| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXDD604SITR | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604siкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDD604SIATR | IXYS |
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDD609SI | IXYS |
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609siкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDD609SIA | IXYS |
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDD614SI | IXYS |
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614siкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDF604SIA | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDI614CI | IXYS |
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ciкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDI630CI | IXYS |
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ciкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDN604PI | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604piкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDN604SIATR | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDN609SIA | IXYS |
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609siaкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDN609YI | IXYS |
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yiкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXDN614SI | IXYS |
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614siкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC3703CTR | IXYS |
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703cкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXGR48N60C3D1 | IXYS |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CLA30E1200HB | IXYS |
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA; CLA30E1200HB TYCLA30e1200hbкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CLA30E1200PB | IXYS |
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA; CLA30E1200PB TYCLA30e1200pbкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CLA80E1200HF | IXYS |
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA; CLA80E1200HF TYCLA80e1200hfкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CS19-08ho1 | IXYS |
Thyristor; 31A; 800V; 28mA; CS19-08HO1 TYCS19-08ho1кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CS19-12HO1 | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA; CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CS20-14IO1 | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CS20-16IO1 | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MCC26-12io8B | IXYS |
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8Bкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1303G | IXYS |
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303gкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1303GR | IXYS |
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303grкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1006N | IXYS |
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1008NTR | IXYS |
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYSкількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1014NTR | IXYS |
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1017NTR | IXYS |
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017Nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1017NTR | IXYS |
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017Nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1018NTR | IXYS |
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| CPC1018NTR | IXYS |
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFH60N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFH60N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IXFQ60N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO3P On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFT60N60X3HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXKH24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXKP24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXKP24N60C5M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTP4N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXYP10N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 54A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 18nC Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 208 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXXK110N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 570A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 183nC Turn-on time: 65ns Turn-off time: 250ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-off time: 102ns Turn-on time: 36ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXYP15N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Turn-on time: 36ns Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 122ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXYP15N65C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Turn-on time: 36ns Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 102ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXYP15N65C3D1M | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 57W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Turn-on time: 36ns Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 122ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DSS16-0045A | IXYS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Mounting: THT Max. off-state voltage: 45V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.57V Max. forward impulse current: 280A Kind of package: tube Power dissipation: 105W Max. load current: 35A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| DSS16-0045AS-TUB | IXYS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 45V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.57V Max. forward impulse current: 280A Kind of package: tube Power dissipation: 105W Max. load current: 35A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IXFA20N50P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFH20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 266 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFP20N50P3M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 58W Case: TO220FP On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXFQ20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTY4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXDD604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604si
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604si
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 140.62 грн |
| IXDD604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 76.26 грн |
| IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 99.41 грн |
| IXDD609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609sia
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 82.63 грн |
| IXDD614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 209.23 грн |
| IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 71.80 грн |
| IXDI614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 220.91 грн |
| IXDI630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 339.86 грн |
| IXDN604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 76.04 грн |
| IXDN604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 83.06 грн |
| IXDN609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 67.55 грн |
| IXDN609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 171.42 грн |
| IXDN614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 218.36 грн |
| CPC3703CTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.35 грн |
| IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 585.62 грн |
| CLA30E1200HB |
![]() |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 159.10 грн |
| CLA30E1200PB |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 161.22 грн |
| CLA80E1200HF |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 354.52 грн |
| CS19-08ho1 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 110.24 грн |
| CS19-12HO1 | ![]() |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 110.67 грн |
| CS20-14IO1 |
![]() |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.95 грн |
| CS20-16IO1 |
![]() |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 229.83 грн |
| MCC26-12io8B |
![]() |
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1376.44 грн |
| CPC1303G |
![]() |
Виробник: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 38.23 грн |
| CPC1303GR |
![]() |
Виробник: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 57.99 грн |
| CPC1006N |
![]() |
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 59.14 грн |
| CPC1008NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 55.86 грн |
| CPC1014NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 69.88 грн |
| CPC1017NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 50.13 грн |
| CPC1017NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 50.13 грн |
| CPC1018NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 129.57 грн |
| CPC1018NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 129.57 грн |
| IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 723.80 грн |
| 5+ | 568.64 грн |
| 10+ | 507.23 грн |
| 30+ | 491.25 грн |
| IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 807.14 грн |
| 10+ | 619.95 грн |
| 30+ | 481.99 грн |
| IXFH60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH60N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFT60N60X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKH24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTP4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 193.86 грн |
| 10+ | 102.62 грн |
| 50+ | 95.89 грн |
| IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 177.55 грн |
| 10+ | 127.02 грн |
| IXYP10N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXXH110N65C4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 938.49 грн |
| 3+ | 798.28 грн |
| 5+ | 744.44 грн |
| 10+ | 658.64 грн |
| 30+ | 593.87 грн |
| IXXK110N65B4H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1585.29 грн |
| 3+ | 1397.19 грн |
| 5+ | 1294.57 грн |
| 10+ | 1080.91 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 169.92 грн |
| 10+ | 148.89 грн |
| 50+ | 134.59 грн |
| IXYP15N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP15N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DSS16-0045A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 95.12 грн |
| 6+ | 79.91 грн |
| 10+ | 70.66 грн |
| DSS16-0045AS-TUB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.09 грн |
| 3+ | 192.63 грн |
| IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 475.59 грн |
| 5+ | 363.39 грн |
| 10+ | 322.17 грн |
| 30+ | 272.54 грн |
| IXFP20N50P3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 436.64 грн |
| 10+ | 264.97 грн |
| 30+ | 234.69 грн |
| 60+ | 233.85 грн |
| IXTA4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 150.38 грн |
| IXTY4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 196.58 грн |










