Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 254 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.65 грн
3+329.59 грн
10+269.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1349.66 грн
3+1193.93 грн
10+1080.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.71 грн
10+417.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.22 грн
5+496.85 грн
10+444.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117N CPC1117N IXYS cpc1117n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.83 грн
50+80.75 грн
100+76.63 грн
300+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80Q IXFK27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.50 грн
10+175.51 грн
25+140.08 грн
50+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=350D5F86-1037-44C7-AFE1-4B49E34623C5&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Super-Junction-IXKC15N60C5-Datasheet.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Gate charge: 640nC
Reverse recovery time: 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 960W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1080.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.77 грн
3+543.82 грн
10+445.77 грн
25+380.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+779.98 грн
3+667.42 грн
5+625.39 грн
10+559.48 грн
15+524.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.45 грн
10+159.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 IXYS IXFN110N60P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 275A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P IXFA10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS IXFB110N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2125.21 грн
3+1953.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.36 грн
10+142.55 грн
25+117.83 грн
50+95.58 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1802.21 грн
5+1425.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 430W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.49 грн
10+272.73 грн
50+242.25 грн
100+228.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4765.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.42 грн
10+482.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS IXFH60N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS IXFH60N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.85 грн
3+448.24 грн
10+396.33 грн
30+355.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.33 грн
3+815.73 грн
10+718.50 грн
30+645.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IXYS IXXH60N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1437.51 грн
3+1282.92 грн
10+1262.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 IXYS DS100516AIXXKX160N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Gate charge: 422nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Gate charge: 422nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1150N CPC1150N IXYS CPC1150N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.53 грн
10+155.73 грн
100+145.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 IXYS IXFA(P)180N10T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+439.24 грн
10+305.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 IXYS IXFA(P)180N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.86 грн
3+388.09 грн
10+316.40 грн
50+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS IXYH75N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS IXYN75N65C3D1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.07 грн
10+321.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1106N CPC1106N IXYS CPC1106N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.60 грн
10+92.28 грн
50+75.81 грн
100+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1106NTR CPC1106NTR IXYS CPC1106N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.93 грн
10+88.99 грн
100+78.28 грн
500+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.86 грн
3+841.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.26 грн
10+467.19 грн
30+428.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.32 грн
3+274.38 грн
10+242.25 грн
50+227.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.34 грн
3+417.75 грн
10+375.73 грн
30+369.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.45 грн
10+267.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.07 грн
10+275.21 грн
50+239.78 грн
100+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 IXYS IXKH35N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 IXYS IXFN120N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P IXYS IXFN26N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4872.46 грн
3+3995.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114N CPC1114N IXYS CPC1114N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.76 грн
10+105.47 грн
40+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5501.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1877.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1987.67 грн
10+1817.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB IXYS CLA100E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.33 грн
5+418.58 грн
10+359.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 340ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.65 грн
3+329.59 грн
10+269.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1349.66 грн
3+1193.93 грн
10+1080.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.71 грн
10+417.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.22 грн
5+496.85 грн
10+444.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117N cpc1117n.pdf
CPC1117N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.83 грн
50+80.75 грн
100+76.63 грн
300+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFK27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTA08N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.50 грн
10+175.51 грн
25+140.08 грн
50+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTY08N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5 media?resourcetype=datasheets&itemid=350D5F86-1037-44C7-AFE1-4B49E34623C5&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Super-Junction-IXKC15N60C5-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTX90N25L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Gate charge: 640nC
Reverse recovery time: 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 960W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1080.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.77 грн
3+543.82 грн
10+445.77 грн
25+380.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.98 грн
3+667.42 грн
5+625.39 грн
10+559.48 грн
15+524.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.45 грн
10+159.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3.pdf
IXFN110N60P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 275A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFA10N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3.pdf
IXFB110N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2125.21 грн
3+1953.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.36 грн
10+142.55 грн
25+117.83 грн
50+95.58 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1802.21 грн
5+1425.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 430W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.49 грн
10+272.73 грн
50+242.25 грн
100+228.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4765.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.42 грн
10+482.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2.pdf
IXFH60N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4.pdf
IXFH60N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.85 грн
3+448.24 грн
10+396.33 грн
30+355.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.33 грн
3+815.73 грн
10+718.50 грн
30+645.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4.pdf
IXXH60N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1437.51 грн
3+1282.92 грн
10+1262.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 DS100516AIXXKX160N65C4.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Gate charge: 422nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXX160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Gate charge: 422nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1150N CPC1150N.pdf
CPC1150N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.53 грн
10+155.73 грн
100+145.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA(P)180N10T2.pdf
IXFA180N10T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.24 грн
10+305.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFA(P)180N10T2.pdf
IXFP180N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.86 грн
3+388.09 грн
10+316.40 грн
50+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1.pdf
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1.pdf
IXYN75N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.07 грн
10+321.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1106N CPC1106N.pdf
CPC1106N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.60 грн
10+92.28 грн
50+75.81 грн
100+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1106NTR CPC1106N.pdf
CPC1106NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.93 грн
10+88.99 грн
100+78.28 грн
500+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+977.86 грн
3+841.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGH72N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+683.26 грн
10+467.19 грн
30+428.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFA22N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.32 грн
3+274.38 грн
10+242.25 грн
50+227.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P.pdf
IXFH22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.34 грн
3+417.75 грн
10+375.73 грн
30+369.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFH22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.45 грн
10+267.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFP22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.07 грн
10+275.21 грн
50+239.78 грн
100+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5.pdf
IXKH35N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2.pdf
IXFN120N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P.pdf
IXFN26N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4872.46 грн
3+3995.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114N CPC1114N.pdf
CPC1114N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.76 грн
10+105.47 грн
40+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5501.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1987.67 грн
10+1817.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB.pdf
CLA100E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.33 грн
5+418.58 грн
10+359.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 340ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]