Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24518) > Сторінка 369 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DIB0400FXUMA1 2DIB0400FXUMA1 INFINEON 3968035.pdf Description: INFINEON - 2DIB0400FXUMA1 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.7 V, 6.5 V, NSOIC, 8 Pin(s), 40 Mbps
tariffCode: 85423919
rohsCompliant: YES
Isolation: Kapazitiv
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 40Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.78 грн
250+41.98 грн
500+38.30 грн
1000+33.37 грн
2500+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.09 грн
250+45.41 грн
1000+37.43 грн
2000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.27 грн
500+37.36 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N3T7BPSA1 FP100R12N3T7BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FP100R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10048.84 грн
5+8792.54 грн
10+7285.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N2T7B11BPSA1 FP100R12N2T7B11BPSA1 INFINEON Infineon-FP100R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180a8df007a1d22 Description: INFINEON - FP100R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8195.14 грн
5+7838.97 грн
10+7481.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI010 S29JL032J60TFI010 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J60TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 60ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.88 грн
10+356.98 грн
25+351.31 грн
50+320.96 грн
100+287.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI010 S29JL032J70TFI010 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.07 грн
10+339.98 грн
25+329.46 грн
50+292.39 грн
100+263.66 грн
250+259.50 грн
500+258.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI310 S29JL032J70BHI310 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J70BHI310 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, parallel, 70ns, FBGA-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.07 грн
10+339.98 грн
25+329.46 грн
50+299.16 грн
100+269.21 грн
250+260.88 грн
500+256.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XMFA013 S25FL032P0XMFA013 INFINEON CYPR-S-A0003069045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL032P0XMFA013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 104MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF INFINEON 695950.pdf Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.83 грн
10+401.50 грн
100+390.98 грн
500+352.53 грн
1000+319.17 грн
5000+312.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.04 грн
50+89.04 грн
100+59.33 грн
500+43.45 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.71 грн
10+110.90 грн
100+101.99 грн
500+85.69 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.80 грн
500+55.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.33 грн
500+43.45 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.42 грн
500+63.59 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 IPD90N10S4L06ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N10S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc80137500063630512 Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.33 грн
500+73.81 грн
1000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 INFINEON 2849604.pdf Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.00 грн
500+49.23 грн
1000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.99 грн
500+85.69 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N10S4-06-DataSheet-v01_10-EN.pdf Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.18 грн
50+121.42 грн
100+95.52 грн
500+68.48 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.42 грн
500+45.10 грн
1000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.65 грн
10+170.80 грн
100+119.80 грн
500+93.96 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.65 грн
10+170.80 грн
100+119.80 грн
500+93.96 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.95 грн
10+98.76 грн
50+78.11 грн
100+66.22 грн
250+57.80 грн
500+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.22 грн
250+57.80 грн
500+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.25 грн
19+44.76 грн
100+35.37 грн
500+29.31 грн
1000+26.09 грн
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.39 грн
27+30.36 грн
100+23.72 грн
500+19.54 грн
1000+16.51 грн
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.72 грн
500+19.54 грн
1000+16.51 грн
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.37 грн
500+29.31 грн
1000+26.09 грн
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+640.30 грн
5+577.16 грн
10+513.21 грн
50+430.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1 ISZ143N13NM6ATMA1 INFINEON 4334672.pdf Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.89 грн
50+161.09 грн
250+133.56 грн
1000+98.47 грн
3000+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON smbd914_mmbd914series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c419bed0444 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+6.99 грн
131+6.22 грн
184+4.41 грн
500+3.41 грн
1000+2.82 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON smbd914_mmbd914series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c419bed0444 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+6.99 грн
131+6.22 грн
184+4.41 грн
500+3.41 грн
1000+2.82 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.51 грн
10+155.42 грн
100+128.71 грн
500+107.49 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.71 грн
500+107.49 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED003L06F2XUMA1 6ED003L06F2XUMA1 INFINEON 2334680.pdf Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.65 грн
10+170.80 грн
25+158.66 грн
50+145.07 грн
100+131.83 грн
250+129.75 грн
500+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1 INFINEON INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.28 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.08 грн
10+185.37 грн
25+169.99 грн
50+150.33 грн
100+131.14 грн
250+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.99 грн
10+140.04 грн
25+127.90 грн
50+118.01 грн
100+108.24 грн
250+107.54 грн
500+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI30R12HXUMA1 ISSI30R12HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.32 грн
10+185.37 грн
25+169.99 грн
50+153.34 грн
100+138.07 грн
250+133.91 грн
500+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.24 грн
250+107.54 грн
500+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.14 грн
250+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0642DPBHI020 S27KL0642DPBHI020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.79 грн
10+333.50 грн
25+322.98 грн
50+293.90 грн
100+264.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.56 грн
10+101.99 грн
100+69.78 грн
500+53.74 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF INFINEON IRF7469TRPBF.PDF Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.13 грн
500+30.89 грн
1000+26.16 грн
5000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.73 грн
250+67.11 грн
1000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.78 грн
500+53.74 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON 610314.pdf Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.91 грн
250+19.35 грн
1000+17.59 грн
2000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.98 грн
10+271.17 грн
25+251.75 грн
50+220.99 грн
100+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON bb535series_bb555series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d98def1d0130&fileId=db3a304313d846880113d99d5153013c Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.55 грн
28+29.14 грн
100+18.05 грн
500+11.12 грн
1000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM16TOBO1 KITLGPWRBOM16TOBO1 INFINEON 4386889.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3560.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.73 грн
10+429.83 грн
100+357.79 грн
500+296.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+495.40 грн
50+412.66 грн
100+337.20 грн
250+330.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+749.58 грн
5+658.91 грн
10+568.25 грн
50+484.07 грн
100+405.89 грн
250+397.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+961.66 грн
50+832.84 грн
100+712.57 грн
250+698.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+429.83 грн
100+357.79 грн
500+296.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+783.57 грн
50+667.47 грн
100+559.93 грн
250+548.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+568.25 грн
50+484.07 грн
100+405.89 грн
250+397.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384417.pdf Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+390.17 грн
50+315.70 грн
100+247.70 грн
250+242.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2DIB0400FXUMA1 3968035.pdf
2DIB0400FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2DIB0400FXUMA1 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.7 V, 6.5 V, NSOIC, 8 Pin(s), 40 Mbps
tariffCode: 85423919
rohsCompliant: YES
Isolation: Kapazitiv
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 40Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.78 грн
250+41.98 грн
500+38.30 грн
1000+33.37 грн
2500+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.09 грн
250+45.41 грн
1000+37.43 грн
2000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.27 грн
500+37.36 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N3T7BPSA1 3758284.pdf
FP100R12N3T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10048.84 грн
5+8792.54 грн
10+7285.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N2T7B11BPSA1 Infineon-FP100R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180a8df007a1d22
FP100R12N2T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8195.14 грн
5+7838.97 грн
10+7481.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI010 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J60TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J60TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 60ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.88 грн
10+356.98 грн
25+351.31 грн
50+320.96 грн
100+287.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI010 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J70TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.07 грн
10+339.98 грн
25+329.46 грн
50+292.39 грн
100+263.66 грн
250+259.50 грн
500+258.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI310 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J70BHI310
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70BHI310 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, parallel, 70ns, FBGA-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.07 грн
10+339.98 грн
25+329.46 грн
50+299.16 грн
100+269.21 грн
250+260.88 грн
500+256.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XMFA013 CYPR-S-A0003069045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL032P0XMFA013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL032P0XMFA013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 104MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF 695950.pdf
IRF540ZLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+412.83 грн
10+401.50 грн
100+390.98 грн
500+352.53 грн
1000+319.17 грн
5000+312.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
IPD036N04LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.04 грн
50+89.04 грн
100+59.33 грн
500+43.45 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.71 грн
10+110.90 грн
100+101.99 грн
500+85.69 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.80 грн
500+55.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
IPD036N04LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.33 грн
500+43.45 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.42 грн
500+63.59 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 Infineon-IPD90N10S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc80137500063630512
IPD90N10S4L06ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.33 грн
500+73.81 грн
1000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 2849604.pdf
IPD90N06S405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.00 грн
500+49.23 грн
1000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.99 грн
500+85.69 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S406ATMA1 Infineon-IPD90N10S4-06-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IPD90N10S406ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.18 грн
50+121.42 грн
100+95.52 грн
500+68.48 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.42 грн
500+45.10 грн
1000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1 3795149.pdf
IQE030N06NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.65 грн
10+170.80 грн
100+119.80 грн
500+93.96 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1 3795149.pdf
IQE030N06NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.65 грн
10+170.80 грн
100+119.80 грн
500+93.96 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.95 грн
10+98.76 грн
50+78.11 грн
100+66.22 грн
250+57.80 грн
500+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.22 грн
250+57.80 грн
500+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.25 грн
19+44.76 грн
100+35.37 грн
500+29.31 грн
1000+26.09 грн
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.39 грн
27+30.36 грн
100+23.72 грн
500+19.54 грн
1000+16.51 грн
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.72 грн
500+19.54 грн
1000+16.51 грн
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.37 грн
500+29.31 грн
1000+26.09 грн
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1 4265861.pdf
IMTA65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+640.30 грн
5+577.16 грн
10+513.21 грн
50+430.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1 4334672.pdf
ISZ143N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.89 грн
50+161.09 грн
250+133.56 грн
1000+98.47 грн
3000+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMBD914E6327HTSA1 smbd914_mmbd914series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c419bed0444
SMBD914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+6.99 грн
131+6.22 грн
184+4.41 грн
500+3.41 грн
1000+2.82 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
SMBD914E6327HTSA1 smbd914_mmbd914series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c419bed0444
SMBD914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+6.99 грн
131+6.22 грн
184+4.41 грн
500+3.41 грн
1000+2.82 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.51 грн
10+155.42 грн
100+128.71 грн
500+107.49 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.71 грн
500+107.49 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED003L06F2XUMA1 2334680.pdf
6ED003L06F2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.65 грн
10+170.80 грн
25+158.66 грн
50+145.07 грн
100+131.83 грн
250+129.75 грн
500+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1704E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.28 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.08 грн
10+185.37 грн
25+169.99 грн
50+150.33 грн
100+131.14 грн
250+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI30R11HXUMA1
ISSI30R11HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.99 грн
10+140.04 грн
25+127.90 грн
50+118.01 грн
100+108.24 грн
250+107.54 грн
500+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI30R12HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.32 грн
10+185.37 грн
25+169.99 грн
50+153.34 грн
100+138.07 грн
250+133.91 грн
500+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI30R11HXUMA1
ISSI30R11HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.24 грн
250+107.54 грн
500+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.14 грн
250+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0642DPBHI020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KL0642DPBHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.79 грн
10+333.50 грн
25+322.98 грн
50+293.90 грн
100+264.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.56 грн
10+101.99 грн
100+69.78 грн
500+53.74 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF.PDF
IRF7469TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.13 грн
500+30.89 грн
1000+26.16 грн
5000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.73 грн
250+67.11 грн
1000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.78 грн
500+53.74 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF 610314.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.91 грн
250+19.35 грн
1000+17.59 грн
2000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.98 грн
10+271.17 грн
25+251.75 грн
50+220.99 грн
100+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 bb535series_bb555series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d98def1d0130&fileId=db3a304313d846880113d99d5153013c
BB535E7904HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.55 грн
28+29.14 грн
100+18.05 грн
500+11.12 грн
1000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM16TOBO1 4386889.pdf
KITLGPWRBOM16TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3560.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+608.73 грн
10+429.83 грн
100+357.79 грн
500+296.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+495.40 грн
50+412.66 грн
100+337.20 грн
250+330.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+749.58 грн
5+658.91 грн
10+568.25 грн
50+484.07 грн
100+405.89 грн
250+397.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+961.66 грн
50+832.84 грн
100+712.57 грн
250+698.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+429.83 грн
100+357.79 грн
500+296.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+783.57 грн
50+667.47 грн
100+559.93 грн
250+548.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+568.25 грн
50+484.07 грн
100+405.89 грн
250+397.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 4384417.pdf
IMT40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+390.17 грн
50+315.70 грн
100+247.70 грн
250+242.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]