Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6030KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+317.28 грн
47+303.65 грн
50+292.08 грн
100+272.09 грн
250+244.30 грн
500+228.14 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60327RICOHSOP-8
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.03 грн
25+604.88 грн
50+581.84 грн
100+542.02 грн
250+486.64 грн
500+454.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.31 грн
10+342.17 грн
100+254.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.16 грн
5+298.00 грн
10+273.03 грн
50+252.03 грн
100+230.57 грн
250+229.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.03 грн
25+604.88 грн
50+581.84 грн
100+542.02 грн
250+486.64 грн
500+454.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.05 грн
30+320.49 грн
120+270.34 грн
510+225.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.09 грн
30+169.39 грн
120+139.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+596.91 грн
25+571.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+306.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.14 грн
26+549.48 грн
50+528.54 грн
100+492.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.48 грн
10+633.97 грн
100+524.86 грн
500+428.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+306.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.41 грн
30+264.12 грн
120+131.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.21 грн
10+453.31 грн
100+325.84 грн
500+283.73 грн
1000+247.14 грн
2000+237.48 грн
5000+227.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.55 грн
10+276.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.46 грн
10+170.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
50+120.27 грн
100+108.90 грн
500+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.33 грн
10+385.83 грн
25+316.18 грн
100+271.30 грн
250+256.12 грн
500+241.62 грн
1000+206.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 38A TO-220AB, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.59 грн
10+328.99 грн
100+239.55 грн
500+189.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6038YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.10 грн
10+332.63 грн
100+242.42 грн
500+198.19 грн
1000+179.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.99 грн
10+248.06 грн
100+179.60 грн
500+154.81 грн
1000+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.84 грн
10+326.29 грн
25+267.85 грн
100+229.19 грн
250+216.08 грн
500+203.65 грн
1000+174.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.37 грн
10+285.46 грн
100+230.69 грн
500+189.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.92 грн
10+386.63 грн
100+280.28 грн
600+249.90 грн
1200+233.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 600V 38A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.08 грн
10+377.30 грн
120+305.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6038YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.63 грн
5+386.59 грн
10+319.74 грн
50+272.22 грн
100+228.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N32205000JKEMETFilm Capacitors 0.22 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3220CK00KKEMETFilm Capacitors 0.22 U 300VV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3330CK00JKEMETFilm Capacitors 0.33 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3470AA00JKEMETFilm Capacitors 0.47 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3470AA00KKEMETFilm Capacitors 0.47uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3470DQ00KKEMETFilm Capacitors 0.47 U 300VV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N35605000JKEMETFilm Capacitors 0.56 uF 105C 0.56 uF 105C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3024 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3680AA00KKEMETDescription: 0.68F 300V
Packaging: Tray
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - DC: 560V
Capacitance: 0.68 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3680AA00KKEMETFilm Capacitors 0.68uF 300V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3470JB00KKEMETFilm Capacitors 0.47uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3560JB00KKEMETFilm Capacitors 0.56uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3680JB00KKEMETDescription: 0.68F 300V
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3680JB00KKEMETFilm Capacitors 0.68uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603R4100AA00KKEMETFilm Capacitors 1uF/10VAC/2V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2880 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603R41505000MKEMETFilm Capacitors 300vac 1.5uF 20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603W4470AA00KKEMETFilm Capacitors 440.UF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60400-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60400-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60400-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BLOCK W/METRIC STUDS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60400-1STRMEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60400-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60405-R6161-X037VacuumschmelzeCommon Mode Chokes / Filters CM Choke 1-Phase 2.5A Vertical 12mH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60405-S6123-X216VacuumschmelzeCommon Mode Chokes / Filters CM Choke 3-Phase 16A Horizontal 4.4mH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60423-53RCPLCC68
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6042353N/A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6042JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6042JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 495W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.98 грн
5+786.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 495W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.54 грн
30+584.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1064.09 грн
25+1054.83 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6042JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.13 грн
10+557.31 грн
600+483.93 грн
1200+452.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R60445-53RCPLCC68
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6044553N/A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6046ANZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046ANZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.05 грн
10+996.54 грн
100+861.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6046ANZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046ANZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+618.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6046ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET SILICON N-Ch MOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.65 грн
10+695.74 грн
100+579.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZC8ROHM SemiconductorMOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZC8ROHMDescription: ROHM - R6046FNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.075 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 130
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6047ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]