Продукція > Si9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI9926ADY-T1
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926ADY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926AS
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926B
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926B-T1-E3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926BDY-T1SI0443+
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926BDY-T1-E3SiliconixTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3 SI9926BDY TSI9926bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.14W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926BDY-T1-E3
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.14W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-E3
Код товару: 163294
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.34 грн
100+51.33 грн
500+38.13 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.88 грн
50+96.43 грн
100+65.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.90 грн
5+99.00 грн
10+87.31 грн
50+61.19 грн
100+52.65 грн
500+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.42 грн
10000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.74 грн
500+51.79 грн
1000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.66 грн
500+39.77 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 19703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
10+80.96 грн
100+54.48 грн
500+40.47 грн
1000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.20 грн
50+87.59 грн
100+58.66 грн
500+39.77 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.04 грн
326+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 7938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.89 грн
5000+33.08 грн
7500+31.83 грн
12500+28.56 грн
17500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.79 грн
5+93.69 грн
10+81.67 грн
50+58.45 грн
100+51.16 грн
500+39.38 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.11 грн
5000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DYKEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI9926DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 1527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 900mW (Ta)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DY-T1SI
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DYBDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926DYT1E3VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926MSI02+ SOP-8
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928DYVishay / SiliconixMOSFET 20V 5/3.4A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928DY
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928DY-T1SILICOIX1999
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928DY-T1-E3
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928DYT1SILICON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9928DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933SISOP-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ASILICONIX09+ SO-8
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADYSI05+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADY-TVISHAYSOP8
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADY-T1VISHAY
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 41618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADY-TIVISHAY03+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADYT1VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933ADYT1E3VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933AL
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933B
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDSILICON06+
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDYFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDYVISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1-E
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-TI-E3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDYT1VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDYT1E3VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.56 грн
50+27.64 грн
100+24.91 грн
500+20.67 грн
1000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.63 грн
5000+16.50 грн
7500+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.40 грн
61+12.37 грн
67+11.32 грн
74+9.91 грн
100+8.23 грн
250+7.01 грн
500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3VISHAY08+ SOT-23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 27174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+44.62 грн
100+29.09 грн
500+21.04 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 88147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.29 грн
10+42.61 грн
100+27.80 грн
500+20.10 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.34 грн
5000+24.56 грн
10000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VishayTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.43 грн
50+48.86 грн
100+31.90 грн
500+22.83 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 48508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.80 грн
5000+15.76 грн
7500+15.06 грн
12500+13.40 грн
17500+12.96 грн
25000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.90 грн
500+22.83 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CY-T1
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933DYVISHAY09+
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933DY-D1-E3
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]