Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16042) > Сторінка 250 з 268

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VUO36-14NO8 IXYS VUO36-14NO8.pdf VUO36-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1295.04 грн
2+957.50 грн
4+904.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-16NO8 IXYS VUO36-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1459.30 грн
2+998.83 грн
4+944.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-18NO8 IXYS VUO36-18NO8.pdf VUO36-18NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1427.51 грн
2+1041.15 грн
4+984.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-16NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-16NO1-Datasheet?assetguid=10C35496-3724-46FE-BA4E-F7BC114CEEF7 VUO52-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2533.00 грн
2+2395.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-22NO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3326.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO62-12NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO62-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2553.66 грн
2+2414.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-08NO7 IXYS VUO68-08NO7.pdf VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1569.52 грн
2+1083.46 грн
3+1024.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-12NO7 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=96176953-915C-4B07-B937-EDD0762CC4B8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO68-12NO7-Datasheet VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1569.52 грн
2+1139.55 грн
3+1077.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-16NO7 IXYS VUO68-08NO7.pdf VUO68-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1252.72 грн
3+1183.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO80-12NO1 IXYS VUO80-12NO1.pdf VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2533.00 грн
2+2395.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO80-16NO1 IXYS VUO80-16NO1.pdf VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2814.44 грн
2+2660.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-08NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2814.44 грн
2+2660.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-12NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf description VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2955.16 грн
2+2793.77 грн
10+2789.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-14NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2926.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-16NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3060.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-18NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3193.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 IXYS VUO86-16NO7.pdf VUO86-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1715.76 грн
2+1108.06 грн
3+1047.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ40-16IO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A99B4C28-9320-4BC5-9C0A-A515F5BA588A&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VVZ40-16io1-Datasheet VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3193.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VWO35-08ho7 IXYS VWO35-08HO7.pdf VWO35-08HO7 Thyristor modules
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1407.22 грн
3+1330.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117 IXYS XAA117.pdf XAA117 One Phase Solid State Relays
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.58 грн
8+161.39 грн
20+152.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117P IXYS XAA117.pdf XAA117P One Phase Solid State Relays
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.58 грн
8+161.39 грн
20+152.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117S XAA117S IXYS XAA117.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.19 грн
50+215.62 грн
250+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA170 IXYS littelfuse-integrated-circuits-xaa170-datasheet?assetguid=e8f02f01-5ba4-4188-bf4f-96e953e7b306 XAA170 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+433.44 грн
5+286.36 грн
12+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA170S IXYS XAA170.pdf XAA170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+676.13 грн
5+286.36 грн
12+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F3A00C7&compId=XBB170.pdf?ci_sign=00fa93de2696ad932ea5cc4d0329771fb18f0a2c Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+444.04 грн
10+374.02 грн
250+305.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170P IXYS XBB170P One Phase Solid State Relays
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+795.89 грн
4+336.55 грн
10+317.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170S IXYS XBB170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+795.89 грн
4+336.55 грн
10+317.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XCA170 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet XCA170 One Phase Solid State Relays
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.69 грн
9+141.71 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XCA170S IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet XCA170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.01 грн
9+142.69 грн
23+134.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XS170S IXYS XS170.pdf XS170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.86 грн
8+156.47 грн
21+147.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.03 грн
5+524.02 грн
10+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.88 грн
10+604.38 грн
30+469.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.60 грн
3+387.07 грн
10+347.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.42 грн
10+109.89 грн
50+99.23 грн
100+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.24 грн
8+58.22 грн
10+55.76 грн
50+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.09 грн
10+143.51 грн
50+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.00 грн
25+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.34 грн
10+182.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.10 грн
10+173.03 грн
20+146.79 грн
25+138.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+897.27 грн
3+756.09 грн
5+704.43 грн
10+626.52 грн
30+578.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1587.00 грн
3+1390.82 грн
5+1319.47 грн
10+1182.52 грн
25+1053.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.05 грн
3+256.68 грн
10+191.89 грн
50+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.51 грн
10+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
10+145.15 грн
50+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-14NO8 VUO36-14NO8.pdf
Виробник: IXYS
VUO36-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1295.04 грн
2+957.50 грн
4+904.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-16NO8
Виробник: IXYS
VUO36-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1459.30 грн
2+998.83 грн
4+944.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-18NO8 VUO36-18NO8.pdf
Виробник: IXYS
VUO36-18NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1427.51 грн
2+1041.15 грн
4+984.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-16NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-16NO1-Datasheet?assetguid=10C35496-3724-46FE-BA4E-F7BC114CEEF7
Виробник: IXYS
VUO52-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2533.00 грн
2+2395.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-22NO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet
Виробник: IXYS
VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3326.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO62-12NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Виробник: IXYS
VUO62-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2553.66 грн
2+2414.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-08NO7 VUO68-08NO7.pdf
Виробник: IXYS
VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1569.52 грн
2+1083.46 грн
3+1024.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-12NO7 media?resourcetype=datasheets&itemid=96176953-915C-4B07-B937-EDD0762CC4B8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO68-12NO7-Datasheet
Виробник: IXYS
VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1569.52 грн
2+1139.55 грн
3+1077.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-16NO7 VUO68-08NO7.pdf
Виробник: IXYS
VUO68-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1252.72 грн
3+1183.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO80-12NO1 VUO80-12NO1.pdf
Виробник: IXYS
VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2533.00 грн
2+2395.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO80-16NO1 VUO80-16NO1.pdf
Виробник: IXYS
VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2814.44 грн
2+2660.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-08NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Виробник: IXYS
VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2814.44 грн
2+2660.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-12NO7 description VUO62%2CVU082.pdf
Виробник: IXYS
VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2955.16 грн
2+2793.77 грн
10+2789.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-14NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Виробник: IXYS
VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2926.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-16NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Виробник: IXYS
VUO82-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3060.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO82-18NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Виробник: IXYS
VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3193.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 VUO86-16NO7.pdf
Виробник: IXYS
VUO86-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1715.76 грн
2+1108.06 грн
3+1047.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ40-16IO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=A99B4C28-9320-4BC5-9C0A-A515F5BA588A&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VVZ40-16io1-Datasheet
Виробник: IXYS
VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3193.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VWO35-08ho7 VWO35-08HO7.pdf
Виробник: IXYS
VWO35-08HO7 Thyristor modules
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1407.22 грн
3+1330.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117 XAA117.pdf
Виробник: IXYS
XAA117 One Phase Solid State Relays
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.58 грн
8+161.39 грн
20+152.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117P XAA117.pdf
Виробник: IXYS
XAA117P One Phase Solid State Relays
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.58 грн
8+161.39 грн
20+152.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117S XAA117.pdf
XAA117S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.19 грн
50+215.62 грн
250+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA170 littelfuse-integrated-circuits-xaa170-datasheet?assetguid=e8f02f01-5ba4-4188-bf4f-96e953e7b306
Виробник: IXYS
XAA170 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.44 грн
5+286.36 грн
12+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XAA170S XAA170.pdf
Виробник: IXYS
XAA170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.13 грн
5+286.36 грн
12+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F3A00C7&compId=XBB170.pdf?ci_sign=00fa93de2696ad932ea5cc4d0329771fb18f0a2c
XBB170
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.04 грн
10+374.02 грн
250+305.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170P
Виробник: IXYS
XBB170P One Phase Solid State Relays
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.89 грн
4+336.55 грн
10+317.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170S
Виробник: IXYS
XBB170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.89 грн
4+336.55 грн
10+317.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XCA170 media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet
Виробник: IXYS
XCA170 One Phase Solid State Relays
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.69 грн
9+141.71 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XCA170S media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet
Виробник: IXYS
XCA170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.01 грн
9+142.69 грн
23+134.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XS170S XS170.pdf
Виробник: IXYS
XS170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.86 грн
8+156.47 грн
21+147.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.03 грн
5+524.02 грн
10+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+786.88 грн
10+604.38 грн
30+469.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFQ50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.60 грн
3+387.07 грн
10+347.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.42 грн
10+109.89 грн
50+99.23 грн
100+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.24 грн
8+58.22 грн
10+55.76 грн
50+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.09 грн
10+143.51 грн
50+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
25+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.34 грн
10+182.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.10 грн
10+173.03 грн
20+146.79 грн
25+138.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+897.27 грн
3+756.09 грн
5+704.43 грн
10+626.52 грн
30+578.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1587.00 грн
3+1390.82 грн
5+1319.47 грн
10+1182.52 грн
25+1053.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.05 грн
3+256.68 грн
10+191.89 грн
50+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.51 грн
10+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.65 грн
10+145.15 грн
50+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]