Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| JAN2N6788 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6788 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6788U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6789 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6790 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6790 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6790U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6791 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6792 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6793 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6794 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6795 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6796 | HARRIS | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6796 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6796U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6798 | HAR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6798 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-39 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/557 Grade: Military | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6798U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 18-CLCC Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Qualification: MIL-PRF-19500/557 Grade: Military | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6799 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6800 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6800 | Microchip / Microsemi | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6800U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6800U | Microchip / Microsemi | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6802 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6802U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 18-LCC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6804 | Microchip / Microsemi | MOSFET P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6804 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6844 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6845 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6846 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6847 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6849 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/564 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6849 | HARRIS | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6849U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC Qualification: MIL-PRF-19500/564 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 18-CLCC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6850 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6851 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6895 | IR | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6898 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6898 | HARRIS | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N690 | MOTOROLA | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6901 | HARRIS | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N6901 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6903 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N690A | IR | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N691 | MOTOROLA | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N691A | IR | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N692 | MOTOROLA | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N692A | IR | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N693 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N693A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N694 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N694A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N695 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N695A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N696 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N696 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V TO5 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N696 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N696A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N696S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V TO39 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N696S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N697 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N697 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW Qualification: MIL-PRF-19500/99 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N697 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N697A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N697S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N697S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N698 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N6987 | Microchip / Microsemi | MOSFET BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987 | Microchip Technology | Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 Qualification: MIL-PRF-19500/558 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 1.5W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 PNP (Quad) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Qualification: MIL-PRF-19500/558 Grade: Military Supplier Device Package: 6-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 1W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 PNP (Quad) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987U | Microchip / Microsemi | MOSFET BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6988 | Microchip Technology | Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A Qualification: MIL-PRF-19500/558 Grade: Military Supplier Device Package: 14-Flatpack DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 400mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 PNP (Quad) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-Flatpack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6988 | Microchip / Microsemi | MOSFET BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6988/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6989 | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6989 | Microchip Technology | Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Supplier Device Package: TO-116 Qualification: MIL-PRF-19500/559 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Power - Max: 1.5W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 NPN (Quad) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6989/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6989U | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6989U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6989U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6989U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N698A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N699 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N6990 | Microchip Technology | Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN Qualification: MIL-PRF-19500/559 Grade: Military Supplier Device Package: 14-Flatpack DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Power - Max: 400mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 NPN (Quad) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-Flatpack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6990 | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6990/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N699A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N700 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N700A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N701 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N701A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N702 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N702A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N703 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N703A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N704 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N704A | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |