Результат пошуку "irf71" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 740
Мінімальне замовлення: 891
Мінімальне замовлення: 740
Мінімальне замовлення: 740
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 144
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 228
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 179
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 159
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 249
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 509
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7103TRPBF Код товару: 19112 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 290/12 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 398 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF7104PBF Код товару: 23932 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 2,3 A Rds(on),Om: 0,25 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 89 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF7105 Код товару: 32592 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 25 V Idd,A: 3,5 (2.3) A Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 47 шт
очікується:
200 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF7105PBF Код товару: 113418 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 25 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 60 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF710 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF710 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF710 | Harris Corporation |
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF710 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF710 | Siliconix |
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7101 | International Rectifier |
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103QTRPBF | International Rectifier/Infineon | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 73 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm |
на замовлення 272 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6755 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 14020 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 875 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 206079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 41378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 206079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 19839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104 | IR | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm |
на замовлення 122 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104PBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 2519 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 3688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A |
на замовлення 5226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TR | UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm |
на замовлення 3886 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A |
на замовлення 13621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 9022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF7103TRPBF Код товару: 19112 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 398 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27.5 грн |
10+ | 24.8 грн |
100+ | 21.8 грн |
IRF7104PBF Код товару: 23932 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 89 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16.5 грн |
IRF7105 Код товару: 32592 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 47 шт
очікується:
200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |
IRF7105PBF Код товару: 113418 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 60 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16.5 грн |
IRF710 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 27.27 грн |
IRF710 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
891+ | 28.01 грн |
IRF710 |
Виробник: Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 27.27 грн |
IRF710 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 27.27 грн |
IRF710 |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.74 грн |
IRF7101 |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.36 грн |
IRF7103QTRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 27.72 грн |
25+ | 25.86 грн |
100+ | 24.02 грн |
IRF7103TR |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 34.82 грн |
10+ | 28.61 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.01 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.01 грн |
IRF7103TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.83 грн |
IRF7103TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.83 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14020 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.01 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 875 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.01 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 206079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 36.01 грн |
250+ | 30.63 грн |
1000+ | 24.21 грн |
2000+ | 19.91 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 41378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
144+ | 81.22 грн |
295+ | 39.58 грн |
322+ | 36.28 грн |
324+ | 34.8 грн |
500+ | 26.23 грн |
1000+ | 23.51 грн |
2000+ | 23.43 грн |
4000+ | 22.01 грн |
8000+ | 20.84 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 206079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 47.44 грн |
50+ | 36.01 грн |
250+ | 30.63 грн |
1000+ | 24.21 грн |
2000+ | 19.91 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 23.63 грн |
8000+ | 21.56 грн |
12000+ | 19.96 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.95 грн |
10+ | 51.89 грн |
100+ | 35.93 грн |
500+ | 28.17 грн |
1000+ | 23.97 грн |
2000+ | 21.35 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 22.78 грн |
12000+ | 22.34 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
228+ | 51.34 грн |
230+ | 50.88 грн |
296+ | 39.53 грн |
299+ | 37.76 грн |
500+ | 27.01 грн |
1000+ | 18.86 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 55.99 грн |
13+ | 47.67 грн |
25+ | 47.25 грн |
100+ | 35.39 грн |
250+ | 32.47 грн |
500+ | 24.08 грн |
1000+ | 17.51 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 29.58 грн |
500+ | 24.63 грн |
1000+ | 21 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 24.83 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 10.26 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 40.86 грн |
21+ | 35.71 грн |
100+ | 29.58 грн |
500+ | 24.63 грн |
1000+ | 21 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 23.17 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.95 грн |
10+ | 51.89 грн |
100+ | 35.93 грн |
500+ | 28.17 грн |
1000+ | 23.97 грн |
2000+ | 21.35 грн |
IRF7104 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.47 грн |
10+ | 27.5 грн |
IRF7104PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 18.49 грн |
37+ | 17.25 грн |
100+ | 16.02 грн |
IRF7104TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.22 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.17 грн |
25+ | 60.82 грн |
100+ | 57.34 грн |
250+ | 51.89 грн |
500+ | 48.66 грн |
1000+ | 47.5 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 21.31 грн |
8000+ | 21.13 грн |
12000+ | 20.8 грн |
24000+ | 19.82 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7104TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 72.24 грн |
14+ | 56.1 грн |
100+ | 37.28 грн |
500+ | 29.07 грн |
1000+ | 18.89 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
179+ | 65.49 грн |
183+ | 64.04 грн |
250+ | 62.58 грн |
500+ | 58.95 грн |
1000+ | 53.29 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 37.28 грн |
500+ | 29.07 грн |
1000+ | 18.89 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
159+ | 73.73 грн |
174+ | 67.21 грн |
232+ | 50.48 грн |
244+ | 46.15 грн |
500+ | 35.78 грн |
1000+ | 23.59 грн |
2000+ | 22.18 грн |
4000+ | 21.18 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 54.87 грн |
14+ | 44.18 грн |
100+ | 35.72 грн |
500+ | 28.8 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.23 грн |
10+ | 51.26 грн |
100+ | 35.47 грн |
500+ | 27.82 грн |
1000+ | 23.67 грн |
2000+ | 21.08 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 19.73 грн |
8000+ | 19.67 грн |
12000+ | 19.32 грн |
24000+ | 18.36 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 12.2 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 5226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.73 грн |
10+ | 50.16 грн |
100+ | 34.3 грн |
500+ | 27.9 грн |
1000+ | 20.91 грн |
2000+ | 19.65 грн |
IRF7104TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
249+ | 47.01 грн |
299+ | 39.13 грн |
500+ | 32.17 грн |
IRF7105TR |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.8 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.46 грн |
10+ | 36.13 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 46.09 грн |
50+ | 31.23 грн |
250+ | 26.3 грн |
1000+ | 20.53 грн |
2000+ | 17.03 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 12.33 грн |
8000+ | 11.81 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
509+ | 22.95 грн |
511+ | 22.85 грн |
572+ | 20.43 грн |
1000+ | 18.95 грн |
2000+ | 17.46 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 31.23 грн |
250+ | 26.3 грн |
1000+ | 20.53 грн |
2000+ | 17.03 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 13621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.1 грн |
10+ | 39.13 грн |
100+ | 26.17 грн |
500+ | 22.24 грн |
1000+ | 18.98 грн |
2000+ | 17.05 грн |
4000+ | 16.85 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 18.26 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.54 грн |
10+ | 40.09 грн |
100+ | 27.76 грн |
500+ | 21.77 грн |
1000+ | 18.52 грн |
2000+ | 16.5 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 9.63 грн |
IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 13.32 грн |
8000+ | 12.75 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]