Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP110N20N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAInfineonMOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+743.33 грн
22+672.04 грн
25+609.41 грн
50+548.73 грн
100+472.30 грн
250+379.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+562.28 грн
100+533.92 грн
500+505.58 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+562.28 грн
100+533.92 грн
500+505.58 грн
1000+461.32 грн
10000+401.84 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.19 грн
85+168.15 грн
100+159.68 грн
500+140.76 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.94 грн
50+166.06 грн
100+157.68 грн
500+139.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.17 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+176.01 грн
1000+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+191.93 грн
1000+153.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+176.01 грн
1000+166.56 грн
10000+151.50 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+191.51 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.76 грн
50+140.58 грн
100+135.10 грн
500+114.42 грн
1000+108.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+191.93 грн
1000+153.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.75 грн
50+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP114N03LGHKSA1 - IPP114N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP114N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 11.4mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.50 грн
10+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+123.65 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
10+133.94 грн
50+102.68 грн
100+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP11N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S3-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S3-02Infineon TechnologiesDescription: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
на замовлення 30607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+235.23 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 23708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+326.02 грн
500+309.49 грн
1000+291.77 грн
10000+265.40 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 6149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+326.02 грн
500+309.49 грн
1000+291.77 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N04S302AKSA1 - IPP120N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 120A; 300W
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 22050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+326.02 грн
500+309.49 грн
1000+291.77 грн
10000+265.40 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S4-01Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S401AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S401AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S402AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S402AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+158.02 грн
50+121.63 грн
100+103.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06N
Код товару: 166668
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 75A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06NGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4-H1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
10000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 12852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
10000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+114.02 грн
500+102.63 грн
1000+94.64 грн
10000+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+156.91 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 26480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.62 грн
500+200.81 грн
1000+190.18 грн
10000+172.00 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.62 грн
500+200.81 грн
1000+190.18 грн
10000+172.00 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S4-03INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Transistors - Unclassified
Description: IPP120N08S4-03
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+462.66 грн
30+388.89 грн
50+380.58 грн
60+378.92 грн
100+337.37 грн
200+334.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S4-03Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+529.99 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+575.28 грн
44+324.37 грн
100+293.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.28 грн
10+324.37 грн
100+293.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78871.97 грн
250+77589.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+599.19 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.64 грн
10+328.29 грн
100+295.67 грн
500+246.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+611.86 грн
44+327.34 грн
100+294.81 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.26 грн
10+326.22 грн
50+258.45 грн
100+222.08 грн
500+186.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
1000+284.68 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+162.23 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.53 грн
500+207.90 грн
1000+196.09 грн
10000+177.69 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N08S404AKSA1 - XPP120N08 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 80V 1
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.