Продукція > IAU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IAUT300N08S5N012ATMA2InfineonMOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.31 грн
10+258.44 грн
100+185.50 грн
500+158.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.41 грн
57+248.44 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+206.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+444.63 грн
50+312.13 грн
100+226.78 грн
500+187.19 грн
1000+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 258725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+317.01 грн
10+254.11 грн
100+224.76 грн
500+201.28 грн
1000+187.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.76 грн
51+277.59 грн
100+222.12 грн
250+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+143.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+206.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.41 грн
57+248.44 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.78 грн
500+187.19 грн
1000+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 82775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014Infineon TechnologiesInfineon MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.45 грн
50+317.76 грн
100+303.61 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.02 грн
500+169.83 грн
1000+153.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+303.09 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.80 грн
10+241.76 грн
100+172.55 грн
500+140.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 104781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
500+219.22 грн
1000+207.44 грн
10000+188.66 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.73 грн
10+256.05 грн
100+191.02 грн
500+169.83 грн
1000+153.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+126.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 53919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
500+219.22 грн
1000+207.44 грн
10000+188.66 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.35 грн
500+219.64 грн
1000+196.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.61 грн
10+330.52 грн
100+238.44 грн
500+186.92 грн
1000+178.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.82 грн
10+328.39 грн
100+237.35 грн
500+219.64 грн
1000+196.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+182.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+160.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.33 грн
500+264.01 грн
1000+249.87 грн
10000+226.17 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.33 грн
500+264.01 грн
1000+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+228.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+208.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.94 грн
10+264.25 грн
100+190.55 грн
500+177.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.33 грн
500+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+461.70 грн
50+299.13 грн
100+228.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.99 грн
50+370.56 грн
100+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+321.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+166.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.13 грн
10+341.90 грн
25+338.50 грн
100+271.13 грн
250+250.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.13 грн
42+338.50 грн
100+271.13 грн
250+250.29 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.58 грн
10+339.77 грн
100+246.29 грн
500+221.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.77 грн
10+271.12 грн
100+195.99 грн
500+183.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+246.29 грн
500+221.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.03 грн
10+273.93 грн
100+245.48 грн
500+224.17 грн
1000+190.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.18 грн
10+450.99 грн
25+438.54 грн
100+369.42 грн
250+333.97 грн
500+298.47 грн
1000+271.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+245.48 грн
500+224.17 грн
1000+190.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+367.00 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.12 грн
10+242.36 грн
100+213.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.70 грн
10+350.52 грн
100+255.73 грн
500+231.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+455.42 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.30 грн
10+377.16 грн
100+292.62 грн
500+249.83 грн
1000+209.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+209.24 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+377.16 грн
100+292.62 грн
500+249.83 грн
1000+209.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.80 грн
10+298.97 грн
25+275.92 грн
100+235.15 грн
250+223.80 грн
500+216.96 грн
1000+207.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S7N007ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N017ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+383.66 грн
100+295.06 грн
500+270.21 грн
1000+245.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N017ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 9535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N017ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.61 грн
10+383.66 грн
100+295.06 грн
500+270.21 грн
1000+245.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N017ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.24 грн
10+320.93 грн
100+242.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N017ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+568.99 грн
10+396.67 грн
100+295.88 грн
500+255.12 грн
1000+230.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+396.67 грн
100+295.88 грн
500+255.12 грн
1000+230.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.16 грн
10+363.28 грн
100+281.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+232.63 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+451.94 грн
50+402.30 грн
100+355.33 грн
250+335.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.39 грн
5+542.17 грн
10+451.94 грн
50+402.30 грн
100+355.33 грн
250+335.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.37 грн
10+381.24 грн
100+279.57 грн
500+257.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.08 грн
10+438.98 грн
25+407.31 грн
100+349.59 грн
250+334.02 грн
500+324.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.16 грн
10+457.93 грн
25+425.16 грн
100+365.11 грн
250+348.98 грн
500+339.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]