Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15207) > Сторінка 230 з 254

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS IXFA(H,P)5N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.09 грн
10+282.73 грн
50+215.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N CPC1017N IXYS cpc1017n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.58 грн
3+391.93 грн
10+346.22 грн
30+310.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035N CPC1035N IXYS cpc1035n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOP4
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Kind of output: MOSFET
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Manufacturer series: OptoMOS
On-state resistance: 35Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 1.5kV
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.48 грн
10+252.26 грн
100+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035NTR CPC1035NTR IXYS CPC1035N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1456.78 грн
5+1154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Gate charge: 420nC
Turn-off time: 1365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Gate charge: 470nC
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS IXGX120N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Gate charge: 450nC
Turn-off time: 830ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 780W
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3 IXYS IXYH24N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS IXYH24N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X IXTA20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.06 грн
3+318.29 грн
10+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+662.75 грн
10+546.85 грн
30+505.37 грн
120+451.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+857.84 грн
3+735.62 грн
10+607.80 грн
30+503.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS IXFR15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1452.22 грн
10+1164.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+344.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.61 грн
3+347.92 грн
10+307.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 6.9nC
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2 IXFA12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.96 грн
10+195.54 грн
30+168.46 грн
50+159.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2M IXFP12N65X2M IXYS IXFP12N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2 IXTA12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1 IXYS IXXP12N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60X IXFA30N60X IXYS IXFA(P)30N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS IXFH(T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60X IXFH30N60X IXYS IXFH(T,Q)30N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFP30N60X IXYS IXFA(P)30N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+860.58 грн
3+724.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 IXYS IXKH30N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P IXYS IXTQ18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS IXBH(T)10N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+691.93 грн
10+578.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS IXBA(H)10N300HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6514.49 грн
3+5340.64 грн
10+4799.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+592.56 грн
3+495.21 грн
10+437.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 11mΩ
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P IXTT140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 150nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1874.31 грн
3+1577.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1354.68 грн
5+1092.85 грн
10+880.37 грн
30+847.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+439.40 грн
3+367.39 грн
10+324.21 грн
30+292.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 IXYS IXXH40N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1 IXYS IXXH40N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+467.67 грн
50+235.33 грн
100+217.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 595W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1261.69 грн
3+1129.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+537.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1034.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+422.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 39nC
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+495.93 грн
5+413.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFA(H,P)5N100P.pdf
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+391.09 грн
10+282.73 грн
50+215.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N cpc1017n.pdf
CPC1017N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.58 грн
3+391.93 грн
10+346.22 грн
30+310.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035N cpc1035n.pdf
CPC1035N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOP4
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Kind of output: MOSFET
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Manufacturer series: OptoMOS
On-state resistance: 35Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 1.5kV
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.48 грн
10+252.26 грн
100+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035NTR CPC1035N.pdf
CPC1035NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1456.78 грн
5+1154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGK(x)120N120A3.pdf
IXGX120N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Gate charge: 420nC
Turn-off time: 1365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Gate charge: 470nC
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3.pdf
IXGX120N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Gate charge: 450nC
Turn-off time: 830ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 780W
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3.pdf
IXYH24N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1.pdf
IXYH24N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTA20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+381.06 грн
3+318.29 грн
10+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.75 грн
10+546.85 грн
30+505.37 грн
120+451.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTH20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTP20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTP20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.84 грн
3+735.62 грн
10+607.80 грн
30+503.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3.pdf
IXFR15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1452.22 грн
10+1164.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.61 грн
3+347.92 грн
10+307.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 6.9nC
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFA12N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.96 грн
10+195.54 грн
30+168.46 грн
50+159.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2M IXFP12N65X2M.pdf
IXFP12N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTA12N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTH12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP12N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1.pdf
IXXP12N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60X IXFA(P)30N60X.pdf
IXFA30N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH(T,V)30N60P_S.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60X IXFH(T,Q)30N60X.pdf
IXFH30N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFA(P)30N60X.pdf
IXFP30N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+860.58 грн
3+724.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5.pdf
IXKH30N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P.pdf
IXTQ18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 IXBH(T)10N170.pdf
IXBH10N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.93 грн
10+578.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBA(H)10N300HV.pdf
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6514.49 грн
3+5340.64 грн
10+4799.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.56 грн
3+495.21 грн
10+437.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 11mΩ
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTQ140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 150nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1874.31 грн
3+1577.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1354.68 грн
5+1092.85 грн
10+880.37 грн
30+847.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.40 грн
3+367.39 грн
10+324.21 грн
30+292.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1.pdf
IXXH40N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1.pdf
IXXH40N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1.pdf
IXXH40N65C4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.67 грн
50+235.33 грн
100+217.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 595W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1261.69 грн
3+1129.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1034.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+422.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 39nC
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.93 грн
5+413.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]