Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.73 грн
10+98.10 грн
25+97.78 грн
100+92.73 грн
250+84.42 грн
500+79.66 грн
1000+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+139.56 грн
100+96.54 грн
500+73.36 грн
1000+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.73 грн
145+97.78 грн
148+92.73 грн
250+84.42 грн
500+79.66 грн
1000+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemiMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.41 грн
10+87.04 грн
25+85.68 грн
100+81.30 грн
250+74.07 грн
500+69.93 грн
1000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PonsemiMOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; Idm: -20A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -9A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 269mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.41 грн
163+87.04 грн
166+85.68 грн
168+81.30 грн
250+74.07 грн
500+69.93 грн
1000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.13 грн
126+112.42 грн
152+93.38 грн
500+78.46 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261Ponsemi / FairchildMOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 12883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+119.03 грн
100+81.71 грн
500+61.69 грн
1000+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+77.51 грн
507+69.76 грн
1000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PonsemiMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.76 грн
6000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.85 грн
15+53.24 грн
25+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2A; Idm: -35A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 307mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 23150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.08 грн
50+66.45 грн
100+55.81 грн
500+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265Ponsemi / FairchildMOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86265POn SemiconductorMOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+104.92 грн
100+83.51 грн
500+66.31 грн
1000+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 23975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.78 грн
500+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 23975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.11 грн
6000+58.55 грн
9000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+98.88 грн
100+67.11 грн
500+50.24 грн
1000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.13 грн
11+71.83 грн
100+64.51 грн
500+61.25 грн
1000+56.45 грн
3000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.78 грн
500+90.70 грн
1000+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+124.69 грн
100+85.75 грн
500+64.83 грн
1000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemi / FairchildMOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 48A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemiMOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+179.15 грн
1000+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemiMOSFETs 80V N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemi / FairchildMOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
на замовлення 12030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
10+211.57 грн
100+149.84 грн
500+121.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.83 грн
10+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+151.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Power Trench
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.22 грн
6000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651onsemiMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.39 грн
100+62.51 грн
500+46.67 грн
1000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemiMOSFETs 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 9513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+178.96 грн
100+125.63 грн
500+96.52 грн
1000+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0063 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.