Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW33N20
на замовлення 24109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N20(мікросхема TO-247)
Код товару: 57271
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.46 грн
10+275.92 грн
30+248.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.23 грн
30+237.25 грн
60+215.65 грн
120+185.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.69 грн
30+262.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.80 грн
10+281.31 грн
50+221.97 грн
100+190.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20STMicroelectronicsN-канальный ПТ, Rds = 75 мОм, Vdss В = 200, Id = 34 А, Ptot, Вт = 180, Qg,нКл = 80, Tэксп, °C = -65...+150, Vgs(th) = 5 В (при 250 мкА), Тип монт. = выводной,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20
Код товару: 143246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+617.76 грн
10+305.27 грн
30+291.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.28 грн
30+541.13 грн
120+540.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60N
Код товару: 55857
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.92 грн
30+440.57 грн
60+404.84 грн
120+351.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+548.78 грн
30+540.64 грн
120+539.57 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.83 грн
30+494.93 грн
120+494.27 грн
510+454.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+471.26 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.03 грн
30+467.24 грн
60+429.77 грн
120+373.78 грн
510+327.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+531.59 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+517.75 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+599.70 грн
10+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+449.98 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2
Код товару: 123684
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/54
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 210W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 17A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.72 грн
10+322.37 грн
50+255.16 грн
100+219.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW360TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - STW360 - PIR-Sensor, Decke, weiß, 360° Strahlöffnungswinkel, 8m Messbereich, 88mm x 88mm x 50mm
tariffCode: 85319000
Ansprechzeit: 3s
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Gläser-/Linsenfarbe: -
usEccn: EAR99
Erfassungsbereich (horizontal): -
Linsentyp: -
Erfassungsbereich (vertikal): -
Versorgungsspannung, min.: 230V
Erfassungsempfindlichkeit: -
Anzahl der Erfassungsbereiche: -
euEccn: NLR
Strahlöffnungswinkel: 360°
Stromverbrauch, typ.: -
Produktpalette: -
Erfassungsreichweite, max.: 8m
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 230VAC
Erfassungsreichweite: 8m
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 33A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.06 Ohm 33A MDmesh M5 FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.43 грн
30+278.11 грн
60+253.51 грн
120+218.46 грн
510+187.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.73 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
30+249.91 грн
120+244.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 112A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 112A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 73mΩ
Power dissipation: 190W
Technology: MDmesh™ V
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+357.97 грн
45+315.68 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5
Код товару: 223134
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.72 грн
10+316.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.78 грн
30+314.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 38 A, Ptot, Вт = 180, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 95, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 10,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38NB20
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3C2NDialightTask Lighting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3C2NDialightLED Modules Uni-Color White
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+94201.37 грн
2+90433.54 грн
6+86816.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STN-MOSFET 2.5A 1500V 140W 9Ω STW3N150 TSTW3N150
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+140.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150
Код товару: 194243
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 1.3 A, 6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.65 грн
50+441.28 грн
100+232.67 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsMOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+356.75 грн
5+218.05 грн
10+204.63 грн
30+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.56 грн
30+245.25 грн
60+223.06 грн
120+191.80 грн
510+163.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4000ST02/03+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4000BAHSTBGA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.