Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (292519) > Сторінка 4876 з 4876

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSMBG13Ae3 MSMBG13Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY RF01000+%283%29.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 14.4V; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCG13A MSMCG13A MICROCHIP TECHNOLOGY rf01001_rev_b_final-pd-000307351.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCG13Ae3 MSMCG13Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY rf01001_rev_b_final-pd-000307351.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMLG13A MSMLG13A MICROCHIP TECHNOLOGY msmlg5_j5_series_datasheet_revd.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; 139.4A; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
Max. forward impulse current: 139.4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMLG13Ae3 MSMLG13Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY msmlg5_j5_series_datasheet_revd.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMBG13Ae3 MASMBG13Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY 10560-msmb-datasheet Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 14.4V; 27.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
Max. forward impulse current: 27.9A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMBG13A MASMBG13A MICROCHIP TECHNOLOGY 10560-msmb-datasheet Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 14.4V; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMCG13A MASMCG13A MICROCHIP TECHNOLOGY 10561-msmc-datasheet Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMCG13Ae3 MASMCG13Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY 10561-msmc-datasheet Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMLG13A MASMLG13A MICROCHIP TECHNOLOGY 10563-msml-datasheet Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMLG13Ae3 MASMLG13Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY 10563-msml-datasheet Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC360SMA120S MSC360SMA120S MICROCHIP TECHNOLOGY MSC360SMA120S.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; SMA
Power dissipation: 71W
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.45Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 27A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+506.60 грн
3+453.08 грн
10+437.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC360SMA120B MSC360SMA120B MICROCHIP TECHNOLOGY MSC360SMA120B.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W; SMA
Power dissipation: 78W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.45Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 28A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.83 грн
7+386.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC360SMA120SCT/RM MSC360SMA120SCT/RM MICROCHIP TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 27A; 104W; SMA
Power dissipation: 104W
Mounting: SMD
Case: PSMT-16L
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.45Ω
Manufacturer standard package: 100pcs.
Pulsed drain current: 27A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.71 грн
4+302.88 грн
9+286.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC180SMA120S MSC180SMA120S MICROCHIP TECHNOLOGY MSC180SMA120S.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W; SMA
Power dissipation: 125W
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.225Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.70 грн
2+493.52 грн
6+466.28 грн
30+464.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC180SMA120B MSC180SMA120B MICROCHIP TECHNOLOGY MSC180SMA120B.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W; SMA
Power dissipation: 127W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.225Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.92 грн
5+526.53 грн
30+505.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120S MSC040SMA120S MICROCHIP TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 159A; 303W
Power dissipation: 303W
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 137nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 50mΩ
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 159A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1674.43 грн
2+1524.29 грн
10+1464.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B MSC025SMA120B MICROCHIP TECHNOLOGY MSC025SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W
Power dissipation: 500W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 232nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 31mΩ
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 275A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2749.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W; SMA
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.1Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 90A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+708.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBG13Ae3 RF01000+%283%29.pdf
MSMBG13Ae3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 14.4V; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCG13A rf01001_rev_b_final-pd-000307351.pdf
MSMCG13A
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCG13Ae3 rf01001_rev_b_final-pd-000307351.pdf
MSMCG13Ae3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMLG13A msmlg5_j5_series_datasheet_revd.pdf
MSMLG13A
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; 139.4A; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
Max. forward impulse current: 139.4A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMLG13Ae3 msmlg5_j5_series_datasheet_revd.pdf
MSMLG13Ae3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMBG13Ae3 10560-msmb-datasheet
MASMBG13Ae3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 14.4V; 27.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
Max. forward impulse current: 27.9A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMBG13A 10560-msmb-datasheet
MASMBG13A
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 14.4V; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMCG13A 10561-msmc-datasheet
MASMCG13A
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMCG13Ae3 10561-msmc-datasheet
MASMCG13Ae3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMLG13A 10563-msml-datasheet
MASMLG13A
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MASMLG13Ae3 10563-msml-datasheet
MASMLG13Ae3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 14.4V; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Operating temperature: -65...150°C
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 13V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 14.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC360SMA120S MSC360SMA120S.PDF
MSC360SMA120S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; SMA
Power dissipation: 71W
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.45Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 27A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.60 грн
3+453.08 грн
10+437.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC360SMA120B MSC360SMA120B.PDF
MSC360SMA120B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W; SMA
Power dissipation: 78W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.45Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 28A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.83 грн
7+386.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC360SMA120SCT/RM
MSC360SMA120SCT/RM
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 27A; 104W; SMA
Power dissipation: 104W
Mounting: SMD
Case: PSMT-16L
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.45Ω
Manufacturer standard package: 100pcs.
Pulsed drain current: 27A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.71 грн
4+302.88 грн
9+286.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC180SMA120S MSC180SMA120S.PDF
MSC180SMA120S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W; SMA
Power dissipation: 125W
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.225Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+553.70 грн
2+493.52 грн
6+466.28 грн
30+464.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC180SMA120B MSC180SMA120B.pdf
MSC180SMA120B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W; SMA
Power dissipation: 127W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.225Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+591.92 грн
5+526.53 грн
30+505.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120S
MSC040SMA120S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 159A; 303W
Power dissipation: 303W
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 137nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 50mΩ
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 159A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1674.43 грн
2+1524.29 грн
10+1464.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B MSC025SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC025SMA120B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W
Power dissipation: 500W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 232nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 31mΩ
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 275A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2749.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC080SMA120B4
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W; SMA
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.1Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 90A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+708.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.