Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHFIB16N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB9N60A-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB9N65A-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB9N6A-E3
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFL014-E3Vishay SiliconixSiHFL014-E3 IRFL014PBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014NT-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014T-E3Vishay SiliconixSiHFL014T-E3 IRFL014TRPBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL024T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL024ZT-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.48 грн
13+22.98 грн
100+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.41 грн
10+30.09 грн
100+21.27 грн
500+16.41 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.81 грн
10+36.54 грн
100+23.80 грн
500+17.16 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL214
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL214T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL4105T-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL4310T-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL5505T-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014Vishay SiliconixSiHFL9014 IRFL9014 MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFL9014-E3Vishay SiliconixSiHFL9014-E3 IRFL9014PBF MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014T-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.05 грн
10+46.70 грн
100+30.68 грн
500+22.34 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixSIHFL9014TR-GE3 -60 В -1.8 А (SOT-223) MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 38782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9110TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 16504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.28 грн
10+41.73 грн
100+27.16 грн
500+19.61 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 79449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.33 грн
5000+15.34 грн
7500+14.65 грн
12500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9110TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP240Vishay SiliconixSiHFP240 IRFP244PBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 15A; 150W; TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP240Vishay SiliconixSiHFP240 IRFP240 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP240-E3Vishay SiliconixSiHFP240-E3 IRFP240PBF MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP31N50L-E3Vishay SiliconixSiHFP31N50L-E3 IRFP31N50LPBF Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A),TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP360Vishay SiliconixSiHFP360 IRFP360 TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP360LC-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP360LC-E3Vishay SiliconixSiHFP360LC-E3 IRFP360LCPBF TO-247AC Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+242.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP450Vishay SiliconixSiHFP450 IRFP450 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450-E3Vishay SiliconixSiHFP450-E3 IRFP450PBF N-MOSFET HEXFET 500V 190W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450A-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450A-E3Vishay SiliconixSiHFP450A-E3 IRFP450APBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450LC-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPC60-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPC60LC-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 446W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+491.36 грн
5+371.43 грн
10+329.43 грн
30+313.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 500V 36A N-CH MOSFET
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 600V 38A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS38N60L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.12 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.14 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.1 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 500V 46A N-CH MOSFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 600V 470 N-CH
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.39 грн
30+336.93 грн
120+283.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFPS43N50KVishay SiliconixSiHFPS43N50K IRFPS43N50KPBF TO-247AA(Super) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3VishayMOSFETs SPR247 500V 47A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V SUPER-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR010-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR014-E3Vishay SiliconixSiHFR014-E3 IRFR014PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014NT-
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014NT-E3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]