| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Транзистор IGBT IXBT42N170 IXYS | IXYS | Транз. IGBT TO-268 1700V 80A IXBT42N170.PDF Транзистори IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Транзистор IGBT IXGA20N120 IXYS | IXYS | Транз. IGBT TO-263 1200V 40A HiperFET Power MOSFET IXGA20N120.PDF Транзистори IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Транзистор IGBT IXGA20N120A3 IXYS | IXYS | Транзистор IXGA20N120A3, Виробник: IXYS IXGA20N120A3.PDF Транзистори IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Транзистор IGBT IXYH20N120C3 IXYS | IXYS | Транз. IGBT TO-247AD 1200V 40A 278 W IXYH20N120C3.PDF Транзистори IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Оптрон CPC1017N IXYS | IXYS | SOP-4 60V, 100mArms/mADC Single-Pole Normally Open Relay Оптрони |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Оптрон CPC1035NTR | IXYS | Оптореле SO4 4-Pin 350V, 100mA, 30 Ohm Оптрони |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Оптрон CPC1018NTR | IXYS | RELAY OPTOMOS 600MA 4-SOP Оптрони |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Реле LCC120S | IXYS | Твердотельное реле 1-FORM-C SS DIP-8SMT Монтажне реле |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Реле PBA150 | IXYS | RELAY OPTOMOS 250MA DPST 8-DIP Монтажне реле |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
Реле LCB710S IXYS | IXYS | Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 1000мА; 0,6Ом Реле різні |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IX4340N | IXYS |
Gate Driver IC, 5-20V, 2 Ch, IX4340N IX4340N UIIX4340nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IX4340UE | IXYS |
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UETR UIIX4340ueкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IX4427N | IXYS |
Driver 1.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC IX4427N IX4427NTR IX4427NTR UIIX4427nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IX4428NTR | IXYS |
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IX4428NTR | IXYS |
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDD604SI | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SITR UIIXDD604siкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IXDD604SIATR | IXYS |
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXDD609SI | IXYS |
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609siкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDD609SIA IXYS | IXYS |
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA UIIXDD609sia кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDD614SI IXYS | IXYS |
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI UIIXDD614si кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDF604SIA IXYS | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA UIIXDF604sia кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI614CI IXYS | IXYS |
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI UIIXDI614ci кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IXDI630CI | IXYS |
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ciкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXDN604PI | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604piкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDN604SIA | IXYS |
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIATR UIIXDN604siaкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN609SIATR | IXYS |
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIA UIIXDN609siaкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IXDN609YI | IXYS |
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yiкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDN614SITR | IXYS |
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SI UIIXDN614siкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CPC3703C IXYS | IXYS |
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703CTR TCPC3703c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IXGR48N60C3D1 | IXYS |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CLA30E1200HB | IXYS |
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA; CLA30E1200HB TYCLA30e1200hbкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CLA30E1200PB | IXYS |
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA; CLA30E1200PB TYCLA30e1200pbкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CLA80E1200HF | IXYS |
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA; CLA80E1200HF TYCLA80e1200hfкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CS19-08ho1 | IXYS |
Thyristor; 31A; 800V; 28mA; CS19-08HO1 TYCS19-08ho1кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CS19-12HO1 IXYS | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA; CS19-12HO1 TYCS19-12ho1 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CS20-14IO1 IXYS | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA CS20-14IO1 TYCS20-14io1 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CS20-16IO1 IXYS | IXYS |
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA CS20-16IO1 TYCS20-16io1 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MCC26-12IO8B IXYS | IXYS |
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B MO MCC26-12IO8B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CPC1303GR IXYS | IXYS |
Optocoupler; channels: 1; CTR: 200-2500%; PDIP04smd; transistor; 5 kVrms; 30 V CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR OOCPC1303gr кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CPC1006N IXYS SSR | IXYS |
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N P CPC1006N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CPC1008N IXYS | IXYS |
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008NTR P CPC1008N IXYS кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CPC1014N | IXYS |
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014NTR P CPC1014Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CPC1018N | IXYS |
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018NTR P CPC1018Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 94nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 94nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH60N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Reverse recovery time: 175ns Pulsed drain current: 90A Gate charge: 51nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IXFQ60N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 890W Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 55mΩ Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 143nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Drain current: 60A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFT60N60X3HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Power dissipation: 625W Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Reverse recovery time: 175ns Pulsed drain current: 90A Gate charge: 51nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate charge: 115nC |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate charge: 115nC |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXKH24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXKP24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXKP24N60C5M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXTP4N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Gate charge: 8.3nC |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTA8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Kind of package: tube Turn-off time: 160ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Pulsed collector current: 600A |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 19nC Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXYP15N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 19nC Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXYP15N65C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 19nC Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXYP15N65C3D1M | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 57W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 9A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 19nC Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| Транзистор IGBT IXBT42N170 IXYS |
Виробник: IXYS
Транз. IGBT TO-268 1700V 80A IXBT42N170.PDF Транзистори IGBT
Транз. IGBT TO-268 1700V 80A IXBT42N170.PDF Транзистори IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор IGBT IXGA20N120 IXYS |
Виробник: IXYS
Транз. IGBT TO-263 1200V 40A HiperFET Power MOSFET IXGA20N120.PDF Транзистори IGBT
Транз. IGBT TO-263 1200V 40A HiperFET Power MOSFET IXGA20N120.PDF Транзистори IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор IGBT IXGA20N120A3 IXYS |
Виробник: IXYS
Транзистор IXGA20N120A3, Виробник: IXYS IXGA20N120A3.PDF Транзистори IGBT
Транзистор IXGA20N120A3, Виробник: IXYS IXGA20N120A3.PDF Транзистори IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор IGBT IXYH20N120C3 IXYS |
Виробник: IXYS
Транз. IGBT TO-247AD 1200V 40A 278 W IXYH20N120C3.PDF Транзистори IGBT
Транз. IGBT TO-247AD 1200V 40A 278 W IXYH20N120C3.PDF Транзистори IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Оптрон CPC1017N IXYS |
Виробник: IXYS
SOP-4 60V, 100mArms/mADC Single-Pole Normally Open Relay Оптрони
SOP-4 60V, 100mArms/mADC Single-Pole Normally Open Relay Оптрони
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Оптрон CPC1035NTR |
Виробник: IXYS
Оптореле SO4 4-Pin 350V, 100mA, 30 Ohm Оптрони
Оптореле SO4 4-Pin 350V, 100mA, 30 Ohm Оптрони
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Оптрон CPC1018NTR |
Виробник: IXYS
RELAY OPTOMOS 600MA 4-SOP Оптрони
RELAY OPTOMOS 600MA 4-SOP Оптрони
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Реле LCC120S |
Виробник: IXYS
Твердотельное реле 1-FORM-C SS DIP-8SMT Монтажне реле
Твердотельное реле 1-FORM-C SS DIP-8SMT Монтажне реле
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Реле PBA150 |
Виробник: IXYS
RELAY OPTOMOS 250MA DPST 8-DIP Монтажне реле
RELAY OPTOMOS 250MA DPST 8-DIP Монтажне реле
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Реле LCB710S IXYS |
Виробник: IXYS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 1000мА; 0,6Ом Реле різні
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 1000мА; 0,6Ом Реле різні
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IX4340N |
![]() |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 43.95 грн |
| IX4340UE |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UETR UIIX4340ue
кількість в упаковці: 50 шт
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UETR UIIX4340ue
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 40.09 грн |
| IX4427N |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 1.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC IX4427N IX4427NTR IX4427NTR UIIX4427n
кількість в упаковці: 100 шт
Driver 1.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC IX4427N IX4427NTR IX4427NTR UIIX4427n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 43.95 грн |
| IX4428NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.88 грн |
| IX4428NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 41.59 грн |
| IXDD604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SITR UIIXDD604si
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SITR UIIXDD604si
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 141.92 грн |
| IXDD604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.96 грн |
| IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 100.33 грн |
| IXDD609SIA IXYS |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA UIIXDD609sia
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA UIIXDD609sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 83.39 грн |
| IXDD614SI IXYS |
Виробник: IXYS
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 211.16 грн |
| IXDF604SIA IXYS |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 72.46 грн |
| IXDI614CI IXYS |
Виробник: IXYS
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 222.95 грн |
| IXDI630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 343.00 грн |
| IXDN604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.75 грн |
| IXDN604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIATR UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIATR UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 83.82 грн |
| IXDN609SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIA UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIA UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 68.17 грн |
| IXDN609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 173.00 грн |
| IXDN614SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SI UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SI UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 237.74 грн |
| CPC3703C IXYS |
Виробник: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703CTR TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703CTR TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 33.66 грн |
| IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 591.04 грн |
| CLA30E1200HB |
![]() |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 160.57 грн |
| CLA30E1200PB |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 162.71 грн |
| CLA80E1200HF |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 357.80 грн |
| CS19-08ho1 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 111.26 грн |
| CS19-12HO1 IXYS |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 111.69 грн |
| CS20-14IO1 IXYS |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 234.10 грн |
| CS20-16IO1 IXYS |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 231.96 грн |
| MCC26-12IO8B IXYS |
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1389.16 грн |
| CPC1303GR IXYS |
Виробник: IXYS
Optocoupler; channels: 1; CTR: 200-2500%; PDIP04smd; transistor; 5 kVrms; 30 V CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
Optocoupler; channels: 1; CTR: 200-2500%; PDIP04smd; transistor; 5 kVrms; 30 V CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 58.52 грн |
| CPC1006N IXYS SSR |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.88 грн |
| CPC1008N IXYS |
Виробник: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008NTR P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008NTR P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 56.38 грн |
| CPC1014N |
![]() |
Виробник: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014NTR P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014NTR P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 70.53 грн |
| CPC1018N |
![]() |
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018NTR P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018NTR P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 130.77 грн |
| IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 956.64 грн |
| 5+ | 711.31 грн |
| IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 793.64 грн |
| 10+ | 609.58 грн |
| 30+ | 473.93 грн |
| IXFH60N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFT60N60X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1131.23 грн |
| 2+ | 803.12 грн |
| 4+ | 759.28 грн |
| 30+ | 730.34 грн |
| IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 486.34 грн |
| 3+ | 371.37 грн |
| 7+ | 350.69 грн |
| IXKH24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTP4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 190.62 грн |
| IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 174.58 грн |
| 10+ | 124.89 грн |
| 12+ | 84.36 грн |
| IXXH110N65C4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 600A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 600A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1193.58 грн |
| 2+ | 642.66 грн |
| 3+ | 641.83 грн |
| 5+ | 607.10 грн |
| 120+ | 598.83 грн |
| 150+ | 588.90 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 167.08 грн |
| 10+ | 146.40 грн |
| 50+ | 132.34 грн |
| IXYP15N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP15N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


















