Продукція > R60
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6024ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 4919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Supplier Device Package: TO-247 Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024ENZM12C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 245 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNX | ROHM | Description: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | ROHM | Description: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 245 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024KNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.153 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.153 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6024VNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET | на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025ANZ | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025ANZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025ANZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025ANZC8 Код товару: 131473
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| R6025ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025ANZFL1C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025ANZFU7C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025FNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025FNZ1C9 Код товару: 118196
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025FNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025FNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247G Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Power Dissipation (Max): 306W (Tc) | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNZC17 | ROHM | Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.182 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 85W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6025JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZC8 | ROHM | Description: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6025JNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET NCH 600V 25A POWER | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6027YNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6027YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 245W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6027YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6027YNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| R6027YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|