Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFAUIRF4905International RectifierDescription: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF540ZInternational RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50A-033
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.94 грн
10+119.95 грн
25+118.10 грн
50+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFTrans MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF
Код товару: 27308
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.35 грн
120+118.17 грн
123+115.39 грн
125+110.16 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.22 грн
33+23.17 грн
34+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+202.42 грн
94+152.14 грн
100+146.85 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.59 грн
50+122.03 грн
100+110.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.40 грн
10+130.09 грн
100+85.19 грн
1000+79.60 грн
2000+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.02 грн
110+129.11 грн
126+113.14 грн
500+100.16 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.47 грн
10+147.45 грн
100+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+987.54 грн
10+530.37 грн
50+399.25 грн
100+382.44 грн
200+365.62 грн
250+359.74 грн
500+340.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.88 грн
50+119.70 грн
100+108.36 грн
500+83.06 грн
1000+77.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.53 грн
10+90.74 грн
100+72.62 грн
500+64.87 грн
1000+61.24 грн
2000+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.37 грн
2000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.37 грн
2000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50AIRTO-220AB
на замовлення 29270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB13N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.91 грн
10+157.23 грн
100+143.38 грн
500+101.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.83 грн
10+200.75 грн
100+153.62 грн
1000+152.92 грн
2000+148.73 грн
5000+145.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N50KPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60L
Код товару: 101998
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60LPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N20D
Код товару: 92179
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N20DPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+663.99 грн
50+354.53 грн
100+324.62 грн
500+262.55 грн
1000+239.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.72 грн
10+420.78 грн
25+236.72 грн
100+217.16 грн
500+186.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.28 грн
56+255.70 грн
100+248.88 грн
500+237.60 грн
1000+217.80 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.97 грн
50+258.29 грн
100+236.49 грн
500+186.15 грн
1000+183.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB17N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 16 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 220
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF
Код товару: 190279
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.54 грн
11+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 16 А, Ptot, Вт = 220, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 600V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.53 грн
10+108.79 грн
100+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.99 грн
50+215.83 грн
100+197.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.26 грн
10+301.42 грн
100+228.10 грн
500+192.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.80 грн
131+108.93 грн
141+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF
Код товару: 22900
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF
Код товару: 35981
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2870 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 4
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFB20N50KPBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.22 грн
10+220.77 грн
100+202.85 грн
500+183.82 грн
1000+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.25 грн
500+91.13 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.25 грн
500+91.13 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB23N15DPBF - IRFB23N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF
Код товару: 161319
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.25 грн
500+91.13 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB23N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+172.45 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBF
Код товару: 111171
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.28 грн
209+67.87 грн
225+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB24N20DIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]