| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXDF604SIA | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDI614CI | IXYS |
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ciкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDI630CI | IXYS |
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ciкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDN604PI | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604piкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDN604SIATR | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDN609SIA | IXYS |
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609siaкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDN609YI | IXYS |
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yiкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXDN614SI | IXYS |
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614siкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CPC3703CTR | IXYS |
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703cкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IXGR48N60C3D1 | IXYS |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CLA30E1200HB | IXYS |
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA; CLA30E1200HB TYCLA30e1200hbкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CLA30E1200PB | IXYS |
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA; CLA30E1200PB TYCLA30e1200pbкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CLA80E1200HF | IXYS |
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA; CLA80E1200HF TYCLA80e1200hfкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CS19-08ho1 | IXYS |
Thyristor; 31A; 800V; 28mA; CS19-08HO1 TYCS19-08ho1кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CS19-12HO1 | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA; CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CS20-14IO1 | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CS20-16IO1 | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
MCC26-12io8B | IXYS |
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8Bкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CPC1303GR | IXYS |
Optocoupler; channels: 1; CTR: 200-2500%; PDIP04smd; transistor; 5 kVrms; 30 V CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303grкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CPC1006N | IXYS |
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CPC1008NTR | IXYS |
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYSкількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CPC1014NTR | IXYS |
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CPC1017NTR | IXYS |
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017Nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
CPC1018NTR | IXYS |
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 94nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 94nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXFH60N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Reverse recovery time: 175ns Pulsed drain current: 90A Gate charge: 51nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IXFQ60N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 890W Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 143nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXFT60N60X3HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Power dissipation: 625W Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Reverse recovery time: 175ns Pulsed drain current: 90A Gate charge: 51nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate charge: 115nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate charge: 115nC |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXKH24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXKP24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXKP24N60C5M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXTP4N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 80W Gate charge: 8.3nC Technology: X2-Class |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTA8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 160ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 167nC Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 71ns |
на замовлення 208 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYP15N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXYP15N65C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXYP15N65C3D1M | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 57W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 9A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DSS16-0045A | IXYS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V Power dissipation: 105W Case: TO220AC Mounting: THT Max. off-state voltage: 45V Load current: 16A Max. load current: 35A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 280A Max. forward voltage: 0.57V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DSS16-0045AS-TUB | IXYS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 45V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.57V Max. forward impulse current: 280A Kind of package: tube Power dissipation: 105W Max. load current: 35A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IXFA20N50P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFP20N50P3M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 58W Case: TO220FP On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXFQ20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTA4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 80W Gate charge: 8.3nC Technology: X2-Class |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTY4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 80W Gate charge: 8.3nC Technology: X2-Class |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXKC40N60C | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IXKN40N60C | IXYS |
Category: Transistor modulesDescription: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 290W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 650ns Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXKR40N60C | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 280W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 650ns Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CPC1008N | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current max.: 50mA Max. operating current: 150mA Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 8Ω Mounting: SMT Case: SOP4 Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm Insulation voltage: 1.5kV Turn-on time: 2ms Turn-off time: 1ms Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CPC1008NTR | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current max.: 50mA Max. operating current: 150mA Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 8Ω Mounting: SMT Case: SOP4 Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm Insulation voltage: 1.5kV Turn-on time: 2ms Turn-off time: 1ms Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXFP5N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 250W Gate charge: 33.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CPC1017N | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC Manufacturer series: OptoMOS Operating temperature: -40...85°C Relay variant: 1-phase; current source Kind of output: MOSFET Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm Contacts configuration: SPST-NO Insulation voltage: 1.5kV Turn-on time: 10ms Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC Case: SOP4 Max. operating current: 0.1A Turn-off time: 10ms Control current max.: 50mA On-state resistance: 16Ω Type of relay: solid state Mounting: SMT |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH30N60B3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 270W Case: TO247AD Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Pulsed collector current: 115A Turn-on time: 23ns Turn-off time: 125ns Gate charge: 39nC |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CPC1035N | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC Manufacturer series: OptoMOS Operating temperature: -40...85°C Relay variant: 1-phase; current source Kind of output: MOSFET Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm Contacts configuration: SPST-NO Insulation voltage: 1.5kV Turn-on time: 2ms Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Case: SOP4 Max. operating current: 0.1A Turn-off time: 1ms Control current max.: 50mA On-state resistance: 35Ω Type of relay: solid state Mounting: SMT |
на замовлення 1071 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CPC1035NTR | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current max.: 50mA Max. operating current: 0.1A Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: SOP4 Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm Insulation voltage: 1.5kV Turn-on time: 2ms Turn-off time: 1ms Kind of output: MOSFET Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXTK90P20P | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264 Mounting: THT Drain current: -90A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -200V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO264 On-state resistance: 44mΩ Reverse recovery time: 315ns Power dissipation: 890W Gate charge: 205nC Polarisation: unipolar Technology: PolarP™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 71.66 грн |
| IXDI614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 220.49 грн |
| IXDI630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 339.21 грн |
| IXDN604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 75.90 грн |
| IXDN604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 82.90 грн |
| IXDN609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 67.42 грн |
| IXDN609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 171.09 грн |
| IXDN614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 235.12 грн |
| CPC3703CTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 33.29 грн |
| IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 584.52 грн |
| CLA30E1200HB |
![]() |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 158.80 грн |
| CLA30E1200PB |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 160.91 грн |
| CLA80E1200HF |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 353.85 грн |
| CS19-08ho1 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 110.04 грн |
| CS19-12HO1 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 110.46 грн |
| CS20-14IO1 |
![]() |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 231.52 грн |
| CS20-16IO1 |
![]() |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 229.40 грн |
| MCC26-12io8B |
![]() |
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1373.83 грн |
| CPC1303GR |
![]() |
Виробник: IXYS
Optocoupler; channels: 1; CTR: 200-2500%; PDIP04smd; transistor; 5 kVrms; 30 V CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
Optocoupler; channels: 1; CTR: 200-2500%; PDIP04smd; transistor; 5 kVrms; 30 V CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 57.88 грн |
| CPC1006N |
![]() |
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.21 грн |
| CPC1008NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 55.76 грн |
| CPC1014NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 69.75 грн |
| CPC1017NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 50.04 грн |
| CPC1018NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 129.33 грн |
| IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 979.09 грн |
| 5+ | 728.00 грн |
| IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 812.26 грн |
| 10+ | 623.88 грн |
| 30+ | 485.05 грн |
| IXFH60N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFT60N60X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 486.81 грн |
| 3+ | 399.55 грн |
| 10+ | 358.92 грн |
| IXKH24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTP4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 195.09 грн |
| 10+ | 103.27 грн |
| 50+ | 94.81 грн |
| IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 178.68 грн |
| 10+ | 127.82 грн |
| IXXH110N65C4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1003.70 грн |
| 3+ | 887.14 грн |
| 5+ | 850.74 грн |
| 10+ | 786.41 грн |
| 30+ | 668.74 грн |
| 60+ | 609.49 грн |
| 120+ | 597.64 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 171.00 грн |
| 10+ | 149.83 грн |
| 50+ | 135.44 грн |
| IXYP15N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP15N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DSS16-0045A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Power dissipation: 105W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Max. load current: 35A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 280A
Max. forward voltage: 0.57V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Power dissipation: 105W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Max. load current: 35A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 280A
Max. forward voltage: 0.57V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 84.65 грн |
| DSS16-0045AS-TUB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 455.81 грн |
| IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 494.10 грн |
| 5+ | 395.32 грн |
| 10+ | 357.23 грн |
| 30+ | 303.05 грн |
| 60+ | 278.50 грн |
| 120+ | 274.27 грн |
| IXFP20N50P3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 514.16 грн |
| 5+ | 400.40 грн |
| 10+ | 358.07 грн |
| 30+ | 300.51 грн |
| 60+ | 271.73 грн |
| 120+ | 249.72 грн |
| IXTA4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.24 грн |
| IXTY4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 197.82 грн |
| IXKC40N60C | ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKN40N60C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKR40N60C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 650ns
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 650ns
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPC1008N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPC1008NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFP5N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 489.54 грн |
| 5+ | 369.08 грн |
| 10+ | 327.60 грн |
| CPC1017N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.1A
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.1A
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 173.21 грн |
| 10+ | 143.06 грн |
| 100+ | 133.75 грн |
| IXXH30N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate charge: 39nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate charge: 39nC
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.58 грн |
| 3+ | 391.93 грн |
| 10+ | 346.22 грн |
| 30+ | 310.67 грн |
| CPC1035N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.1A
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.1A
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 335.48 грн |
| 10+ | 252.26 грн |
| 100+ | 235.33 грн |
| CPC1035NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTK90P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



















