Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+90.22 грн
100+82.66 грн
500+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DPT1GE3VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DPT1GE3
Код товару: 145072
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si7148SIBGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DPVISHAY09+
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3Vishay SiliconixМОП-транзистор 75V 28A 0.011Ohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3
Код товару: 61766
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
10+165.28 грн
100+115.99 грн
500+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.12 грн
111+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
10+165.28 грн
100+115.99 грн
500+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 24987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+38.95 грн
379+37.40 грн
500+36.05 грн
1000+33.62 грн
2500+30.21 грн
5000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 24916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.91 грн
6000+32.25 грн
9000+31.06 грн
15000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3SiliconixTranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 63151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
10+80.74 грн
100+54.21 грн
500+40.23 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 24987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3Vishay TransitorТранзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 транзистор
Код товару: 193702
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP
Код товару: 140330
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-E3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 20621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.38 грн
10+103.42 грн
100+70.37 грн
500+52.78 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.70 грн
6000+43.04 грн
9000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.73 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+69.77 грн
9000+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 52W
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.93 грн
12+34.66 грн
100+22.47 грн
500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 6528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.07 грн
10+43.35 грн
100+28.30 грн
500+20.47 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7153DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7155DP
Код товару: 162602
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 22954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.41 грн
10+89.04 грн
25+87.67 грн
100+83.21 грн
250+75.82 грн
500+71.61 грн
1000+70.43 грн
3000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.41 грн
159+89.04 грн
162+87.67 грн
164+83.21 грн
250+75.82 грн
500+71.61 грн
1000+70.43 грн
3000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.72 грн
6000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.05 грн
128+110.86 грн
250+106.42 грн
500+98.91 грн
1000+88.60 грн
2500+82.53 грн
5000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 22954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+108.53 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+108.53 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20, Qg, нКл = 220, Rds = 4,6 мОм, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK-SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 121313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 64528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.17 грн
10+139.76 грн
100+96.89 грн
500+73.73 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7156DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7156DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистор польовий, MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.02 грн
10+103.30 грн
25+102.30 грн
100+74.60 грн
250+68.39 грн
500+55.05 грн
1000+50.66 грн
3000+49.52 грн
6000+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.92 грн
6000+52.46 грн
9000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.58 грн
10+107.60 грн
100+73.37 грн
500+55.13 грн
1000+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.92 грн
6000+52.46 грн
9000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.30 грн
139+102.30 грн
183+77.36 грн
250+73.86 грн
500+57.34 грн
1000+50.66 грн
3000+49.52 грн
6000+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.92 грн
6000+45.07 грн
9000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
903+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 903 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3
Код товару: 148717
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7159DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7159DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.82 грн
10+183.12 грн
100+128.56 грн
500+98.76 грн
1000+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3
Код товару: 164214
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 6250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]