Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.19 грн
10+301.26 грн
100+188.81 грн
600+163.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.37 грн
10+282.29 грн
100+203.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW360TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - STW360 - PIR-Sensor, Decke, weiß, 360° Strahlöffnungswinkel, 8m Messbereich, 88mm x 88mm x 50mm
tariffCode: 85319000
Ansprechzeit: 3s
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Gläser-/Linsenfarbe: -
usEccn: EAR99
Erfassungsbereich (horizontal): -
Linsentyp: -
Erfassungsbereich (vertikal): -
Versorgungsspannung, min.: 230V
Erfassungsempfindlichkeit: -
Anzahl der Erfassungsbereiche: -
euEccn: NLR
Strahlöffnungswinkel: 360°
Stromverbrauch, typ.: -
Produktpalette: -
Erfassungsreichweite, max.: 8m
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 230VAC
Erfassungsreichweite: 8m
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1355.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 33A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.06 Ohm 33A MDmesh M5 FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.56 грн
30+279.57 грн
120+234.01 грн
510+188.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.23 грн
10+327.70 грн
100+233.40 грн
600+202.75 грн
1200+199.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.23 грн
10+355.75 грн
100+291.23 грн
250+290.53 грн
600+283.57 грн
1200+277.99 грн
3000+273.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.73 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.44 грн
5+290.19 грн
10+287.75 грн
50+264.17 грн
100+238.98 грн
250+234.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.87 грн
25+270.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 112A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 112A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
30+249.91 грн
120+244.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.29 грн
10+335.72 грн
100+238.98 грн
600+232.71 грн
3000+231.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.45 грн
38+375.80 грн
39+371.07 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.56 грн
30+314.37 грн
120+264.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.15 грн
5+348.71 грн
10+346.27 грн
50+320.03 грн
100+293.32 грн
250+291.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.41 грн
10+376.75 грн
25+372.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ 30 A MDmesh M5 Power MOSFET
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.00 грн
10+491.96 грн
25+312.13 грн
250+311.44 грн
600+281.48 грн
1200+269.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 38 A, Ptot, Вт = 180, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 95, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 10,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3C2NDialightTask Lighting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3C2NDialightLED Modules Uni-Color White
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+94201.37 грн
2+90433.54 грн
6+86816.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.65 грн
50+441.28 грн
100+232.67 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150
Код товару: 194243
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 1.3 A, 6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.08 грн
10+333.27 грн
100+244.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.10 грн
30+201.73 грн
120+166.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsMOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.24 грн
10+229.15 грн
100+158.16 грн
600+139.34 грн
1200+131.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+290.82 грн
5+220.56 грн
10+194.57 грн
30+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.47 грн
25+254.79 грн
100+194.39 грн
250+181.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.01 грн
10+465.76 грн
100+233.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.31 грн
30+189.85 грн
120+169.73 грн
510+155.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4000ST02/03+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4000BAHSTBGA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4000BAHTST
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4000BAST
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+124.77 грн
100+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW404012STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; blue (bright); L: 10m; Width: 0.6m; Thick: 2mm
Thickness: 2mm
Width: 0.6m
Length: 10m
Surface resistance: 0.1...1GΩ
Type of mat: bench
Colour: blue (bright)
Version: ESD
Antistatic elements application: for covering shelves; for covering trolleys; for cover the tops
Mat features: light-dispersing surface; two-layer
Resistance to: most of chemical compounds; temperature
Material: rubber
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+19133.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW404111STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; grey (bright); L: 10m; Width: 0.9m; Thick: 2mm
Material: rubber
Version: ESD
Antistatic elements application: for covering shelves; for covering trolleys; for cover the tops
Mat features: light-dispersing surface; two-layer
Resistance to: most of chemical compounds; temperature
Thickness: 2mm
Length: 10m
Width: 0.9m
Surface resistance: 0.1...1GΩ
Type of mat: bench
Colour: grey (bright)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+26769.69 грн
3+23184.46 грн
5+22698.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW404112STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; blue (bright); L: 10m; Width: 0.9m; Thick: 2mm
Material: rubber
Version: ESD
Antistatic elements application: for covering shelves; for covering trolleys; for cover the tops
Mat features: light-dispersing surface; two-layer
Resistance to: most of chemical compounds; temperature
Thickness: 2mm
Length: 10m
Width: 0.9m
Surface resistance: 0.1...1GΩ
Type of mat: bench
Colour: blue (bright)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+26769.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40845600STATICTECCategory: ESD Floor Mats
Description: Mat: floor; anti fatigue; ESD; black; L: 0.6m; W: 0.45m; Thk: 17mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Kind of mat: anti fatigue
Colour: black
Features of antistatic elements: dissipative
Version: ESD
Type of mat: floor
Kind of connector: press stud male 10mm x2
Related items: PRT-STW1430; PRT-STW1480; PRT-STW1500; PRT-STW1510; PRT-STW1520; PRT-STW1550; PRT-STW1555; PRT-STW2110; PRT-STW2210
Thickness: 17mm
Width: 0.45m
Length: 0.6m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40860900STATICTECCategory: ESD Floor Mats
Description: Mat: floor; anti fatigue; ESD; black; L: 0.9m; W: 0.6m; Thk: 17mm
Version: ESD
Features of antistatic elements: dissipative
Kind of connector: press stud male 10mm x2
Type of mat: floor
Related items: PRT-STW1430; PRT-STW1480; PRT-STW1500; PRT-STW1510; PRT-STW1520; PRT-STW1550; PRT-STW1555; PRT-STW2110; PRT-STW2210
Thickness: 17mm
Width: 0.6m
Length: 0.9m
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Kind of mat: anti fatigue
Colour: black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40860903STATICTECCategory: ESD Floor Mats
Description: Mat: floor; anti fatigue; ESD; black; L: 0.9m; W: 0.6m; Thk: 10mm
Version: ESD
Features of antistatic elements: dissipative; right side
Kind of connector: press stud male 10mm x2
Type of mat: floor
Related items: PRT-STW40860901; PRT-STW40860902
Thickness: 10mm
Width: 0.6m
Length: 0.9m
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Kind of mat: anti fatigue
Colour: black
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4436.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40860904STATICTECCategory: ESD Floor Mats
Description: Mat: floor; anti fatigue; ESD; black; L: 2.7m; W: 0.6m; Thk: 17mm
Version: ESD
Features of antistatic elements: dissipative
Kind of connector: press stud male 10mm x2
Type of mat: floor
Related items: PRT-STW1430; PRT-STW1480; PRT-STW1500; PRT-STW1510; PRT-STW1520; PRT-STW1550; PRT-STW1555; PRT-STW2110; PRT-STW2210
Thickness: 17mm
Width: 0.6m
Length: 2.7m
Kit contents: 3 elements; PRT-STW40860901; PRT-STW40860902; PRT-STW40860903
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Kind of mat: anti fatigue
Colour: black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N20
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N20STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.65 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.86 грн
10+215.53 грн
100+159.55 грн
600+144.22 грн
1200+141.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.07 грн
5+417.80 грн
10+374.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+193.11 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 22A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.69 грн
30+212.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.60 грн
10+459.91 грн
100+330.25 грн
600+294.02 грн
1200+275.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.02 грн
10+271.62 грн
100+230.62 грн
600+202.05 грн
1200+183.94 грн
3000+160.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 128A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 87mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
30+252.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.69 грн
5+348.71 грн
10+247.92 грн
50+218.89 грн
100+186.72 грн
250+171.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 40A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1131.83 грн
30+681.72 грн
120+655.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.95 грн
10+937.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5
Код товару: 158568
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+933.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1116.04 грн
10+669.03 грн
100+557.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95DK5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1272.92 грн
25+773.99 грн
50+672.34 грн
100+590.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ 38 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1294.05 грн
10+1271.56 грн
25+695.33 грн
50+694.63 грн
100+645.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW40N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 38 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.85 грн
5+1026.62 грн
10+783.58 грн
50+723.08 грн
100+663.28 грн
250+650.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.62 грн
30+713.35 грн
120+651.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 40 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.72 грн
10+290.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
30+187.71 грн
120+155.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20
Код товару: 172216
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20STMicroelectronicsMOSFET Low charge STripFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4100
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]