Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP114N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP114N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 11.4mΩ
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.28 грн
10+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
50+95.00 грн
100+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+123.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP11N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S3-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S3-02Infineon TechnologiesDescription: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 30607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+237.40 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N04S302AKSA1 - IPP120N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S4-01Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S401AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
50+105.93 грн
100+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S402AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06N
Код товару: 166668
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 75A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06NGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4-H1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S402AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S403AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+161.75 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.96 грн
50+219.94 грн
100+201.39 грн
500+161.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S403AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N08S404AKSA1 - XPP120N08 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 80V 1
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+167.63 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N08S404AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+225.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S4-05Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S403AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.23 грн
500+271.08 грн
1000+255.76 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.23 грн
500+271.08 грн
1000+255.76 грн
10000+231.85 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S403AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.23 грн
500+271.08 грн
1000+255.76 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S403AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S403AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N10S403AKSA1 - IPP120N10 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 21835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 30334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N10S405AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.25 грн
34+422.29 грн
36+401.57 грн
100+346.94 грн
250+309.63 грн
500+274.34 грн
1000+248.99 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.74 грн
50+136.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.83 грн
10+456.43 грн
25+434.04 грн
100+374.99 грн
250+334.66 грн
500+296.51 грн
1000+269.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.06 грн
83+172.24 грн
100+166.39 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+452.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+749.61 грн
22+667.10 грн
50+582.24 грн
100+517.12 грн
200+474.61 грн
500+404.10 грн
1000+341.46 грн
2000+334.39 грн
4000+312.17 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfda
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+256.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L-03Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -120A TO22 0-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS P2
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.47 грн
70+203.67 грн
100+185.75 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2
Код товару: 203742
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 8313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.79 грн
40+360.57 грн
69+207.52 грн
100+182.67 грн
500+161.57 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+209.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 8313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.45 грн
10+360.27 грн
25+207.35 грн
100+182.52 грн
500+161.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120P04P4L03AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 219 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.71 грн
50+72.40 грн
100+60.87 грн
500+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.76 грн
125+113.38 грн
154+92.29 грн
200+83.19 грн
500+76.82 грн
1000+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.87 грн
228+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]