Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC86139P
Код товару: 183309
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.16 грн
10+138.44 грн
25+108.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.66 грн
101+140.99 грн
129+110.38 грн
500+103.06 грн
1000+94.64 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemiMOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 33608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+158.81 грн
50+122.38 грн
100+103.84 грн
500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.65 грн
250+150.86 грн
500+137.55 грн
1000+131.57 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 44525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemiMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 27583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
10+153.37 грн
100+106.68 грн
500+81.40 грн
1000+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 65W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 204A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183ON Semiconductor / FairchildMOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.90 грн
100+66.53 грн
500+49.83 грн
1000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 266A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 266A
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184onsemi / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 31904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86184onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+132.01 грн
100+91.15 грн
500+69.16 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.35 грн
50+80.72 грн
100+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622-L701onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.42 грн
119+119.55 грн
120+118.35 грн
127+107.51 грн
250+97.71 грн
500+93.57 грн
1000+93.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.42 грн
10+119.55 грн
25+118.35 грн
100+107.51 грн
250+97.71 грн
500+93.57 грн
1000+93.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 60486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 67322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 40W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.56 грн
50+123.06 грн
100+104.45 грн
500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 19029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.71 грн
50+66.01 грн
100+55.39 грн
500+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.44 грн
535+66.10 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244On SemiconductorMOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
12+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.56 грн
6000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Транзистори Корпус: POWER-33 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.44 грн
535+66.10 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244-L701onsemiMOSFET FET 150V 134.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244-L701onsemiDescription: FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemiMOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V
на замовлення 13540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+101.29 грн
100+79.28 грн
500+63.30 грн
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
10+194.06 грн
50+150.47 грн
100+128.05 грн
500+101.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -13A
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 178mΩ
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PonsemiMOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.04 грн
6000+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-33-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.20 грн
75+191.06 грн
76+187.79 грн
100+143.75 грн
250+126.37 грн
500+110.23 грн
1000+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemi / FairchildMOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 69505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.20 грн
10+191.06 грн
25+187.79 грн
100+143.75 грн
250+126.37 грн
500+110.23 грн
1000+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+152.24 грн
100+105.96 грн
500+80.89 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemiMOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 59409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.