Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFBF30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30
Код товару: 18169
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SiliconixN-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30LVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30L(94-4939)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.21 грн
122+115.76 грн
500+110.51 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.98 грн
50+115.81 грн
100+115.53 грн
500+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 3.7Ω
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 900V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
10+108.78 грн
25+89.54 грн
50+87.03 грн
100+83.68 грн
250+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF
Код товару: 85247
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+29.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.61 грн
108+131.71 грн
112+126.44 грн
250+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.78 грн
50+161.25 грн
100+146.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30S
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30SPBFVishay SiliconixN-Channel MOSFET, Vds=900V, Id=3.6A, –55...+150, D2PAK (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.57 грн
10+195.20 грн
100+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20
Код товару: 18614
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 1000 В
Струм стоку Idd, А: 1,4 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 500/38
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 6 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20VishayN-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 10007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFТранзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.17 грн
10+109.08 грн
25+107.98 грн
50+103.08 грн
100+88.23 грн
500+73.83 грн
1000+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFIRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
50+124.47 грн
100+112.63 грн
500+86.22 грн
1000+79.96 грн
2000+74.70 грн
5000+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.97 грн
10+97.07 грн
25+92.05 грн
50+87.03 грн
100+78.66 грн
250+68.62 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.12 грн
131+108.02 грн
132+106.94 грн
143+95.32 грн
500+76.94 грн
1000+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 1KV 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
50+124.47 грн
100+112.63 грн
500+86.22 грн
1000+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
On-state resistance: 11Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30VishayTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30
Код товару: 18004
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 1000 В
Струм стоку Idd, А: 3,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 (Транзистор)
Код товару: 51783
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.03 грн
10+112.13 грн
50+95.39 грн
100+87.86 грн
250+79.49 грн
500+75.31 грн
750+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF
Код товару: 29889
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 1000 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
у наявності: 17 шт
  • 11 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+64.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFIRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishay SiliconixIRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.56 грн
50+128.37 грн
100+116.16 грн
500+88.92 грн
1000+82.46 грн
2000+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.52 грн
82+172.54 грн
100+158.05 грн
250+138.44 грн
500+121.13 грн
750+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.1A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBL3315Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Super D2-Pak
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: Super D2-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBL3703Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBL3703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Super D2-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Super D2-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC024BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC024NInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC024NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 17A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC024NBInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC024NFInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC048NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC048NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC110VishayHexfet Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC11N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC120NBInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC120NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 9.4A DIE
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC130BVishayHigh Voltage MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC130NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 17A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC140BVishayHEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC140NInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC140NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 33A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC20N50ABVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC22N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC230NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V 9.3A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC240NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]