Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFD024VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFMOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.59 грн
10+113.10 грн
100+98.11 грн
250+90.08 грн
500+74.42 грн
1000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF
Код товару: 31843
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVM DIP-4
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 2,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 640/25
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
  • 95 шт - склад
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+42.00 грн
10+39.00 грн
100+37.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110Harris CorporationDescription: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110HARRISIRFD110
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.22 грн
500+71.30 грн
1000+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110IRFD110 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110HARRISIRFD110
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.22 грн
500+71.30 грн
1000+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: 0
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: 0
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBF
Код товару: 98653
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
  • 99 шт - склад
на замовлення: 27 шт
  • 27 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD111Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD112HARRISIRFD112
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD112Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113HARRISIRFD113
на замовлення 24593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.77 грн
500+85.28 грн
1000+78.65 грн
10000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 46955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113HARRISIRFD113
на замовлення 24390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.77 грн
500+85.28 грн
1000+78.65 грн
10000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113HARRISIRFD113
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.77 грн
500+85.28 грн
1000+78.65 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFD113PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113(94-2095)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113(94-4111)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 6.4A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.16 грн
10+131.57 грн
100+90.70 грн
500+68.75 грн
1000+63.49 грн
2000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.23 грн
10+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.67 грн
164+86.37 грн
200+78.65 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
Код товару: 28377
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HEXDIP (DIP4-300)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Код товару: 156294
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
  • 50 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+32.00 грн
10+29.00 грн
100+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Код товару: 148947
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.50 грн
10+22.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF/IRIR08+;
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120S2497Harris CorporationDescription: 1.3A, 100V, 0.300 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD121Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD121HARRISIRFD121
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+55.93 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD122Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 19804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
10000+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 39639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123VishayTrans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin HVMDIP IRFD123 IRFD123 TIRFD123
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF
Код товару: 26821
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
на замовлення: 21 шт
  • 21 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z0
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3HARRISIRFD1Z3
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.45 грн
549+64.30 грн
1000+59.31 грн
10000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 12328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3HARRIS1997
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Harris CorporationDescription: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+997.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210IRFD210 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210HARRISIRFD210
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+125.83 грн
500+113.27 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF
Код товару: 118708
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213HARRISIRFD213
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213HARRISIRFD213
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
1000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214IR09+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.45A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220Harris CorporationDescription: 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220VishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220(94-2188)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.81 грн
10+90.90 грн
100+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]