Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.34 грн
2000+105.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.63 грн
10+208.17 грн
100+147.33 грн
500+119.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.39 грн
10+177.60 грн
50+137.45 грн
100+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNX
Код товару: 181658
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+392.25 грн
59+241.38 грн
100+212.15 грн
500+178.21 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.38 грн
53+268.90 грн
100+236.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
50+186.76 грн
100+170.35 грн
500+132.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+252.70 грн
74+191.41 грн
200+180.09 грн
500+172.75 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.38 грн
30+377.82 грн
120+319.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.94 грн
58+245.23 грн
100+236.91 грн
250+221.51 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.35 грн
10+368.26 грн
100+269.47 грн
500+246.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+368.67 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+260.24 грн
63+225.35 грн
100+206.50 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.26 грн
50+198.04 грн
100+180.49 грн
500+140.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 182W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.02 грн
69+205.86 грн
100+198.88 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.45 грн
94+151.46 грн
100+146.32 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
50+84.23 грн
100+75.76 грн
500+57.16 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.44 грн
30+168.90 грн
120+138.67 грн
510+109.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 182W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+251.75 грн
74+191.41 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.07 грн
54+263.35 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+195.49 грн
100+137.68 грн
500+106.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.83 грн
88+161.43 грн
100+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
48+298.19 грн
50+288.76 грн
100+207.99 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.06 грн
50+114.94 грн
100+103.78 грн
500+79.01 грн
1000+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+231.93 грн
73+194.05 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 65W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.65 грн
50+313.99 грн
100+189.52 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+497.38 грн
34+420.77 грн
52+274.62 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.58 грн
30+170.73 грн
120+140.39 грн
510+110.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.165 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 205W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+589.54 грн
50+501.75 грн
100+465.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.60 грн
57+250.08 грн
100+195.11 грн
500+187.67 грн
1000+145.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.58 грн
10+222.89 грн
100+158.35 грн
500+122.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.74 грн
50+315.10 грн
300+274.44 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.66 грн
10+250.12 грн
100+195.15 грн
500+187.71 грн
1000+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.94 грн
10+272.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.64 грн
50+210.78 грн
100+192.61 грн
500+179.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+557.20 грн
50+294.40 грн
100+269.03 грн
500+258.27 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.97 грн
50+207.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.12 грн
54+265.60 грн
100+256.58 грн
250+239.92 грн
500+216.10 грн
1000+202.38 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+566.30 грн
44+322.14 грн
100+285.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: TO-247
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.56 грн
30+263.39 грн
120+231.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+653.30 грн
26+562.74 грн
50+471.26 грн
100+425.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]