Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16357) > Сторінка 250 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPC1303G IXYS CPC1303.pdf Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GR IXYS CPC1303.pdf Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41 SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d 400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1561BTR IXYS CPC1561B.pdf 1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+561.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.14 грн
5+514.30 грн
10+470.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.29 грн
10+593.18 грн
30+461.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.85 грн
3+379.89 грн
10+341.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.49 грн
10+98.19 грн
50+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.32 грн
10+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.14 грн
10+140.85 грн
50+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.89 грн
10+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.22 грн
10+115.90 грн
20+98.19 грн
25+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+880.63 грн
3+742.07 грн
5+691.37 грн
10+614.91 грн
30+568.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1557.58 грн
3+1365.03 грн
5+1295.01 грн
10+1160.60 грн
25+1034.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.17 грн
3+251.92 грн
10+188.34 грн
50+185.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.70 грн
10+239.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.58 грн
10+142.46 грн
50+128.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS DSS16-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.01 грн
6+76.46 грн
10+67.61 грн
50+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.16 грн
3+184.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.72 грн
10+326.77 грн
30+296.19 грн
120+260.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M IXYS IXFP20N50P3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.31 грн
10+258.36 грн
30+235.82 грн
120+223.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+143.88 грн
10+112.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS IXKN40N60C.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N CPC1008N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 1ms
Turn-on time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Mounting: SMT
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.35 грн
100+134.41 грн
500+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008NTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4918F553920C7&compId=CPC1008N.pdf?ci_sign=3c16bc99b8bfe20f55f45d6c4aec211214258b25 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P IXFA5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.37 грн
10+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N CPC1017N IXYS cpc1017n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 10ms
Turn-on time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+106.61 грн
100+84.51 грн
500+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR CPC1017NTR IXYS CPC1017N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303G CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GR CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
Виробник: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d
Виробник: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1561BTR CPC1561B.pdf
Виробник: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+561.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.14 грн
5+514.30 грн
10+470.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.29 грн
10+593.18 грн
30+461.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFQ50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.85 грн
3+379.89 грн
10+341.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.49 грн
10+98.19 грн
50+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.32 грн
10+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.14 грн
10+140.85 грн
50+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.89 грн
10+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.22 грн
10+115.90 грн
20+98.19 грн
25+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.63 грн
3+742.07 грн
5+691.37 грн
10+614.91 грн
30+568.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1557.58 грн
3+1365.03 грн
5+1295.01 грн
10+1160.60 грн
25+1034.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.17 грн
3+251.92 грн
10+188.34 грн
50+185.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.70 грн
10+239.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.58 грн
10+142.46 грн
50+128.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045A DSS16-0045A.pdf
DSS16-0045A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.01 грн
6+76.46 грн
10+67.61 грн
50+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TUB DSS16-0045A.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.16 грн
3+184.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.72 грн
10+326.77 грн
30+296.19 грн
120+260.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M.pdf
IXFP20N50P3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.31 грн
10+258.36 грн
30+235.82 грн
120+223.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+143.88 грн
10+112.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C description
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C.pdf
IXKN40N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C.pdf
IXKR40N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
CPC1008N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 1ms
Turn-on time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Mounting: SMT
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.35 грн
100+134.41 грн
500+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4918F553920C7&compId=CPC1008N.pdf?ci_sign=3c16bc99b8bfe20f55f45d6c4aec211214258b25
CPC1008NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFA5N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+355.37 грн
10+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N cpc1017n.pdf
CPC1017N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 10ms
Turn-on time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+106.61 грн
100+84.51 грн
500+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR CPC1017N.pdf
CPC1017NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]