Продукція > FDP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+80.18 грн
100+46.60 грн
500+37.55 грн
1000+33.83 грн
3000+30.03 грн
6000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+83.31 грн
100+56.12 грн
500+41.73 грн
1000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SonsemiMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+110.35 грн
100+65.93 грн
500+52.60 грн
1000+52.05 грн
3000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+103.80 грн
100+71.00 грн
500+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013Sonsemi / FairchildMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+110.35 грн
100+65.93 грн
500+52.67 грн
1000+52.05 грн
3000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.12 грн
10+99.15 грн
100+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.51 грн
10+106.36 грн
25+106.20 грн
100+102.27 грн
250+94.56 грн
500+90.65 грн
1000+90.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.10 грн
10+148.45 грн
100+103.56 грн
500+79.20 грн
1000+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60/100A
Power dissipation: 21/42W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8/1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25/67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.72 грн
10+96.85 грн
100+60.54 грн
500+51.84 грн
1000+47.29 грн
3000+44.94 грн
6000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SonsemiMOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+104.79 грн
100+62.96 грн
500+52.81 грн
3000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SON Semiconductor
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+108.59 грн
100+74.24 грн
500+55.87 грн
1000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPE 0751 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide
Base dimensions: 60x60mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.61 грн
4+143.76 грн
10+132.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPE 1251 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 125mm; W: 27mm; H: 157mm; rigid; 120kg
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Kind of Bearing: slide
Wheel width: 27mm
Base dimensions: 76x76mm
Wheel diameter: 125mm
Height: 157mm
Force: 120kg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4001 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außendurchmesser: 2.2mm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1455.35 грн
5+1396.56 грн
10+1362.73 грн
50+1233.98 грн
100+1110.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4001 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
Mantelfarbe: Grau
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8714.40 грн
5+7566.71 грн
10+6418.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4002 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
Mantelfarbe: Grau
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3025.88 грн
5+2627.21 грн
10+2228.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4002 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
Mantelfarbe: Grau
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16313.33 грн
5+14164.53 грн
10+12015.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF-210-05RAUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Cable length: 1m
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
Operating temperature: -30...70°C
Sensors features: flexible
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+8261.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 177137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06BFairchild SemiconductorDescription: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 177137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+155.63 грн
100+108.96 грн
500+83.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F154onsemiMOSFETs FET 60V 3.5 MOHM TO220F
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+167.51 грн
100+102.17 грн
500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 m
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1-F154onsemiMOSFET FET 60V 4.1 MOHM TO220F
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+114.32 грн
100+79.39 грн
250+75.94 грн
500+66.76 грн
1000+56.82 грн
2000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
50+169.03 грн
100+153.99 грн
500+119.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AON Semiconductor
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.99 грн
10+182.60 грн
100+144.28 грн
500+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.29 грн
10+199.74 грн
100+186.05 грн
500+156.30 грн
1000+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.06 грн
10+166.41 грн
100+140.80 грн
500+123.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AonsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+127.02 грн
100+99.41 грн
500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.18 грн
10+200.54 грн
100+170.74 грн
500+130.88 грн
1000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.06 грн
86+166.41 грн
101+140.80 грн
500+123.29 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
50+116.80 грн
100+105.71 грн
500+80.98 грн
1000+75.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.33 грн
10+100.03 грн
100+83.53 грн
500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50FTonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 10A
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+126.23 грн
25+103.55 грн
100+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UTonsemi / FairchildMOSFET 500V 8A N-Chan UniFET
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+134.96 грн
25+111.14 грн
100+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.87 грн
10+211.82 грн
100+180.41 грн
500+137.61 грн
1000+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60ZUTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N35ONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N35 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N35Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50FTonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+160.37 грн
25+113.91 грн
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
на замовлення 24145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50FTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.77 грн
50+49.71 грн
100+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+132.09 грн
100+104.70 грн
500+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+104.90 грн
500+100.43 грн
1000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+104.90 грн
500+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZonsemi / FairchildMOSFETs UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
50+83.37 грн
100+75.06 грн
500+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50Tonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+155.60 грн
100+109.07 грн
250+107.69 грн
500+93.20 грн
1000+89.74 грн
2000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+33.73 грн
422+33.60 грн
427+33.23 грн
429+31.92 грн
500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.00 грн
10+103.87 грн
50+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
50+106.74 грн
100+96.49 грн
500+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.57 грн
23+33.60 грн
25+32.04 грн
100+29.56 грн
500+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UTonsemi / FairchildMOSFETs 500V 10A N-Chan Ultra FRFET
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+131.79 грн
250+106.31 грн
500+96.65 грн
1000+54.95 грн
2000+54.26 грн
5000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]