Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (2740) > Сторінка 15 з 46
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1311 | International Rectifier | СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори |
на замовлення 33 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||
|
|
IRF1312 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312кількість в упаковці: 44 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1312PBF | International Rectifier |
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF1324 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRF1324S | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF140 | International Rectifier | MOSFET N 100V 28A 150W TO-3 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1404PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1404PBF-EL | International Rectifier |
Description: MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF1404STR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRF1404Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1404ZPBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF1404ZS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRF1405 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRF1405 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1405PBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1405SPBF | International Rectifier |
TO-263 (D2Pak) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1405ZPBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF1405ZSTRLPBF | International Rectifier |
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1405ZSTRLPBF | International Rectifier |
N-CH 55V 75A D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1405ZSTRRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.9mOhm, D2PAK, -55...+175 Транзистори |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||
| IRF1407 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF1407LPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRF1407PBF | International Rectifier |
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1407PBF | International Rectifier |
T0220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1407STR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF141 | International Rectifier |
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL POCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 150W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF142 | International Rectifier |
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWDrain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 150W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF143 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF1503PBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF1640PBF | International Rectifier | Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF200B211 | International Rectifier |
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF220 | International Rectifier |
Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF220 | International Rectifier | TO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF2204PBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF221 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRF224 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF225 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF230 | International Rectifier |
TO-3 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF234 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A Power Dissipation (Max): 74W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF240 | International Rectifier | (MFET, N-CH, 200V, 18A, TO-204AE) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF241 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| IRF242 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF243 | International Rectifier |
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL POMounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 125W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF245 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF250 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Case: TO3 Power: 150W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF250 | International Rectifier |
TO-3 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF250P225 | International Rectifier |
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF253 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF2804 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF2804LPBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF2804PBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF2804S-7PPBF | International Rectifier |
D2PAK-7 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF2804SPBF | International Rectifier |
TO-263 (D2Pak) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRF2804SPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF2804STRLPBF | International Rectifier |
D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRF2805PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||
|
|
IRF2807 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRF1311 |
Виробник: International Rectifier
СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.90 грн |
| IRF1312 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 66.40 грн |
| IRF1312PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1324 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 97.11 грн |
| IRF1324S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 129.55 грн |
| IRF140 |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N 100V 28A 150W TO-3 Транзистори
MOSFET N 100V 28A 150W TO-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1404 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 58.18 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Транзистори
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1404STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 79.80 грн |
| IRF1404Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 73.75 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1404ZS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 136.04 грн |
| IRF1405 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 54.94 грн |
| IRF1405 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 54.94 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1405SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-263 (D2Pak) Транзистори
TO-263 (D2Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1405ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1405ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 158+ | 129.37 грн |
| IRF1405ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-CH 55V 75A D2PAK Транзистори
N-CH 55V 75A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1405ZSTRRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.9mOhm, D2PAK, -55...+175 Транзистори
MOSFET N-CH, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.9mOhm, D2PAK, -55...+175 Транзистори
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.46 грн |
| IRF1407 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| IRF1407LPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 98.84 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
T0220 Транзистори
T0220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Транзистори
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF141 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF142 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF143 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 120.96 грн |
| IRF1503PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1640PBF |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 384+ | 52.22 грн |
| IRF220 |
Виробник: International Rectifier
TO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори
TO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2204PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF221 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF224 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 112+ | 179.83 грн |
| IRF225 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 152.36 грн |
| IRF230 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-3 Транзистори
TO-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF234 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 297+ | 74.51 грн |
| IRF240 |
Виробник: International Rectifier
(MFET, N-CH, 200V, 18A, TO-204AE) Транзистори
(MFET, N-CH, 200V, 18A, TO-204AE) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF241 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 181+ | 121.27 грн |
| IRF242 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF243 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF245 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF250 |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Case: TO3
Power: 150W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Case: TO3
Power: 150W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF250 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-3 Транзистори
TO-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF250P225 |
![]() |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 351.45 грн |
| IRF253 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 120.90 грн |
| IRF2804LPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804S-7PPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
D2PAK-7 Транзистори
D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-263 (D2Pak) Транзистори
TO-263 (D2Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804SPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
D2PAK Транзистори
D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.62 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.55 грн |
| IRF2807 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 49.52 грн |














