Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18009) > Сторінка 250 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP10P15T IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf IXTP10P15T THT P channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.70 грн
7+165.05 грн
18+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 IXTP10P50P THT P channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+530.33 грн
4+332.79 грн
9+314.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.93 грн
3+174.19 грн
8+133.65 грн
22+126.48 грн
250+124.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTP120N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTP120N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf IXTP120P065T THT P channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.39 грн
4+313.95 грн
10+296.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.79 грн
3+300.87 грн
5+230.53 грн
13+217.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10T IXTP130N10T IXYS IXTA(P)130N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+289.80 грн
3+220.77 грн
7+174.02 грн
17+165.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf IXTP130N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+547.72 грн
4+346.24 грн
9+327.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTP140N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTP140N12T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS IXT_140P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+640.46 грн
3+423.83 грн
8+385.71 грн
500+371.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXYS a IXTP14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf IXTP14N60PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+526.47 грн
5+259.89 грн
12+236.81 грн
500+229.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+615.34 грн
3+473.20 грн
7+430.56 грн
50+423.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4A IXYS IXTP150N15X4A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.62 грн
6+200.27 грн
15+182.09 грн
250+180.30 грн
500+174.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2 IXTP160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+421.18 грн
5+256.16 грн
12+233.22 грн
500+232.32 грн
1000+224.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.01 грн
5+222.63 грн
14+202.72 грн
1000+198.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.94 грн
6+187.47 грн
16+177.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b IXTP180N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS IXT_18P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+247.30 грн
10+116.44 грн
26+105.85 грн
1000+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf IXTP1N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N80P IXYS DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf IXTP1N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0 IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.38 грн
8+135.45 грн
22+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+301.39 грн
8+135.45 грн
22+128.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N055T2 IXYS DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf IXTP200N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M IXYS IXTP20N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS IXTA(P)220N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.62 грн
6+206.79 грн
15+188.37 грн
100+181.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 IXYS IXTA(P)230N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+516.81 грн
3+448.98 грн
4+343.55 грн
9+324.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.18 грн
4+299.94 грн
11+273.58 грн
100+262.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.08 грн
5+235.67 грн
13+215.28 грн
100+212.59 грн
250+206.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP24P085T THT P channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.85 грн
10+110.33 грн
27+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+516.81 грн
3+448.98 грн
4+343.55 грн
9+324.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.97 грн
3+247.78 грн
6+190.16 грн
16+179.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+544.82 грн
3+363.28 грн
9+330.99 грн
500+318.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.15 грн
6+203.62 грн
15+192.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS IXT_28P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100P IXTP2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+562.21 грн
4+346.52 грн
9+315.74 грн
500+303.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTP300N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP32N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65X IXTP32N65X IXYS IXTH(P,Q)32N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XM IXTP32N65XM IXYS IXTP32N65XM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 78W; TO220FP; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 78W
Case: TO220FP
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf
Виробник: IXYS
IXTP10P15T THT P channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.70 грн
7+165.05 грн
18+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
Виробник: IXYS
IXTP10P50P THT P channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.33 грн
4+332.79 грн
9+314.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.93 грн
3+174.19 грн
8+133.65 грн
22+126.48 грн
250+124.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP120N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP120N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP120P065T THT P channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.39 грн
4+313.95 грн
10+296.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.79 грн
3+300.87 грн
5+230.53 грн
13+217.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10T IXTA(P)130N10T.pdf
IXTP130N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+289.80 грн
3+220.77 грн
7+174.02 грн
17+165.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP130N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.72 грн
4+346.24 грн
9+327.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP140N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP140N12T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXT_140P05T.pdf
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.46 грн
3+423.83 грн
8+385.71 грн
500+371.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P a
Виробник: IXYS
IXTP14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP14N60PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.47 грн
5+259.89 грн
12+236.81 грн
500+229.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.34 грн
3+473.20 грн
7+430.56 грн
50+423.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4A
Виробник: IXYS
IXTP150N15X4A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.62 грн
6+200.27 грн
15+182.09 грн
250+180.30 грн
500+174.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTP160N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.18 грн
5+256.16 грн
12+233.22 грн
500+232.32 грн
1000+224.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.01 грн
5+222.63 грн
14+202.72 грн
1000+198.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2 media?resourcetype=datasheets&itemid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.94 грн
6+187.47 грн
16+177.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b
Виробник: IXYS
IXTP180N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXT_18P10T.pdf
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.30 грн
10+116.44 грн
26+105.85 грн
1000+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP1N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
Виробник: IXYS
IXTP1N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N80P DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf
Виробник: IXYS
IXTP1N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP1R4N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP1R4N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0
Виробник: IXYS
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.38 грн
8+135.45 грн
22+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Виробник: IXYS
IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+301.39 грн
8+135.45 грн
22+128.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N055T2 DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf
Виробник: IXYS
IXTP200N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTP20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTP20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M.pdf
IXTP20N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XM
Виробник: IXYS
IXTP20N65XM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTA(P)220N04T2.pdf
IXTP220N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.62 грн
6+206.79 грн
15+188.37 грн
100+181.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP230N04T4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP230N04T4M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTA(P)230N075T2.pdf
IXTP230N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.81 грн
3+448.98 грн
4+343.55 грн
9+324.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.18 грн
4+299.94 грн
11+273.58 грн
100+262.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.08 грн
5+235.67 грн
13+215.28 грн
100+212.59 грн
250+206.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP24P085T THT P channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.85 грн
10+110.33 грн
27+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.81 грн
3+448.98 грн
4+343.55 грн
9+324.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTP26P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.97 грн
3+247.78 грн
6+190.16 грн
16+179.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTP26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.82 грн
3+363.28 грн
9+330.99 грн
500+318.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.15 грн
6+203.62 грн
15+192.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T IXT_28P065T.pdf
IXTP28P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTP2N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTP2N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.21 грн
4+346.52 грн
9+315.74 грн
500+303.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP300N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP32N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65X IXTH(P,Q)32N65X.pdf
IXTP32N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XM IXTP32N65XM.pdf
IXTP32N65XM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 78W; TO220FP; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 78W
Case: TO220FP
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]