Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF Код товару: 118300
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB5615PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620 | International Rectifier | N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB5620PBF Код товару: 47564
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 60 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC | на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 9834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 9828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB5620PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB59N10D | Infineon | N-MOSFET HEXFET 59A 100V 3.8W 0.025Ω IRFB59N10D TIRFB59n10d кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB59N10D Код товару: 37576
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF Код товару: 84303
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 59 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2450 @ 25, Qg, нКл = 114 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 35,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: ш кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB61N15DPBF Код товару: 116418
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430 | International Rectifier | 409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 498 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 300 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V 195A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC | на замовлення 873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | на замовлення 1072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434GPBF | International Rectifier HiRel Products | Power Mosfet | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF Код товару: 171783
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216 Монтаж: THT | у наявності: 19 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437 | International Rectifier | 250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 2 150 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437PBF Код товару: 202363
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC | на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 195 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7330 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10, Rds = 2 @ 100 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,9 @ 150 мкА В, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 18 Од кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

