Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC86244ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
11+80.38 грн
100+53.72 грн
500+36.27 грн
1000+30.65 грн
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244On SemiconductorMOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.61 грн
535+66.24 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.05 грн
100+53.12 грн
500+39.42 грн
1000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Транзистори Корпус: POWER-33 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.61 грн
535+66.24 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+66.61 грн
100+45.29 грн
500+36.24 грн
1000+33.34 грн
3000+28.86 грн
6000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244-L701onsemiDescription: FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244-L701onsemiMOSFET FET 150V 134.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemiMOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+131.79 грн
100+78.70 грн
500+63.51 грн
1000+56.26 грн
3000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248ON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
на замовлення 13540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+100.36 грн
100+78.55 грн
500+62.72 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.92 грн
10+104.00 грн
100+71.80 грн
500+59.99 грн
1000+59.23 грн
3000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86248onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PonsemiMOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.83 грн
10+196.09 грн
100+124.26 грн
500+104.24 грн
1000+99.41 грн
3000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
на замовлення 17556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.25 грн
10+180.09 грн
100+126.61 грн
500+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -13A
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 178mΩ
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+292.36 грн
50+190.88 грн
100+149.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+156.40 грн
100+106.31 грн
500+95.27 грн
1000+93.89 грн
3000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86259PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemi / FairchildMOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 69505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+86.53 грн
100+73.18 грн
500+72.49 грн
1000+71.80 грн
3000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.71 грн
10+191.49 грн
25+188.21 грн
100+144.07 грн
250+126.65 грн
500+110.48 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.90 грн
500+84.51 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemiMOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 59409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.85 грн
10+146.08 грн
100+86.98 грн
500+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+150.85 грн
100+104.99 грн
500+80.15 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
10+140.14 грн
100+103.90 грн
500+84.51 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-33-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.71 грн
75+191.49 грн
76+188.21 грн
100+144.07 грн
250+126.65 грн
500+110.48 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+85.74 грн
100+68.90 грн
1000+65.93 грн
3000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; Idm: 116A; 65W; Power33
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 116A
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.96 грн
145+98.00 грн
148+92.94 грн
250+84.61 грн
500+79.83 грн
1000+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemiMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
10+151.63 грн
100+91.12 грн
500+74.56 грн
1000+72.49 грн
3000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.34 грн
10+138.28 грн
100+95.65 грн
500+72.69 грн
1000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.96 грн
10+98.32 грн
25+98.00 грн
100+92.94 грн
250+84.61 грн
500+79.83 грн
1000+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.83 грн
10+101.48 грн
100+74.10 грн
500+57.96 грн
1000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.60 грн
163+87.23 грн
166+85.87 грн
168+81.48 грн
250+74.23 грн
500+70.09 грн
1000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+117.94 грн
100+80.96 грн
500+61.13 грн
1000+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261Ponsemi / FairchildMOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 12883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+83.36 грн
100+59.09 грн
500+50.88 грн
1000+49.84 грн
3000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.44 грн
126+112.67 грн
152+93.59 грн
500+78.63 грн
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.10 грн
500+57.96 грн
1000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PonsemiMOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+116.70 грн
100+71.80 грн
500+59.99 грн
1000+55.78 грн
3000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; Idm: -20A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -9A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 269mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.60 грн
10+87.23 грн
25+85.87 грн
100+81.48 грн
250+74.23 грн
500+70.09 грн
1000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+77.68 грн
507+69.91 грн
1000+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PonsemiMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+88.12 грн
100+51.36 грн
500+40.73 грн
1000+37.28 грн
3000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
10+107.12 грн
100+70.96 грн
500+52.28 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.98 грн
15+53.35 грн
25+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.34 грн
100+55.42 грн
500+41.20 грн
1000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2A; Idm: -35A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 307mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 23150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+49.54 грн
100+33.21 грн
500+32.65 грн
1000+32.45 грн
3000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.44 грн
6000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
500+52.28 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265Ponsemi / FairchildMOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.92 грн
10+121.47 грн
100+82.15 грн
500+68.00 грн
1000+54.33 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265POn SemiconductorMOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+110.35 грн
100+76.63 грн
250+70.41 грн
500+63.58 грн
1000+54.54 грн
3000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+103.95 грн
100+82.74 грн
500+65.71 грн
1000+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+127.02 грн
100+75.94 грн
500+61.16 грн
1000+57.23 грн
3000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.00 грн
500+90.90 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 23975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.25 грн
6000+58.68 грн
9000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+58.75 грн
100+42.04 грн
500+40.11 грн
1000+38.45 грн
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.31 грн
11+71.99 грн
100+64.66 грн
500+61.38 грн
1000+56.57 грн
3000+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.00 грн
500+90.90 грн
1000+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+82.56 грн
100+52.67 грн
500+45.56 грн
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.00 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+97.97 грн
100+66.49 грн
500+49.78 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 23975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.56 грн
500+56.02 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]