Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC86106LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
549+64.59 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
на замовлення 199808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.09 грн
6000+37.42 грн
9000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
на замовлення 17602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.34 грн
100+42.28 грн
500+31.18 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.82 грн
12+63.30 грн
25+62.66 грн
100+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.23 грн
500+42.93 грн
1500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 14357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+67.96 грн
100+41.21 грн
500+32.86 грн
1000+29.55 грн
3000+26.23 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
на замовлення 16990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.64 грн
6000+24.75 грн
9000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 19W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
50+87.79 грн
100+58.23 грн
500+42.93 грн
1500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.46 грн
176+80.97 грн
251+56.65 грн
500+46.60 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.21 грн
6000+33.71 грн
9000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemiMOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+75.82 грн
100+44.04 грн
500+34.66 грн
1000+31.62 грн
3000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.52 грн
10+116.78 грн
100+80.54 грн
500+65.96 грн
1000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P
Код товару: 183309
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139POn SemiconductorMOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PonsemiMOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+104.79 грн
100+73.18 грн
500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+116.97 грн
100+80.21 грн
500+60.53 грн
1000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.13 грн
10+91.41 грн
25+81.43 грн
50+74.79 грн
100+68.14 грн
250+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.54 грн
500+65.96 грн
1000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 42851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+74.39 грн
100+54.88 грн
500+48.53 грн
1000+47.56 грн
3000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.73 грн
250+93.38 грн
500+92.05 грн
1000+85.34 грн
3000+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.82 грн
10+110.63 грн
25+109.53 грн
50+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+152.38 грн
1000+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+266.59 грн
50+172.36 грн
100+127.25 грн
500+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.12 грн
250+151.20 грн
500+137.86 грн
1000+131.87 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 44525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+110.35 грн
25+95.27 грн
100+83.53 грн
250+78.70 грн
500+73.18 грн
3000+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 14309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
10+147.33 грн
100+102.43 грн
500+78.12 грн
1000+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.53 грн
10+138.74 грн
25+108.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.07 грн
101+141.31 грн
129+110.62 грн
500+103.29 грн
1000+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.25 грн
500+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemiMOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 33608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.45 грн
10+150.84 грн
100+92.51 грн
500+78.01 грн
1000+75.94 грн
3000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+152.38 грн
1000+140.57 грн
10000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
10+146.08 грн
100+91.12 грн
500+76.63 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.67 грн
10+175.58 грн
100+130.47 грн
500+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemiMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.09 грн
10+156.40 грн
100+100.79 грн
500+87.67 грн
1000+80.77 грн
3000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONN
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
на замовлення 27583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.31 грн
10+151.97 грн
100+105.70 грн
500+80.65 грн
1000+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 65W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 204A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.47 грн
500+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.33 грн
10+104.70 грн
100+78.69 грн
500+50.03 грн
3000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.69 грн
500+50.03 грн
3000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183ON Semiconductor / FairchildMOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+97.00 грн
100+65.92 грн
500+49.37 грн
1000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184onsemi / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 31904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+121.47 грн
100+86.98 грн
250+80.08 грн
500+73.18 грн
1000+62.41 грн
3000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.80 грн
100+90.31 грн
500+68.52 грн
1000+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONN
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.73 грн
500+84.51 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 266A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 266A
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.98 грн
10+151.41 грн
100+108.73 грн
500+84.51 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+95.27 грн
100+56.40 грн
500+44.94 грн
1000+42.32 грн
3000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+87.95 грн
100+66.19 грн
500+47.53 грн
1000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.76 грн
500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+106.38 грн
100+62.96 грн
500+50.12 грн
1000+46.05 грн
3000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.67 грн
6000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
10+124.84 грн
100+83.76 грн
500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622-L701onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 67322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+170.10 грн
500+153.56 грн
1000+141.75 грн
10000+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 15451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+132.15 грн
100+91.67 грн
500+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.79 грн
10+150.61 грн
100+111.95 грн
500+78.53 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 40W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.04 грн
10+150.84 грн
100+95.96 грн
500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+170.10 грн
500+153.56 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.73 грн
119+119.82 грн
120+118.62 грн
127+107.75 грн
250+97.93 грн
500+93.78 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.73 грн
10+119.82 грн
25+118.62 грн
100+107.75 грн
250+97.93 грн
500+93.78 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 60486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+100.03 грн
100+80.08 грн
500+73.87 грн
1000+71.80 грн
3000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.05 грн
100+53.12 грн
500+39.42 грн
1000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.61 грн
535+66.24 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]