Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (14783) > Сторінка 233 з 247

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1204.82 грн
5+942.96 грн
10+924.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3 IXFT15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12A DSEC16-12A IXYS DSEC16-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8Ax2; tube; Ifsm: 40A; TO220AB; 60W
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.94V
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TUB IXYS DSEC16-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8Ax2; 40ns; D2PAK; Ufmax: 1.96V; 60W
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.96V
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 IXYS IXFN170N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.26 грн
50+114.40 грн
250+106.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1390.53 грн
2+1241.58 грн
3+1196.99 грн
5+1122.97 грн
10+1112.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+913.13 грн
3+760.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P IXTA4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+658.58 грн
10+504.71 грн
30+378.53 грн
120+338.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS IXFK(X)34N80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80P IXFR44N80P IXYS IXFR44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT14N80P IXFT14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80 IXFK34N80 IXYS IXFK(X)34N80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3 IXFN44N80Q3 IXYS IXFN44N80Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+448.41 грн
5+371.80 грн
10+338.15 грн
30+280.95 грн
60+276.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+408.55 грн
10+233.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS IXFP22N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+364.16 грн
10+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.21 грн
10+257.40 грн
50+227.12 грн
100+214.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+310.72 грн
10+264.97 грн
50+212.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.54 грн
10+160.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.40 грн
10+189.26 грн
50+182.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS IXTH(T)16N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2 IXTH16N50D2 IXYS IXTH(T)16N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P IXFA16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P IXFH16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3 IXFH16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P IXTA16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P IXTQ16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB IXYS CLA100E1200KB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate current: 80mA
Load current: 100A
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+683.04 грн
3+597.24 грн
10+500.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 VUO86-16NO7 IXYS VUO86-16NO7.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.55kA
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.5mm
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.51V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1332.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972G CPC1972G IXYS CPC1972.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.74 грн
10+84.96 грн
25+79.91 грн
50+77.39 грн
100+73.18 грн
250+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GS CPC1972GS IXYS CPC1972.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GSTR IXYS CPC1972.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7 IXTA380N036T4-7 IXYS IXTA380N036T4-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+422.14 грн
10+266.65 грн
30+250.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+364.16 грн
50+275.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.12 грн
3+269.18 грн
10+208.61 грн
50+194.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIA IXDD609SIA IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.29 грн
10+83.28 грн
25+78.23 грн
50+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIATR IXDD609SIATR IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS IXF_12N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.98 грн
50+179.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.47 грн
3+188.42 грн
10+166.55 грн
50+150.57 грн
250+148.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS IXF_12N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200HB CLA50E1200HB IXYS CLA50E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; TO247AD; THT; tube
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Max. load current: 79A
Max. forward impulse current: 0.65kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.22 грн
5+291.05 грн
10+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC-TUB IXYS CLA50E1200TC.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Gate current: 50/80mA
Load current: 50A
Case: D3PAK
Max. load current: 79A
Max. forward impulse current: 555A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+616.00 грн
10+491.25 грн
30+431.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50/80mA
Load current: 50A
Case: D3PAK
Max. load current: 79A
Max. forward impulse current: 555A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD2401 PD2401 IXYS PD2401.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.500VAC; 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP4
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 500V AC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.47 грн
25+406.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428N IX4428N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.13 грн
10+44.92 грн
25+41.39 грн
50+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01A DSS16-01A IXYS DSS16-01A_AR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3 IXYH40N65C3 IXYS IXYH40N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1309.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3 IXFR80N60P3 IXYS IXFR80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS IXFN80N60P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF CLA80E1200HF IXYS CLA80E1200HF.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 126A; 80A; Igt: 38mA; PLUS247™; THT; tube
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 80A
Max. load current: 126A
Max. forward impulse current: 765A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 38mA
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.79 грн
5+486.20 грн
10+459.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1204.82 грн
5+942.96 грн
10+924.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFT15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12A DSEC16-12A.pdf
DSEC16-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8Ax2; tube; Ifsm: 40A; TO220AB; 60W
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.94V
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TUB DSEC16-12AS.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8Ax2; 40ns; D2PAK; Ufmax: 1.96V; 60W
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.96V
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2.pdf
IXFN170N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.26 грн
50+114.40 грн
250+106.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1390.53 грн
2+1241.58 грн
3+1196.99 грн
5+1122.97 грн
10+1112.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1217.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P.pdf
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.13 грн
3+760.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTA4N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFH24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.58 грн
10+504.71 грн
30+378.53 грн
120+338.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFK(X)34N80.pdf
IXFX34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80P IXFR44N80P.pdf
IXFR44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFT14N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFX44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80 IXFK(X)34N80.pdf
IXFK34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3 IXFN44N80Q3.pdf
IXFN44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFH22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.41 грн
5+371.80 грн
10+338.15 грн
30+280.95 грн
60+276.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFP22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+408.55 грн
10+233.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M.pdf
IXFP22N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.16 грн
10+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFP16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.21 грн
10+257.40 грн
50+227.12 грн
100+214.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.72 грн
10+264.97 грн
50+212.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFA16N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.54 грн
10+160.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.40 грн
10+189.26 грн
50+182.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTH(T)16N50D2.pdf
IXTT16N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2 IXTH(T)16N50D2.pdf
IXTH16N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFA16N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFH16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFH16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTA16N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTQ16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB.pdf
CLA100E1200KB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate current: 80mA
Load current: 100A
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+683.04 грн
3+597.24 грн
10+500.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 VUO86-16NO7.pdf
VUO86-16NO7
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.55kA
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.5mm
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.51V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1332.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972G CPC1972.pdf
CPC1972G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.74 грн
10+84.96 грн
25+79.91 грн
50+77.39 грн
100+73.18 грн
250+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GS CPC1972.pdf
CPC1972GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GSTR CPC1972.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7 IXTA380N036T4-7.pdf
IXTA380N036T4-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+422.14 грн
10+266.65 грн
30+250.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.16 грн
50+275.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.12 грн
3+269.18 грн
10+208.61 грн
50+194.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIA IXDD609CI.pdf
IXDD609SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.29 грн
10+83.28 грн
25+78.23 грн
50+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIATR IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
IXDD609SIATR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P IXF_12N50P.pdf
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.98 грн
50+179.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.47 грн
3+188.42 грн
10+166.55 грн
50+150.57 грн
250+148.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50P IXF_12N50P.pdf
IXFP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200HB CLA50E1200HB.pdf
CLA50E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; TO247AD; THT; tube
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Max. load current: 79A
Max. forward impulse current: 0.65kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.22 грн
5+291.05 грн
10+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC.pdf
CLA50E1200TC-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Gate current: 50/80mA
Load current: 50A
Case: D3PAK
Max. load current: 79A
Max. forward impulse current: 555A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.00 грн
10+491.25 грн
30+431.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50/80mA
Load current: 50A
Case: D3PAK
Max. load current: 79A
Max. forward impulse current: 555A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD2401 PD2401.pdf
PD2401
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.500VAC; 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP4
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 500V AC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.47 грн
25+406.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428N IX4426-27-28.pdf
IX4428N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.13 грн
10+44.92 грн
25+41.39 грн
50+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01A DSS16-01A_AR.pdf
DSS16-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3 IXYH40N65C3.pdf
IXYH40N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1309.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3 IXFR80N60P3.pdf
IXFR80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3.pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFX80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF CLA80E1200HF.pdf
CLA80E1200HF
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 126A; 80A; Igt: 38mA; PLUS247™; THT; tube
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 80A
Max. load current: 126A
Max. forward impulse current: 765A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 38mA
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.79 грн
5+486.20 грн
10+459.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]