Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15207) > Сторінка 229 з 254

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXDD614SI IXDD614SI IXYS info-uiixdd614si.pdf Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+213.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDF604SIA IXDF604SIA IXYS info-uiixdf604sia.pdf Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614CI IXDI614CI IXYS info-uiixdi614ci.pdf Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+224.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630CI IXDI630CI IXYS info-uiixdi630ci.pdf Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+346.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXDN604PI IXYS UIIXDN604pi_IXYS_0001.pdf Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIATR IXDN604SIATR IXYS UIIXDN604sia_0001.pdf Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SIA IXDN609SIA IXYS info-uiixdn609sia.pdf Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXDN609YI IXYS UIIXDN609yi_IXYS_0001.pdf Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+174.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDN614SI IXYS UIIXDN614si_IXYS_0001.pdf Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+239.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR IXYS PdfFile_200801.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS TIXGR48n60c3d1_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+596.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6 Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200PB-Datasheet?assetguid=a4d05f17-646e-47d1-8dd8-9de3c784ec65 Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+164.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet?assetguid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3 Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+360.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08ho1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 IXYS littelfuse-power-semiconductors-cs19-08ho1-datasheet?assetguid=d1c925b9-0721-4534-9592-e4d653ae10b8 description It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-14IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-16IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+234.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12io8B MCC26-12io8B IXYS info-mo%20mcc26-12io8b.pdf Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1401.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303G IXYS CPC1303.pdf Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GR IXYS CPC1303.pdf Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41 SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d 400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR CPC1018NTR IXYS P_CPC1018N_IXYS_0001.pdf Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+131.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR CPC1018NTR IXYS P_CPC1018N_IXYS_0001.pdf Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+131.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+728.39 грн
5+572.24 грн
10+510.45 грн
30+494.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+812.26 грн
10+623.88 грн
30+485.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 198ns
Turn-on time: 54ns
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1033.79 грн
5+807.57 грн
10+720.38 грн
30+684.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 198ns
Turn-on time: 54ns
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+486.81 грн
3+399.55 грн
10+358.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.09 грн
10+103.27 грн
50+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.68 грн
10+127.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+944.45 грн
3+803.34 грн
5+749.16 грн
10+662.82 грн
30+597.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1595.35 грн
3+1406.06 грн
5+1302.78 грн
10+1087.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.00 грн
10+149.83 грн
50+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS DSS16-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.72 грн
6+80.42 грн
10+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.55 грн
3+193.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+478.60 грн
5+365.69 грн
10+324.21 грн
30+274.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M IXYS IXFP20N50P3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+439.40 грн
10+266.65 грн
30+236.18 грн
60+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+151.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS IXKN40N60C.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N CPC1008N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.80 грн
5+273.42 грн
10+263.27 грн
25+252.26 грн
30+249.72 грн
50+242.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008NTR IXYS CPC1008N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614SI info-uiixdd614si.pdf
IXDD614SI
Виробник: IXYS
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDF604SIA info-uiixdf604sia.pdf
IXDF604SIA
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614CI info-uiixdi614ci.pdf
IXDI614CI
Виробник: IXYS
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630CI info-uiixdi630ci.pdf
IXDI630CI
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI UIIXDN604pi_IXYS_0001.pdf
IXDN604PI
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIATR UIIXDN604sia_0001.pdf
IXDN604SIATR
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SIA info-uiixdn609sia.pdf
IXDN609SIA
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI UIIXDN609yi_IXYS_0001.pdf
IXDN609YI
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+174.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI UIIXDN614si_IXYS_0001.pdf
IXDN614SI
Виробник: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR PdfFile_200801.pdf
Виробник: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1_0001.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+596.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6
Виробник: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200PB-Datasheet?assetguid=a4d05f17-646e-47d1-8dd8-9de3c784ec65
Виробник: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet?assetguid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3
Виробник: IXYS
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+360.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08ho1 media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet
Виробник: IXYS
Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 description littelfuse-power-semiconductors-cs19-08ho1-datasheet?assetguid=d1c925b9-0721-4534-9592-e4d653ae10b8
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+112.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-14IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-16IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12io8B info-mo%20mcc26-12io8b.pdf
MCC26-12io8B
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1401.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303G CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GR CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
Виробник: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d
Виробник: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR P_CPC1018N_IXYS_0001.pdf
CPC1018NTR
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+131.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR P_CPC1018N_IXYS_0001.pdf
CPC1018NTR
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+131.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.39 грн
5+572.24 грн
10+510.45 грн
30+494.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+812.26 грн
10+623.88 грн
30+485.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 198ns
Turn-on time: 54ns
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1033.79 грн
5+807.57 грн
10+720.38 грн
30+684.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 198ns
Turn-on time: 54ns
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.81 грн
3+399.55 грн
10+358.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.09 грн
10+103.27 грн
50+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.68 грн
10+127.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.45 грн
3+803.34 грн
5+749.16 грн
10+662.82 грн
30+597.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1595.35 грн
3+1406.06 грн
5+1302.78 грн
10+1087.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.00 грн
10+149.83 грн
50+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045A DSS16-0045A.pdf
DSS16-0045A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.72 грн
6+80.42 грн
10+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TUB DSS16-0045A.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.55 грн
3+193.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.60 грн
5+365.69 грн
10+324.21 грн
30+274.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M.pdf
IXFP20N50P3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.40 грн
10+266.65 грн
30+236.18 грн
60+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C description
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C.pdf
IXKN40N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C.pdf
IXKR40N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
CPC1008N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.80 грн
5+273.42 грн
10+263.27 грн
25+252.26 грн
30+249.72 грн
50+242.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008N.pdf
CPC1008NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]