Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB4620PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.29 грн
10+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.14 грн
132+107.04 грн
133+106.27 грн
500+88.62 грн
1000+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4620PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710International RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710International RectifierN-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+127.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4710PBF - IRFB4710 - 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBF
Код товару: 35455
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6160/110
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
  • 46 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+79.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4710PBF?94-2355?IRTO-220AB
на замовлення 24472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DInternational RectifierN-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+127.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15D
Код товару: 40428
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.30 грн
10+166.14 грн
100+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+141.12 грн
1000+132.89 грн
10000+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.55 грн
95+148.67 грн
100+143.62 грн
250+134.29 грн
500+120.96 грн
1000+113.28 грн
2500+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInternational RectifierTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 8254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.52 грн
50+124.34 грн
100+112.44 грн
500+85.95 грн
1000+79.67 грн
2000+74.39 грн
5000+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.43 грн
80+176.94 грн
100+147.36 грн
500+116.28 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+141.12 грн
1000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+141.12 грн
1000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.83 грн
10+177.16 грн
100+147.55 грн
500+116.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.30 грн
85+166.14 грн
101+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+141.12 грн
1000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF
Код товару: 59925
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.96 грн
214+66.24 грн
500+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+162.32 грн
136+104.43 грн
188+75.39 грн
500+59.50 грн
1000+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.37 грн
5+90.37 грн
10+82.00 грн
25+71.13 грн
50+64.43 грн
100+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF
Код товару: 118300
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.39 грн
10+86.96 грн
100+66.24 грн
500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.21 грн
10+103.70 грн
100+74.87 грн
500+59.10 грн
1000+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.44 грн
78+181.26 грн
100+175.11 грн
250+163.73 грн
500+147.49 грн
1000+138.12 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.39 грн
10+80.36 грн
100+54.19 грн
500+40.34 грн
1000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
на замовлення 268000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+80.71 грн
500+72.64 грн
1000+66.98 грн
10000+57.60 грн
100000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620International RectifierN-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+290.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.31 грн
10+79.49 грн
20+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF
Код товару: 47564
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.26 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.16 грн
50+100.86 грн
100+90.88 грн
500+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.32 грн
10+115.27 грн
100+104.85 грн
500+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.54 грн
10+115.48 грн
100+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
1000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.32 грн
123+115.27 грн
135+104.85 грн
500+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DInfineonN-MOSFET HEXFET 59A 100V 3.8W 0.025Ω IRFB59N10D TIRFB59n10d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10D
Код товару: 37576
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBF
Код товару: 84303
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 59
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2450 @ 25, Qg, нКл = 114 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 35,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB59N10DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBF
Код товару: 116418
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430International Rectifier409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+111.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 300 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.23 грн
10+178.52 грн
50+176.69 грн
100+157.48 грн
500+116.68 грн
1000+108.80 грн
2000+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInternational RectifierMOSFET N CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.56 грн
50+127.95 грн
100+115.77 грн
500+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+324.23 грн
80+176.69 грн
100+157.48 грн
500+116.68 грн
1000+108.80 грн
2000+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]