Продукція > RD3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RD3A2BY114J-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY132J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY150J
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY152J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY181J
на замовлення 50500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY202J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY204J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY220J
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY221J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY223J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY272J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY273J
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY301J
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY303J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY304J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY333J-T1
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY361J-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY363J
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY391J
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY393J
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY430J
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY433G
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY470J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY473J
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY512J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY513J-T2
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY560J-T2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY561J
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY561J-T2
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY564J
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY5R1J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY621J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY683J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY752J-T1TAIYO99+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY822J
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY823J
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY910J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY911J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY911J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3A2BY912J-T2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYD08CMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYD08CME
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYD08VSERENESAS05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3CYDT08CMH1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E04BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E04BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0151 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 30V 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+152.21 грн
10+72.92 грн
100+57.21 грн
500+45.27 грн
1000+42.66 грн
2500+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E08BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 30V 80A
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+238.21 грн
10+153.78 грн
100+93.28 грн
500+75.67 грн
1000+74.36 грн
2500+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+59.19 грн
252+56.81 грн
500+54.76 грн
1000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
на замовлення 21872 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+103.50 грн
10+66.46 грн
100+40.31 грн
500+31.83 грн
1000+29.03 грн
2500+26.42 грн
5000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.98 грн
250+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.37 грн
10+74.37 грн
100+49.79 грн
500+36.83 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.88 грн
10+90.37 грн
100+61.09 грн
500+45.58 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.08 грн
10+82.52 грн
100+51.27 грн
500+42.21 грн
1000+38.68 грн
2500+34.83 грн
5000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.91 грн
10+106.45 грн
100+85.58 грн
500+65.98 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+162.10 грн
10+78.02 грн
100+59.49 грн
500+48.60 грн
1000+45.92 грн
2500+41.88 грн
5000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+131.66 грн
10+82.52 грн
100+48.27 грн
500+38.29 грн
1000+35.09 грн
2500+31.44 грн
5000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 40V 40A
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+123.29 грн
10+77.27 грн
100+44.94 грн
500+35.49 грн
1000+32.42 грн
2500+29.09 грн
5000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G04BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.83 грн
97+147.97 грн
120+119.34 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.92 грн
5000+62.41 грн
7500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.83 грн
10+147.97 грн
100+119.34 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 9527 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+216.90 грн
10+107.27 грн
100+82.19 грн
500+67.84 грн
1000+65.88 грн
2500+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 101W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 7763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.18 грн
10+140.32 грн
100+97.17 грн
500+73.87 грн
1000+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+136.11 грн
110+130.02 грн
250+124.81 грн
500+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 143-152 дні (днів)
2+253.43 грн
10+174.79 грн
100+106.33 грн
500+87.41 грн
1000+80.89 грн
2500+79.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+221.65 грн
78+184.55 грн
100+155.06 грн
500+134.85 грн
1000+111.27 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.66 грн
10+145.53 грн
100+110.96 грн
500+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+248.92 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBJHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive; AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+251.14 грн
10+125.28 грн
100+98.50 грн
500+80.89 грн
2500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.