Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 254 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTX240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTX240N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100 IXYS IXTX24N100 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF IXTX32P60P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX3N250L IXYS IXTX3N250L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTX40P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTX46N50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX4N300P3HV IXYS IXTX4N300P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 3kV; 4A; 960W; 420ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 139nC
Technology: Polar3™
Kind of channel: enhancement
Case: TO247PLUS-HV
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTX550N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2 IXTX600N04T2 IXYS IXTK(X)600N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 1.5mΩ
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Drain current: 600A
Reverse recovery time: 100ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTX60N50L2 IXYS IXTK(X)60N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 610nC
Drain current: 60A
Reverse recovery time: 980ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTX6N200P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2873.85 грн
30+2725.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 640nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 315ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1294.44 грн
3+1180.21 грн
30+1124.84 грн
120+1092.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f IXTY01N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7 IXTY01N100D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTY02N120P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5 IXTY02N50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+290.77 грн
5+252.44 грн
6+193.75 грн
15+182.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf IXTY08N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15T IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf IXTY10P15T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+327.47 грн
5+230.53 грн
13+217.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_15p15t_datasheet.pdf.pdf IXTY15P15T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf IXTY18P10T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N100P IXYS DS99234G(IXTA-TP-TY1N100P).pdf IXTY1N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.70 грн
5+204.00 грн
7+164.15 грн
18+155.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80P IXYS DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf IXTY1N80P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTY1R4N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTY1R4N120P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHV IXYS DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf IXTY1R4N120PHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.53 грн
6+186.30 грн
17+169.53 грн
50+164.15 грн
70+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXTY26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.34 грн
6+194.68 грн
16+176.71 грн
140+174.92 грн
560+170.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.22 грн
7+158.36 грн
19+144.42 грн
70+141.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2 IXTY2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf IXTY2P50PA SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY32P05T IXYS DS99967C(IXTY-TA-TP32P05T).pdf IXTY32P05T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P IXYS 99200.pdf IXTY3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.00 грн
22+49.60 грн
30+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.93 грн
10+117.37 грн
26+106.74 грн
70+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTY48P05T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.81 грн
10+120.16 грн
26+109.43 грн
560+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.68 грн
10+134.14 грн
13+81.63 грн
36+78.04 грн
140+76.24 грн
560+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N70X2 IXTY8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTZ550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtz550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTZ550N055T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3 IXXH100N60B3 IXYS IXXH100N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3 IXYS IXXH100N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1046.18 грн
2+723.78 грн
5+658.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4 IXXH140N65B4 IXYS IXXH140N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4 IXXH140N65C4 IXYS IXXH140N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+823.03 грн
2+569.15 грн
6+517.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+523.57 грн
3+454.57 грн
4+348.93 грн
9+330.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+697.45 грн
3+501.15 грн
7+456.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXH30N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1 IXYS IXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1 IXYS IXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.69 грн
3+426.63 грн
4+327.40 грн
9+309.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 IXYS IXXH40N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX240N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100
Виробник: IXYS
IXTX24N100 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTX32P60P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX3N250L
Виробник: IXYS
IXTX3N250L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX40P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX46N50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX4N300P3HV IXTX4N300P3HV.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 3kV; 4A; 960W; 420ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 139nC
Technology: Polar3™
Kind of channel: enhancement
Case: TO247PLUS-HV
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX550N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2 IXTK(X)600N04T2.pdf
IXTX600N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 1.5mΩ
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Drain current: 600A
Reverse recovery time: 100ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTK(X)60N50L2.pdf
IXTX60N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 610nC
Drain current: 60A
Reverse recovery time: 980ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX6N200P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2873.85 грн
30+2725.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTX90N25L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 640nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 315ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1294.44 грн
3+1180.21 грн
30+1124.84 грн
120+1092.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f
Виробник: IXYS
IXTY01N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7
Виробник: IXYS
IXTY01N100D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Виробник: IXYS
IXTY02N120P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
Виробник: IXYS
IXTY02N50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+290.77 грн
5+252.44 грн
6+193.75 грн
15+182.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY08N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTY08N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15T DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf
Виробник: IXYS
IXTY10P15T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
Виробник: IXYS
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.47 грн
5+230.53 грн
13+217.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_15p15t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY15P15T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY18P10T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N100P DS99234G(IXTA-TP-TY1N100P).pdf
Виробник: IXYS
IXTY1N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY(A,P)1N120P.pdf
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.70 грн
5+204.00 грн
7+164.15 грн
18+155.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80P DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf
Виробник: IXYS
IXTY1N80P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY1R4N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY1R4N120P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHV DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf
Виробник: IXYS
IXTY1R4N120PHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf
IXTY1R6N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.53 грн
6+186.30 грн
17+169.53 грн
50+164.15 грн
70+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTY26P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.34 грн
6+194.68 грн
16+176.71 грн
140+174.92 грн
560+170.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTY2N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.22 грн
7+158.36 грн
19+144.42 грн
70+141.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTY2N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXTY2P50PA SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY32P05T DS99967C(IXTY-TA-TP32P05T).pdf
Виробник: IXYS
IXTY32P05T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P 99200.pdf
Виробник: IXYS
IXTY3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.00 грн
22+49.60 грн
30+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
IXTY44N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.93 грн
10+117.37 грн
26+106.74 грн
70+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY48P05T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.81 грн
10+120.16 грн
26+109.43 грн
560+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.68 грн
10+134.14 грн
13+81.63 грн
36+78.04 грн
140+76.24 грн
560+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTY8N70X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTZ550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtz550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTZ550N055T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXA50N60B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3 IXXH100N60B3.pdf
IXXH100N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3.pdf
IXXH100N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1046.18 грн
2+723.78 грн
5+658.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4 IXXH140N65B4.pdf
IXXH140N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4 IXXH140N65C4.pdf
IXXH140N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+823.03 грн
2+569.15 грн
6+517.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.57 грн
3+454.57 грн
4+348.93 грн
9+330.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.45 грн
3+501.15 грн
7+456.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXH30N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1
Виробник: IXYS
IXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1
Виробник: IXYS
IXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.69 грн
3+426.63 грн
4+327.40 грн
9+309.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1.pdf
IXXH40N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]