002484814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP051N15N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 INFNS16320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.52 грн
10+122.03 грн
100+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 INFNS19758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP060N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
10+101.56 грн
100+80.51 грн
500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 2643902.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.90 грн
11+79.36 грн
100+72.15 грн
500+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 INFNS10688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR400WH6327XTSA1 - LED-Treiber-IC, Active-Bias-Controller, 1.8V bis 18V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85044095
IC-Funktion: Active-Bias-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOT-343
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.28 грн
72+11.47 грн
100+8.76 грн
500+7.01 грн
1000+5.80 грн
5000+5.59 грн
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSPBF description 3121109.pdf
IRS2453DSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2453DSPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V bis 16.6V Versorgungsspannung, 260mAout Spitze, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 250ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.68 грн
10+108.11 грн
50+105.65 грн
100+82.13 грн
250+73.71 грн
500+71.60 грн
1000+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02
IRFH7932TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.58 грн
11+81.65 грн
100+54.38 грн
500+39.39 грн
1000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 1849735.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.76 грн
53+15.56 грн
100+9.42 грн
500+8.14 грн
1500+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.90 грн
23+35.63 грн
50+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BPSA1 2255591.pdf
FS75R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 105A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 105A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6223.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12N2T7B15BPSA2 Infineon-FS75R12N2T7_B15-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a4c9cf2e2f
FS75R12N2T7B15BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12N2T7B15BPSA2 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5696.96 грн
5+5096.64 грн
10+4495.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3BOSA1 2255591.pdf
FS75R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 105
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 355
Verlustleistung: 355
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 105
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]