Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (2740) > Сторінка 18 з 46
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6215SHR | International Rectifier | Hexfet Power Mosfet |
на замовлення 9438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF6216 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF6216PBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6216PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF6216TRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6217PBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF6217TR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6217TRPBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6218 | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6218pbf | International Rectifier |
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6218PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-220AB Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF630N | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF630N | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630NPBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRF630NS | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF630NSTRLPBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF630S | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF634 | International Rectifier |
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF634S | International Rectifier |
D2Pak (TO-263) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF640N | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF640N | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF640NHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10495 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF640NL | International Rectifier |
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nlкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF640NPBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF640NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF640NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7412 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSTRLPBF | International Rectifier |
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSTRRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9600 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6603 | International Rectifier |
MFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6603TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6608 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6613TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF6613TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 87 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6613TR1PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6613TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
на замовлення 22140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6616TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6617TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6617TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6620TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6635 | International Rectifier |
MFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6637TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V |
на замовлення 26574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6641TR1PBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF6645TR | International Rectifier |
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6645TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6655TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6662TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
на замовлення 8018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | International Rectifier |
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6710S2TR1PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6711STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6713STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Bulk |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6714MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECTOperating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 56738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6716MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V |
на замовлення 86468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6716MTRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF6721STR1PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF6721STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6722MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFTRds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6724MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF6726MTRPBFTR | International Rectifier |
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF6215SHR |
Виробник: International Rectifier
Hexfet Power Mosfet
Hexfet Power Mosfet
на замовлення 9438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 122.30 грн |
| 25+ | 77.15 грн |
| 100+ | 58.33 грн |
| 500+ | 44.63 грн |
| 1000+ | 39.73 грн |
| 2500+ | 36.77 грн |
| 5000+ | 35.48 грн |
| IRF6216 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 234.26 грн |
| 25+ | 210.74 грн |
| 100+ | 120.42 грн |
| 500+ | 101.61 грн |
| IRF6216PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6216PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6216TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6217PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6217TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 15.05 грн |
| IRF6217TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6218 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6218pbf |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6218PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF630N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF630N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 36.12 грн |
| IRF630NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF630NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 38.72 грн |
| IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF630S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 30.93 грн |
| IRF634 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 30.50 грн |
| IRF634S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
D2Pak (TO-263) Транзистори
D2Pak (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.46 грн |
| IRF640N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.46 грн |
| IRF640NHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10495 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 40.88 грн |
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 67.05 грн |
| IRF640NSHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7412 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSTRLHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSTRRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6603 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
MFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6603TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6608 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6613TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 70.56 грн |
| 1001+ | 67.74 грн |
| 3001+ | 65.86 грн |
| IRF6613TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6613TR1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6613TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 195+ | 104.38 грн |
| IRF6616TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 164+ | 125.05 грн |
| IRF6617TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 36.56 грн |
| 1001+ | 31.16 грн |
| IRF6617TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 37.91 грн |
| IRF6620TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 360+ | 56.33 грн |
| IRF6635 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
MFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6637TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 26574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 332+ | 65.08 грн |
| IRF6641TR1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6645TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 120.42 грн |
| IRF6645TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Транзистори
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6655TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6662TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 118.90 грн |
| IRF6665TR1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6710S2TR1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6711STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 281+ | 78.09 грн |
| IRF6713STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 189+ | 108.65 грн |
| IRF6714MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 56738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 100.45 грн |
| IRF6716MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
на замовлення 86468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 216+ | 94.34 грн |
| IRF6716MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6721STR1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6721STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 517+ | 42.33 грн |
| IRF6722MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 332+ | 65.08 грн |
| IRF6724MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 205+ | 107.28 грн |
| IRF6726MTRPBFTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 116.87 грн |









