Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1337) > Сторінка 15 з 23
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR13N15DPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFR13N20DPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRFR2405 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR2905ZHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3303 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3303TRPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFR3355 | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 550V DPAK |
на замовлення 145 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3410 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3504Z | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFR3505HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 9031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3607TR | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TR; IRFR3607-GURT; IRFR3607; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TR-VB; IRFR3607TR TIRFR3607 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3710ZTR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3711TRLPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFR3910HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRFR4104TR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR4105 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR48Z | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 42A 91W IRFR48Z TIRFR48z кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5305 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 43252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR6215TRRPBF-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFR7546TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR7746PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFR9120N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3107TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS31N20DTRLP | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3206TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3306 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS33N15DTRLP-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3806PBF | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFS4115-7P | International Rectifier |
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4127TRL IRFS4127 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS41N15DTRLP | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFS4227TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4310HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4620 | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS7534TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7430PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7434PBF | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7730PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7734PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFU024N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFU1010ZPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFU1018EPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFU120N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU13N20D | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU220N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFU2607ZPBF | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFU3910 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4105Z | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4105ZPBF-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFU4510 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4615 | International Rectifier |
N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU5305 | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFU5410PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 281224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFR13N15DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR13N20DPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR2405 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 242.62 грн |
25+ | 153.71 грн |
100+ | 115.28 грн |
500+ | 89.37 грн |
1000+ | 79.38 грн |
2500+ | 73.63 грн |
5000+ | 71.04 грн |
IRFR2905ZHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 94.94 грн |
25+ | 60.28 грн |
100+ | 45.21 грн |
500+ | 34.66 грн |
1000+ | 30.88 грн |
2500+ | 28.55 грн |
5000+ | 27.51 грн |
IRFR3303 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.62 грн |
IRFR3303TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3355 |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 550V DPAK
MOSFET N-CH 550V DPAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 46.35 грн |
IRFR3410 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.25 грн |
IRFR3504Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR3505HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 9031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 97.95 грн |
25+ | 61.79 грн |
100+ | 46.72 грн |
500+ | 35.75 грн |
1000+ | 31.82 грн |
2500+ | 29.45 грн |
5000+ | 28.42 грн |
IRFR3607TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TR; IRFR3607-GURT; IRFR3607; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TR-VB; IRFR3607TR TIRFR3607
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TR; IRFR3607-GURT; IRFR3607; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TR-VB; IRFR3607TR TIRFR3607
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 41.17 грн |
IRFR3710ZTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 43.98 грн |
IRFR3711TRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
499+ | 43.94 грн |
IRFR3910HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 74.59 грн |
25+ | 47.47 грн |
100+ | 35.11 грн |
500+ | 27.10 грн |
1000+ | 24.15 грн |
2500+ | 22.28 грн |
5000+ | 21.51 грн |
IRFR3910TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 73.84 грн |
2001+ | 70.83 грн |
4001+ | 68.57 грн |
IRFR3910TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR4104TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 47.75 грн |
IRFR4105 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 22.37 грн |
IRFR48Z |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 30.07 грн |
IRFR5305 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 218.51 грн |
25+ | 195.15 грн |
100+ | 123.57 грн |
500+ | 102.45 грн |
1000+ | 82.75 грн |
2500+ | 63.94 грн |
5000+ | 61.35 грн |
10000+ | 59.42 грн |
25000+ | 56.83 грн |
IRFR5410 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 106.99 грн |
25+ | 93.43 грн |
100+ | 67.81 грн |
IRFR5410 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 46.43 грн |
IRFR5410TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 34.81 грн |
2001+ | 31.12 грн |
IRFR6215TRRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR7546TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 44.92 грн |
IRFR7746PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9120N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.49 грн |
IRFS3107TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 205.65 грн |
IRFS31N20DTRLP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 59.78 грн |
IRFS3206TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 105.08 грн |
IRFS3306 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 112.03 грн |
IRFS33N15DTRLP-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3806PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4115-7P |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 180.46 грн |
IRFS4127TRL IRFS4127 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 116.36 грн |
IRFS41N15DTRLP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4227TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 124.07 грн |
IRFS4310HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 191.38 грн |
25+ | 109.25 грн |
100+ | 76.85 грн |
500+ | 71.20 грн |
1000+ | 63.24 грн |
2500+ | 58.77 грн |
IRFS4620 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 111.28 грн |
IRFS7534TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 131.77 грн |
IRFSL7430PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
161+ | 136.94 грн |
IRFSL7434PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL7730PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Description: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
163+ | 139.27 грн |
IRFSL7734PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Description: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
202+ | 112.78 грн |
IRFU024N |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 116.04 грн |
1051+ | 102.47 грн |
2721+ | 84.39 грн |
IRFU024N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n
кількість в упаковці: 15 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 32.52 грн |
IRFU1010ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
562+ | 40.06 грн |
IRFU1018EPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
547+ | 41.56 грн |
IRFU120N |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 112.27 грн |
1571+ | 100.21 грн |
IRFU120N |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.44 грн |
IRFU13N20D |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 41.17 грн |
IRFU220N |
![]() |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 28.76 грн |
IRFU2607ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Description: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU3910 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 27.63 грн |
IRFU4105Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 30.07 грн |
IRFU4105ZPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
717+ | 31.92 грн |
IRFU4510 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 55.64 грн |
IRFU4615 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 43.98 грн |
IRFU5305 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305
кількість в упаковці: 25 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 43.23 грн |
IRFU5410PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 281224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
532+ | 42.33 грн |