Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24632) > Сторінка 246 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FZ3600R17HP4B2BOSA2 FZ3600R17HP4B2BOSA2 INFINEON Infineon-FZ3600R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e85a7a06d26 Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+113723.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF IRS2117STRPBF INFINEON INFN-S-A0002786165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2117STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 105ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.52 грн
18+47.53 грн
100+37.66 грн
500+28.71 грн
1000+25.51 грн
2500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-012011-00 CYBLE-012011-00 INFINEON Infineon-CYBLE-012011-00_EZ-BLE_Creator_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5988a552b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYBLE-012011-00 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 2.4GHz, Single-Mode
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: EAR99
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1184.93 грн
5+1129.01 грн
10+1072.27 грн
50+915.51 грн
100+773.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BPSA1 FP40R12KT3BPSA1 INFINEON 2211610.pdf Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 55A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5635.20 грн
5+5215.00 грн
10+4794.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 BB439E6327HTSA1 INFINEON 1849684.html Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.14 грн
15+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-28PVXIT CY7C65213-28PVXIT INFINEON CYPR-S-A0004572493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.94 грн
10+209.69 грн
25+192.42 грн
50+169.51 грн
100+148.01 грн
250+140.97 грн
500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N120CS7XKSA1 IKW50N120CS7XKSA1 INFINEON 3437285.pdf Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 82A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.91 грн
5+383.19 грн
10+311.65 грн
50+284.04 грн
100+257.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0000149040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.68 грн
10+271.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON INFNS29742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.81 грн
10+264.78 грн
100+210.51 грн
500+163.40 грн
1000+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.68 грн
500+54.14 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 INFINEON Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.17 грн
15+56.57 грн
100+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1019DV33-10VXI.. CY7C1019DV33-10VXI.. INFINEON CYPR-S-A0001416448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1019DV33-10VXI.. - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 3V-3.6V Versorgung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.19 грн
10+381.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1019D-10VXI CY7C1019D-10VXI INFINEON 2309585.pdf Description: INFINEON - CY7C1019D-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOJ, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.84 грн
10+407.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101NA-ZS25XI CY14B101NA-ZS25XI INFINEON CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1957.89 грн
5+1891.28 грн
10+1823.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R12W2H3B11BPSA1 F3L150R12W2H3B11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0014715330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4821.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBF IRFB59N10DPBF INFINEON 1309742.pdf Description: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 59
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON INFNS16501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.118 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+795.98 грн
5+686.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 INFINEON INFN-S-A0000792643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.29 грн
5+672.64 грн
10+633.17 грн
50+417.67 грн
100+368.62 грн
250+361.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP07N120XKSA1 SGP07N120XKSA1 INFINEON 2255707.pdf Description: INFINEON - SGP07N120XKSA1 - IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 125
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF INFINEON irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.53 грн
10+143.90 грн
100+106.08 грн
500+80.94 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 11195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.63 грн
50+66.19 грн
250+45.06 грн
1000+29.17 грн
2000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON INFN-S-A0012837708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.79 грн
10+219.55 грн
100+185.02 грн
500+158.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 INFINEON 2354675.pdf Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.51 грн
10+245.04 грн
100+115.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.80 грн
200+34.44 грн
500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4913HTSA1 TLE4913HTSA1 INFINEON INFNS06066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.06 грн
24+35.03 грн
100+31.82 грн
500+26.57 грн
1000+23.54 грн
2500+21.71 грн
5000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.08 грн
27+30.51 грн
100+18.01 грн
500+13.74 грн
1000+11.35 грн
5000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5XKSA2 INFINEON 1694004.pdf Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.99 грн
10+378.26 грн
100+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW16G65C5XKSA1 IDW16G65C5XKSA1 INFINEON INFNS19612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.40 грн
10+301.78 грн
100+262.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-343026-01 CYBT-343026-01 INFINEON 2629393.pdf Description: INFINEON - CYBT-343026-01 - Bluetooth 5.0 + EDR, 2.3V-3.6V, Produktreihe EZ-BT WICED Series, 3MB/s, -89.5dBm Empfindlichkeit
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0 + EDR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -89.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+749.11 грн
5+699.77 грн
10+650.44 грн
50+571.91 грн
100+486.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-EVAL CYBLE-013025-EVAL INFINEON 2629396.pdf Description: INFINEON - CYBLE-013025-EVAL - Evaluationsboard, CYBT-013025 EZ-BT WICED-Bluetooth-Modul, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-013025-00
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-013025-00, Bluetooth LE-Drahtlosmodul, USB-Kabel
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3100.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF INFINEON INFN-S-A0010884990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.77 грн
10+119.23 грн
100+89.63 грн
500+70.02 грн
1000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF INFINEON irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6 Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.74 грн
500+69.33 грн
1000+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON INFNS30178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGP30N60H3XKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.85 грн
10+130.75 грн
100+117.59 грн
500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON INFN-S-A0012827040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.85 грн
11+77.79 грн
100+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 BAR141E6327HTSA1 INFINEON INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Sperrspannung: 100
Diodenkapazität: 0.5
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR14
Durchlassstrom: 140
Betriebstemperatur, max.: 125
Widerstand bei If: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.76 грн
24+34.87 грн
100+23.76 грн
500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 BAR141E6327HTSA1 INFINEON INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.76 грн
500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF INFINEON 140860.pdf Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6011RPBF IPS6011RPBF INFINEON 789705.pdf description Description: INFINEON - IPS6011RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 60A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.011
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 60
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6031RPBF IPS6031RPBF INFINEON 131403.pdf description Description: INFINEON - IPS6031RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 16A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERDRILL2GOTOBO1 POWERDRILL2GOTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - POWERDRILL2GOTOBO1 - Linearer Steuer-Trigger, 3D-Magnetsensor 2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Trigger, lineare Steuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2080.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001PBF IRS2001PBF INFINEON INFN-S-A0008991329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2001PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.31 грн
10+194.88 грн
25+185.02 грн
50+158.06 грн
100+137.44 грн
250+133.92 грн
500+125.46 грн
1000+107.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03L G IPD090N03L G INFINEON 491159.pdf Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON 2332430.pdf Description: INFINEON - IRS2302SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.81 грн
10+97.03 грн
50+78.53 грн
100+59.48 грн
250+53.57 грн
500+51.59 грн
1000+50.11 грн
2500+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2301SPBF IRS2301SPBF INFINEON 1441818.pdf Description: INFINEON - IRS2301SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.65 грн
10+82.23 грн
50+66.19 грн
100+53.91 грн
250+48.49 грн
500+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LINEARSLIDER2GOTOBO1 LINEARSLIDER2GOTOBO1 INFINEON LINEARSLIDER2GOTOBO1_Web.pdf Description: INFINEON - LINEARSLIDER2GOTOBO1 - Zubehör für Development Kit, linearer Schieberegler für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 85437090
Art des Zubehörs: Linearer Schieber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON INFNS30193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.90 грн
10+254.91 грн
100+207.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N12N3GXKSA1 IPP076N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS27824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.38 грн
10+109.37 грн
100+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE3HOSA1 FZ600R17KE3HOSA1 INFINEON INFNS28164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FZ600R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 3.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 840A
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE4HOSA1 FZ600R17KE4HOSA1 INFINEON Infineon-FZ600R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401294a1c37557de9 Description: INFINEON - FZ600R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT4 - E4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 840A
Produktpalette: 62mm C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12489.86 грн
5+11531.06 грн
10+10571.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 IPA90R340C3XKSA2 INFINEON INFNS12356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA90R340C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1 IPA90R1K2C3XKSA1 INFINEON 83077.pdf Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1 IPA90R1K0C3XKSA1 INFINEON 83075.pdf Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS16353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.97 грн
13+67.35 грн
100+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF INFINEON 173466.pdf Description: INFINEON - IRLR7833TRPBF - MOSFET, N-KANAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL500W5GPSUTOBO1 EVAL500W5GPSUTOBO1 INFINEON 3763575.pdf Description: INFINEON - EVAL500W5GPSUTOBO1 - Evaluationsboard, SL1002A600SP, Power-Management, Überspannungsbaustein
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SL1002A600SP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Littelfuse
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SL1002A600SP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Überspannungsstopper
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40879.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7 Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+145.55 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001299189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.83 грн
5+478.58 грн
10+396.35 грн
50+329.86 грн
100+281.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI08N80C3XKSA1 SPI08N80C3XKSA1 INFINEON INFNS16616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPI08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.56
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ3600R17HP4B2BOSA2 Infineon-FZ3600R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e85a7a06d26
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+113723.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF INFN-S-A0002786165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2117STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2117STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 105ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.52 грн
18+47.53 грн
100+37.66 грн
500+28.71 грн
1000+25.51 грн
2500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-012011-00 Infineon-CYBLE-012011-00_EZ-BLE_Creator_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5988a552b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYBLE-012011-00
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-012011-00 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 2.4GHz, Single-Mode
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: EAR99
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1184.93 грн
5+1129.01 грн
10+1072.27 грн
50+915.51 грн
100+773.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BPSA1 2211610.pdf
FP40R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 55A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5635.20 грн
5+5215.00 грн
10+4794.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 1849684.html
BB439E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.14 грн
15+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-28PVXIT CYPR-S-A0004572493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CY7C65213-28PVXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+277.94 грн
10+209.69 грн
25+192.42 грн
50+169.51 грн
100+148.01 грн
250+140.97 грн
500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N120CS7XKSA1 3437285.pdf
IKW50N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 82A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+453.91 грн
5+383.19 грн
10+311.65 грн
50+284.04 грн
100+257.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 INFN-S-A0000149040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+371.68 грн
10+271.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 INFNS29742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+398.81 грн
10+264.78 грн
100+210.51 грн
500+163.40 грн
1000+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+73.68 грн
500+54.14 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493
IPA65R400CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.17 грн
15+56.57 грн
100+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1019DV33-10VXI.. CYPR-S-A0001416448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1019DV33-10VXI..
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1019DV33-10VXI.. - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 3V-3.6V Versorgung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+420.19 грн
10+381.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1019D-10VXI 2309585.pdf
CY7C1019D-10VXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1019D-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOJ, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+495.84 грн
10+407.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101NA-ZS25XI CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B101NA-ZS25XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1957.89 грн
5+1891.28 грн
10+1823.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R12W2H3B11BPSA1 INFN-S-A0014715330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4821.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBF 1309742.pdf
IRFB59N10DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 59
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 INFNS16501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW35N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.118 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+795.98 грн
5+686.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 INFN-S-A0000792643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP410N30NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+711.29 грн
5+672.64 грн
10+633.17 грн
50+417.67 грн
100+368.62 грн
250+361.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP07N120XKSA1 2255707.pdf
SGP07N120XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SGP07N120XKSA1 - IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 125
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d
IRF6623TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+233.53 грн
10+143.90 грн
100+106.08 грн
500+80.94 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7424TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 11195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+89.63 грн
50+66.19 грн
250+45.06 грн
1000+29.17 грн
2000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF INFN-S-A0012837708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+375.79 грн
10+219.55 грн
100+185.02 грн
500+158.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP77N06S212AKSA2 2354675.pdf
IPP77N06S212AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+247.51 грн
10+245.04 грн
100+115.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP295H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.80 грн
200+34.44 грн
500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4913HTSA1 INFNS06066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4913HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+45.06 грн
24+35.03 грн
100+31.82 грн
500+26.57 грн
1000+23.54 грн
2500+21.71 грн
5000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF INFN-S-A0012813306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLTS2242TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+44.08 грн
27+30.51 грн
100+18.01 грн
500+13.74 грн
1000+11.35 грн
5000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 1694004.pdf
IDH16G65C5XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+434.99 грн
10+378.26 грн
100+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW16G65C5XKSA1 INFNS19612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW16G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+479.40 грн
10+301.78 грн
100+262.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4227TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-343026-01 2629393.pdf
CYBT-343026-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-343026-01 - Bluetooth 5.0 + EDR, 2.3V-3.6V, Produktreihe EZ-BT WICED Series, 3MB/s, -89.5dBm Empfindlichkeit
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0 + EDR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -89.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+749.11 грн
5+699.77 грн
10+650.44 грн
50+571.91 грн
100+486.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-EVAL 2629396.pdf
CYBLE-013025-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-013025-EVAL - Evaluationsboard, CYBT-013025 EZ-BT WICED-Bluetooth-Modul, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-013025-00
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-013025-00, Bluetooth LE-Drahtlosmodul, USB-Kabel
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3100.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBF INFN-S-A0010884990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7085TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+190.77 грн
10+119.23 грн
100+89.63 грн
500+70.02 грн
1000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBF irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6
IRFH7085TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+93.74 грн
500+69.33 грн
1000+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 INFNS30178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP30N60H3XKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+259.85 грн
10+130.75 грн
100+117.59 грн
500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF INFN-S-A0012827040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.85 грн
11+77.79 грн
100+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR141E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Sperrspannung: 100
Diodenkapazität: 0.5
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR14
Durchlassstrom: 140
Betriebstemperatur, max.: 125
Widerstand bei If: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+42.76 грн
24+34.87 грн
100+23.76 грн
500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR141E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.76 грн
500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF 140860.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6011RPBF description 789705.pdf
IPS6011RPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS6011RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 60A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.011
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 60
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6031RPBF description 131403.pdf
IPS6031RPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS6031RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 16A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERDRILL2GOTOBO1
POWERDRILL2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - POWERDRILL2GOTOBO1 - Linearer Steuer-Trigger, 3D-Magnetsensor 2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Trigger, lineare Steuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2080.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001PBF INFN-S-A0008991329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2001PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2001PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+225.31 грн
10+194.88 грн
25+185.02 грн
50+158.06 грн
100+137.44 грн
250+133.92 грн
500+125.46 грн
1000+107.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03L G 491159.pdf
IPD090N03L G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF 2332430.pdf
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2302SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.81 грн
10+97.03 грн
50+78.53 грн
100+59.48 грн
250+53.57 грн
500+51.59 грн
1000+50.11 грн
2500+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2301SPBF 1441818.pdf
IRS2301SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2301SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+112.65 грн
10+82.23 грн
50+66.19 грн
100+53.91 грн
250+48.49 грн
500+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LINEARSLIDER2GOTOBO1 LINEARSLIDER2GOTOBO1_Web.pdf
LINEARSLIDER2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - LINEARSLIDER2GOTOBO1 - Zubehör für Development Kit, linearer Schieberegler für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 85437090
Art des Zubehörs: Linearer Schieber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 INFNS30193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+416.90 грн
10+254.91 грн
100+207.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N12N3GXKSA1 INFNS27824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP076N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+220.38 грн
10+109.37 грн
100+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE3HOSA1 INFNS28164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZ600R17KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 3.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 840A
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE4HOSA1 Infineon-FZ600R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401294a1c37557de9
FZ600R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT4 - E4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 840A
Produktpalette: 62mm C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+12489.86 грн
5+11531.06 грн
10+10571.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 INFNS12356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA90R340C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R340C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1 83077.pdf
IPA90R1K2C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1 83075.pdf
IPA90R1K0C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 INFNS16353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.97 грн
13+67.35 грн
100+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF 173466.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7833TRPBF - MOSFET, N-KANAL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL500W5GPSUTOBO1 3763575.pdf
EVAL500W5GPSUTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL500W5GPSUTOBO1 - Evaluationsboard, SL1002A600SP, Power-Management, Überspannungsbaustein
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SL1002A600SP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Littelfuse
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SL1002A600SP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Überspannungsstopper
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+40879.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+226.95 грн
10+145.55 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 INFN-S-A0001299189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW24G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+546.83 грн
5+478.58 грн
10+396.35 грн
50+329.86 грн
100+281.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI08N80C3XKSA1 INFNS16616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPI08N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPI08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.56
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]