Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP120N04S3-02 | Infineon Technologies | Description: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 30607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N04S302AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N04S302AKSA1 - IPP120N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 30607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N04S302AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N04S4-01 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N04S401AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06N Код товару: 166668
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPP120N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 75A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06NGAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 94µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S4-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S4-H1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S402AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S402AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N06S402AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N06S402AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N06S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S403AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S4H1AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S4H1AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S4H1AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N06S4H1AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N08S403AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N08S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N08S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 75/80V | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 75/80V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N08S404AKSA1 - XPP120N08 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 80V 1 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N10S4-05 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N10S403AKSA1 - IPP120N10 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 6396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3 | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ FD | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfda кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3 | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L-03 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -120A TO22 0-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS P2 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 Код товару: 203742
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP126N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 219 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 525000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP129N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP12CN10L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LG | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LG | Infineon technologies | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

