Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL540STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602IR04+
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602S
Код товару: 26008
3 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Id, A: 24 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1460/44
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 477 шт
  • 477 шт - склад
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBF
Код товару: 53985
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Id, A: 24 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1460/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBF-XTO252
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STR IRL5602SPBFInternational RectifierTO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ024IR
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ024International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ024SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ7404International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ7404SCSInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ7404SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ7404SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ7413International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 22A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5NJ7413SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 22A 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60B216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1550+166.32 грн
Мінімальне замовлення: 1550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60B216INFINEONDescription: INFINEON - IRL60B216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 195
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60B216Infineon TechnologiesMOSFET 60V, 195A, 1.9 mOhm 172 nC Qg, Logic Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60B216Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60B216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60B216InfineonMOSFET N-CH 60V 305A TO-220 Транзистори
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+399.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60DL238Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.14 грн
8000+21.62 грн
12000+20.79 грн
20000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.38 грн
331+42.79 грн
338+41.85 грн
500+39.21 грн
1000+35.36 грн
4000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.30 грн
19+40.14 грн
29+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118INFINEONDescription: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.18 грн
50+47.23 грн
250+39.42 грн
1000+31.25 грн
2000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 6272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 20918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.50 грн
100+38.70 грн
500+28.35 грн
1000+25.79 грн
2000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118INFINEONDescription: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.23 грн
250+39.42 грн
1000+31.25 грн
2000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60S216ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL60S216 - IRL60S216 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60S216Infineon / IRMOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60S216Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60S216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+154.20 грн
100+142.53 грн
250+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60S216Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60S216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.67 грн
10+160.39 грн
25+160.20 грн
50+154.20 грн
100+142.53 грн
250+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 324A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 324A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+206.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SL216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SL216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SL216INFINEONDescription: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 1950 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.71 грн
5+519.41 грн
10+452.75 грн
50+357.77 грн
100+287.75 грн
250+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SL216International RectifierDescription: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+335.32 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SL216Infineon / IRMOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL610AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL610AFAIRCHILD03+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL610Aonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620AONSEMIDescription: ONSEMI - IRL620A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 1002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620AON SemiconductorIRL620A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620AON SemiconductorIRL620A
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
50+89.05 грн
100+80.04 грн
500+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.04 грн
10+128.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
10+86.97 грн
100+64.13 грн
500+53.74 грн
1000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBFVISHAY
на замовлення 20350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
50+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620S
Код товару: 42010
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 5,2 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 55 шт
  • 39 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.39 грн
10+127.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]