Продукція > IAU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IAUCN10S7N074ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUCP04P4N040ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN04S7N005GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN04S7N005GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUMN04S7N005GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUMN04S7N005GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN04S7N006GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN04S7N009GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN04S7N009GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN04S7N011GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 325W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 325W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N013GAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N013GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tray Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N013GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N013GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN08S5N013GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUMN10S5N016GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN10S5N016GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUMN10S5N016GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 4139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN10S5N016GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN10S5N016GAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN10S5N017GAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN10S5N017GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUMN10S5N017GAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUMN10S5N017GAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 167W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS180N04S4N015ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: PG-HSOG Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: PG-HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1800 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор Код товару: 197348
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 173A; Idm: 960A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 173A Power dissipation: 230W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 960A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 3879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-HSOG Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W Case: PG-HDSOP-16 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 5 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 166nC On-state resistance: 2.6mΩ Drain current: 91A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 995A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 5259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS260N10S5N019TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 14695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N04S4N007ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N04S4N007ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N04S4N007ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 31953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R | на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | Infineon Technologies | IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | Infineon Technologies | IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com | на замовлення 26546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | Infineon Technologies | IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 6477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |