Продукція > SIR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.85 грн
6000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.53 грн
116+122.72 грн
117+121.49 грн
136+100.50 грн
250+92.13 грн
500+86.04 грн
1000+83.64 грн
3000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 14738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3
Код товару: 197577
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.53 грн
108+131.99 грн
109+130.68 грн
110+124.75 грн
138+91.54 грн
250+83.22 грн
500+72.45 грн
1000+67.68 грн
3000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+129.22 грн
100+89.12 грн
500+67.56 грн
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.53 грн
10+131.99 грн
25+130.68 грн
50+124.75 грн
100+91.54 грн
250+83.22 грн
500+72.45 грн
1000+67.68 грн
3000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 22651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 186A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.60 грн
10+95.61 грн
100+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 186A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR632DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.09 грн
201+70.39 грн
203+69.68 грн
227+60.24 грн
292+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.29 грн
100+57.49 грн
500+42.78 грн
1000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR632DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.32 грн
6000+34.46 грн
9000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR632DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.01 грн
11+71.09 грн
25+70.39 грн
50+67.19 грн
100+55.77 грн
250+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR632DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3VishayN-Channel 40 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 22634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.11 грн
50+103.48 грн
100+87.55 грн
500+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.76 грн
9000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 транзистор
Код товару: 197167
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.73 грн
136+104.06 грн
137+103.98 грн
138+98.85 грн
165+76.74 грн
250+72.16 грн
500+63.06 грн
1000+61.39 грн
3000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.12 грн
100+75.08 грн
500+56.40 грн
1000+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.73 грн
10+104.06 грн
25+103.98 грн
50+98.85 грн
100+76.74 грн
250+72.16 грн
500+63.06 грн
1000+61.39 грн
3000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.06 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.18 грн
10+129.51 грн
100+107.34 грн
250+102.47 грн
500+83.15 грн
1000+69.20 грн
3000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 13251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.71 грн
100+76.63 грн
500+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.66 грн
6000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.18 грн
110+129.51 грн
132+107.34 грн
250+102.47 грн
500+83.15 грн
1000+69.20 грн
3000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 2.7mOhm@60A 60A N-CH
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR662DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V
на замовлення 16933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+113.37 грн
100+77.95 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
на замовлення 11682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.04 грн
9000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 51101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.63 грн
50+59.70 грн
100+49.99 грн
500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 164526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+141.22 грн
100+97.65 грн
500+74.16 грн
1000+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixSIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+145.07 грн
100+100.51 грн
500+76.42 грн
1000+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L50EVERLIGH2010+ 1210
на замовлення 71100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L9
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L9/TR10EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 120°; 875nm; SMD; 20mA; 0.5mW/sr; 1.3V
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Viewing angle: 120°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: SMD
LED current: 20mA
radiant intensity: 0.5mW/sr
Case - mm: 3528
Case - inch: 1411
Operating voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8Everlight Electronics CO., LTDInfrared Emitter 875nm 4.5mW/sr Circular Top Mount 2-Pin SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.