Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFA10N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA110N15T2 | IXYS | IXFA110N15T2 SMD N channel transistors |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA12N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A On-state resistance: 0.5Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA12N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 180W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 155ns Gate charge: 18.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFA130N10T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263 Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Case: TO263 Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.1mΩ Power dissipation: 360W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA130N15X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA14N60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA14N85XHV | IXYS |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA16N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 300W Gate charge: 43nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFA16N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.36Ω Power dissipation: 330W Gate charge: 29nC Technology: HiPerFET™; Polar3™ Gate-source voltage: ±30V Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA180N10T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO263 Polarisation: unipolar On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 480W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 185nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Reverse recovery time: 66ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO263 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA18N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 290W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFA20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA20N85XHV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFA220N06T3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 220A Power dissipation: 440W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFA22N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO263 On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA22N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA230N075T2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFA230N075T2-7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA26N30X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA26N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA270N06T3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 480W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ Reverse recovery time: 47ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFA30N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFA30N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO263 On-state resistance: 155mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFA34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO263 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFA34N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA36N20X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA36N30P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA36N60X3 | IXYS | IXFA36N60X3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA38N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFA3N120 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA44N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W Mounting: SMD Power dissipation: 240W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 33nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 66A Case: TO263 Reverse recovery time: 87ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 44A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA4N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA4N100Q | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA4N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFA50N20X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA56N30X3 | IXYS | IXFA56N30X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA5N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 33.4nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFA60N25X3 | IXYS | IXFA60N25X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFA6N120P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFA72N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263 Reverse recovery time: 84ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 320W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 55nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA72N30X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFA76N15T2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFA7N100P | IXYS |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA80N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 80A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFA8N85XHV | IXYS |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFA90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263 Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A On-state resistance: 12.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFB100N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™ Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Case: PLUS264™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Power dissipation: 1890W Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFB100N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™ Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Case: PLUS264™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Power dissipation: 1.56kW Kind of channel: enhancement Gate charge: 255nC Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFB110N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 110A Power dissipation: 1890W Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 254nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFB132N50P3 | IXYS | IXFB132N50P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFB150N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56kW Case: PLUS264™ Mounting: THT Gate charge: 355nC Kind of package: tube Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 260ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 150A On-state resistance: 17mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFB170N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFB210N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFB210N30P3 | IXYS | IXFB210N30P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFA10N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 342.93 грн |
3+ | 297.15 грн |
5+ | 227.84 грн |
13+ | 216.18 грн |
IXFA110N15T2 |
Виробник: IXYS
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 486.86 грн |
4+ | 307.67 грн |
10+ | 290.63 грн |
IXFA12N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 315.88 грн |
3+ | 273.86 грн |
5+ | 209.90 грн |
14+ | 199.13 грн |
IXFA12N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA130N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 394.13 грн |
5+ | 261.75 грн |
12+ | 237.70 грн |
100+ | 236.81 грн |
500+ | 228.74 грн |
IXFA130N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA130N15X3 SMD N channel transistors
IXFA130N15X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA14N60P SMD N channel transistors
IXFA14N60P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA14N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA14N85XHV SMD N channel transistors
IXFA14N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 413.45 грн |
4+ | 328.30 грн |
9+ | 309.46 грн |
IXFA16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA16N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 368.05 грн |
3+ | 319.50 грн |
5+ | 244.88 грн |
12+ | 231.43 грн |
IXFA16N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.11 грн |
3+ | 205.86 грн |
10+ | 190.16 грн |
50+ | 183.88 грн |
IXFA180N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 494.59 грн |
3+ | 380.05 грн |
8+ | 345.34 грн |
50+ | 339.96 грн |
IXFA18N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.43 грн |
3+ | 224.49 грн |
10+ | 207.21 грн |
50+ | 200.03 грн |
IXFA18N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.65 грн |
3+ | 230.08 грн |
10+ | 206.31 грн |
50+ | 201.82 грн |
IXFA20N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA20N85XHV SMD N channel transistors
IXFA20N85XHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA220N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 424.07 грн |
3+ | 367.94 грн |
4+ | 291.52 грн |
10+ | 275.38 грн |
IXFA22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA22N65X2 SMD N channel transistors
IXFA22N65X2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA230N075T2 SMD N channel transistors
IXFA230N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 527.44 грн |
4+ | 332.79 грн |
9+ | 314.85 грн |
IXFA230N075T2-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
IXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 435.67 грн |
4+ | 346.24 грн |
9+ | 327.40 грн |
IXFA24N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 476.24 грн |
3+ | 413.59 грн |
4+ | 317.54 грн |
10+ | 299.60 грн |
IXFA26N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA26N30X3 SMD N channel transistors
IXFA26N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA26N50P3 SMD N channel transistors
IXFA26N50P3 SMD N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 467.54 грн |
4+ | 328.30 грн |
9+ | 309.46 грн |
IXFA270N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA30N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA30N25X3 SMD N channel transistors
IXFA30N25X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA30N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA34N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA36N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA36N20X3 SMD N channel transistors
IXFA36N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA36N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA36N30P3 SMD N channel transistors
IXFA36N30P3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA36N60X3 |
Виробник: IXYS
IXFA36N60X3 SMD N channel transistors
IXFA36N60X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA38N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.16 грн |
4+ | 313.05 грн |
10+ | 295.11 грн |
IXFA3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA3N120 SMD N channel transistors
IXFA3N120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA44N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA4N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA4N100P SMD N channel transistors
IXFA4N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA4N100Q |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA4N100Q SMD N channel transistors
IXFA4N100Q SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA4N85X SMD N channel transistors
IXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.19 грн |
6+ | 198.24 грн |
15+ | 187.47 грн |
IXFA50N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA50N20X3 SMD N channel transistors
IXFA50N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA56N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 629.83 грн |
3+ | 442.22 грн |
7+ | 418.00 грн |
IXFA5N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33.4nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33.4nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA60N25X3 |
Виробник: IXYS
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 532.27 грн |
3+ | 425.18 грн |
7+ | 401.86 грн |
IXFA6N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA6N120P SMD N channel transistors
IXFA6N120P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA72N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 807.58 грн |
3+ | 459.23 грн |
7+ | 418.90 грн |
100+ | 402.75 грн |
IXFA72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.79 грн |
4+ | 275.38 грн |
11+ | 260.13 грн |
IXFA7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA7N100P SMD N channel transistors
IXFA7N100P SMD N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 507.15 грн |
4+ | 320.23 грн |
10+ | 303.19 грн |
IXFA7N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 394.13 грн |
6+ | 183.51 грн |
17+ | 167.74 грн |
500+ | 164.15 грн |
IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 660.74 грн |
3+ | 512.32 грн |
6+ | 466.44 грн |
60+ | 453.88 грн |
IXFA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.55 грн |
10+ | 55.61 грн |
IXFA8N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 510.05 грн |
3+ | 404.55 грн |
8+ | 382.12 грн |
IXFA90N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 605.68 грн |
2+ | 547.72 грн |
3+ | 505.01 грн |
6+ | 498.73 грн |
10+ | 479.00 грн |
IXFB100N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFB100N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFB110N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFB132N50P3 |
Виробник: IXYS
IXFB132N50P3 THT N channel transistors
IXFB132N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFB150N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2344.48 грн |
2+ | 2137.79 грн |
25+ | 2016.46 грн |
100+ | 1978.78 грн |
IXFB170N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFB170N30P THT N channel transistors
IXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2178.81 грн |
2+ | 2060.41 грн |
IXFB210N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFB210N20P THT N channel transistors
IXFB210N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFB210N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFB210N30P3 THT N channel transistors
IXFB210N30P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.