Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1383) > Сторінка 15 з 24
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP7430 | International Rectifier |
N-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFPC42 | International Rectifier |
Description: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR1205 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR1205 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR1205HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR120NTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR120N; IRFR120NTRL; IRFR120NTR; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120N TIRFR120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 938 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR120NTRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR120NTRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFR13N15D | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR13N15DPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR13N20DPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR220NTR | International Rectifier |
N-MOSFET 5A 200V 43W 0.6Ω IRFR220N, IRFR220NTR IRFR220N TIRFR220n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR2405 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR2905ZHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3303 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3303TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR3355 | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 550V DPAK |
на замовлення 145 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3410 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3504Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFR3505HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 9031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3711TRLPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFR4104TR | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR4105 | International Rectifier |
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR48Z | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 42A 91W IRFR48Z TIRFR48z кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5305 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 43252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5305TRL | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFR5410 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR6215TRRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR7546TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR7746PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR825PBF | International Rectifier | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR9120NTR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 440 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR9120NTR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3107PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS3107TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS31N20DTRLP | International Rectifier |
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3206TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3306 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS33N15DTRLP-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS3806PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS4115-7P | International Rectifier |
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4115TRL7PP | International Rectifier |
Description: IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V |
на замовлення 23788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4127PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS4127TRL IRFS4127 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS41N15DTRLP | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS4227TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4310HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4620 | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS7434-7PPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS7434PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS7534TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS7734PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFS7762TRLPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFSL3806PBF | International Rectifier | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET |
товар відсутній |
IRFP7430 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 169.31 грн |
IRFPC42 |
Виробник: International Rectifier
Description: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
214+ | 91.2 грн |
IRFR024N |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 229.05 грн |
25+ | 190.75 грн |
100+ | 114.88 грн |
500+ | 109.39 грн |
1000+ | 99.99 грн |
2500+ | 94.76 грн |
IRFR1205 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 27.02 грн |
IRFR1205 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 27.02 грн |
IRFR1205HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 96.82 грн |
25+ | 61.42 грн |
100+ | 46.24 грн |
500+ | 35.53 грн |
1000+ | 31.48 грн |
2500+ | 29.11 грн |
5000+ | 28.06 грн |
IRFR120NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR120N; IRFR120NTRL; IRFR120NTR; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120N TIRFR120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR120N; IRFR120NTRL; IRFR120NTR; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120N TIRFR120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.25 грн |
IRFR120NTRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 33.38 грн |
2001+ | 32.15 грн |
4001+ | 29.84 грн |
IRFR120NTRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR13N15D |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.06 грн |
IRFR13N15DPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR13N20DPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR220NTR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 5A 200V 43W 0.6Ω IRFR220N, IRFR220NTR IRFR220N TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 5A 200V 43W 0.6Ω IRFR220N, IRFR220NTR IRFR220N TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 27.37 грн |
IRFR2405 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 232.66 грн |
25+ | 147.4 грн |
100+ | 110.55 грн |
500+ | 85.7 грн |
1000+ | 76.12 грн |
2500+ | 70.6 грн |
5000+ | 68.13 грн |
IRFR2905ZHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 91.04 грн |
25+ | 57.8 грн |
100+ | 43.35 грн |
500+ | 33.23 грн |
1000+ | 29.61 грн |
2500+ | 27.37 грн |
5000+ | 26.38 грн |
IRFR3303 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.09 грн |
IRFR3303TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR3355 |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 550V DPAK
MOSFET N-CH 550V DPAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 46.35 грн |
IRFR3410 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 24.46 грн |
IRFR3504Z |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR3505HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 9031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 93.93 грн |
25+ | 59.25 грн |
100+ | 44.8 грн |
500+ | 34.28 грн |
1000+ | 30.51 грн |
2500+ | 28.24 грн |
5000+ | 27.25 грн |
IRFR3711TRLPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
609+ | 32.25 грн |
IRFR3910HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 71.53 грн |
25+ | 45.52 грн |
100+ | 33.67 грн |
500+ | 25.99 грн |
1000+ | 23.16 грн |
2500+ | 21.37 грн |
5000+ | 20.62 грн |
IRFR3910TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 70.81 грн |
2001+ | 67.92 грн |
4001+ | 65.75 грн |
IRFR3910TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR4104TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 47.03 грн |
IRFR4105 |
Виробник: International Rectifier
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 21.55 грн |
IRFR48Z |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 29.76 грн |
IRFR5305 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 209.54 грн |
25+ | 187.14 грн |
100+ | 118.5 грн |
500+ | 98.24 грн |
1000+ | 79.35 грн |
2500+ | 61.31 грн |
5000+ | 58.84 грн |
10000+ | 56.98 грн |
25000+ | 54.5 грн |
IRFR5305TRL |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR5410 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 102.6 грн |
25+ | 89.59 грн |
100+ | 65.03 грн |
IRFR5410 |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 57.97 грн |
IRFR5410TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 33.38 грн |
2001+ | 29.84 грн |
IRFR6215TRRPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR7546TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 44.29 грн |
IRFR7746PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR825PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IRFR9120NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.09 грн |
IRFR9120NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.09 грн |
IRFS3107PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFS3107TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 203.34 грн |
IRFS31N20DTRLP |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.34 грн |
IRFS3206TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 95.6 грн |
IRFS3306 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.54 грн |
IRFS33N15DTRLP-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS4115-7P |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 164.17 грн |
IRFS4115TRL7PP |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
Description: IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
на замовлення 23788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
144+ | 137.55 грн |
IRFS4127PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFS4127TRL IRFS4127 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 105.86 грн |
IRFS41N15DTRLP |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS4227TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 122.96 грн |
IRFS4310HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 183.53 грн |
25+ | 104.77 грн |
100+ | 73.7 грн |
500+ | 68.28 грн |
1000+ | 60.64 грн |
2500+ | 56.36 грн |
IRFS4620 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 73.19 грн |
IRFS7434-7PPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS7434PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS7534TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 122.79 грн |
IRFS7734PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
товар відсутній
IRFS7762TRLPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 71.27 грн |
IRFSL3806PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній