Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFBF20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20LPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+77.25 грн
100+76.61 грн
500+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.18 грн
10+146.73 грн
50+112.69 грн
100+95.46 грн
500+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF
Код товару: 184540
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
200+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.39 грн
184+76.99 грн
186+76.22 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.18 грн
50+113.82 грн
100+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.13 грн
118+119.86 грн
150+115.91 грн
250+109.23 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.41 грн
50+77.00 грн
100+76.24 грн
500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF
Код товару: 51921
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.89 грн
10+81.27 грн
25+77.88 грн
50+75.34 грн
100+71.95 грн
250+69.41 грн
500+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.18 грн
50+113.82 грн
100+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFTO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30
Код товару: 18169
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SiliconixN-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30LVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30L(94-4939)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.54 грн
50+163.13 грн
100+148.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.98 грн
50+115.81 грн
100+115.53 грн
500+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.61 грн
108+131.71 грн
112+126.44 грн
250+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Gate charge: 78nC
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.62 грн
10+110.05 грн
25+90.58 грн
50+88.04 грн
100+84.65 грн
250+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF
Код товару: 85247
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+29.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.21 грн
122+115.76 грн
500+110.51 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30S
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishay SiliconixN-Channel MOSFET, Vds=900V, Id=3.6A, –55...+150, D2PAK (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.14 грн
10+197.47 грн
100+139.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20
Код товару: 18614
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 1000 В
Струм стоку Idd, А: 1,4 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 500/38
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 6 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20VishayN-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.22 грн
50+147.72 грн
100+116.98 грн
500+110.02 грн
1000+100.85 грн
2000+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFТранзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.31 грн
96+147.82 грн
121+117.06 грн
500+110.09 грн
1000+100.92 грн
2000+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.00 грн
109+129.68 грн
138+102.70 грн
500+96.58 грн
1000+88.54 грн
2000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.00 грн
50+129.68 грн
100+102.70 грн
500+96.58 грн
1000+88.54 грн
2000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFIRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.12 грн
131+108.02 грн
132+106.94 грн
143+95.32 грн
500+76.94 грн
1000+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.57 грн
10+98.20 грн
25+93.12 грн
50+88.04 грн
100+79.57 грн
250+69.41 грн
500+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.64 грн
91+155.42 грн
101+140.93 грн
250+118.12 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]