Продукція > RD3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RD3A2BY100J-T1
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY102J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY103J
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY104J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY105J-T2
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY113J-T2
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY114J-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY132J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY150J
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY152J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY181J
на замовлення 50500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY202J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY204J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY220J
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY221J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY223J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY272J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY273J
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY301J
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY303J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY304J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY333J-T1
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY361J-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY363J
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY391J
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY393J
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY430J
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY433G
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY470J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY473J
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY512J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY513J-T2
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY560J-T2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY561J
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY561J-T2
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY564J
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY5R1J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY621J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY683J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY752J-T1TAIYO99+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY822J
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY823J
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY910J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY911J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY911J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY912J-T2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYD08CMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYD08CME
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYD08VSERENESAS05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYDT08CMH1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 30V 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E08BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 30V 80A
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.67 грн
10+77.01 грн
100+51.55 грн
500+38.14 грн
1000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.54 грн
252+56.18 грн
500+54.15 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
на замовлення 21872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.27 грн
250+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.09 грн
10+93.58 грн
100+63.26 грн
500+47.20 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.27 грн
10+110.23 грн
100+88.61 грн
500+68.32 грн
1000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 40V 40A
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 7763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.14 грн
10+145.30 грн
100+100.62 грн
500+76.49 грн
1000+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+134.61 грн
110+128.59 грн
250+123.43 грн
500+114.72 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 101W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.44 грн
97+146.34 грн
120+118.02 грн
500+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.37 грн
5000+64.62 грн
7500+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.44 грн
10+146.34 грн
100+118.02 грн
500+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.21 грн
78+182.52 грн
100+153.35 грн
500+133.36 грн
1000+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.11 грн
10+150.70 грн
100+114.90 грн
500+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.17 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]