Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISNAP915EKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA
Utilized IC / Part: Si1000
Contents: Board(s), Accessories
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s), Accessories
Type: Transceiver, Microcontroller
Frequency: 915MHz
For Use With/Related Products: Si1000
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISP1761BENXP
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-BR-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-OZLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: Rack Mount
Voltage - Input: 100 ~ 250VAC, 52 ~ 57VDC
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 22
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP, SFP+
Copper Ports: 16
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 6
SFP/XFP Type: SFP, SFP+
PoE Ports: 16
SFP/XFP Ports: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-NA-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-NALantronixSISPM1040-3248-L-NA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-SA-L1Y1LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans ONE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-362-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 10/100/1000Base-T w/100/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-384-LRT-CLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 44V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-384-LRT-CLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial LAN SWITCH Managed Hardened PoE+ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000B
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-582-LRTLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 52V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112645.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE++ (2) 100/1000Base-X SFP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1242-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch, 10G uplink (4) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100M/1G/2.5G PoE++ Ports, (2) 1G/10GSFP+ Slots
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISR30ST
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+84.46 грн
100+57.12 грн
500+42.63 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+95.86 грн
100+64.88 грн
500+48.45 грн
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.46 грн
15+53.62 грн
25+52.78 грн
100+50.08 грн
250+45.62 грн
500+43.08 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.43 грн
10+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
на замовлення 26898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.75 грн
50+89.41 грн
250+59.83 грн
1000+40.15 грн
3000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.50 грн
100+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.41 грн
250+59.83 грн
1000+40.15 грн
3000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 13105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+76.99 грн
100+51.50 грн
500+38.08 грн
1000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 7332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.83 грн
6000+30.36 грн
9000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+72.38 грн
100+56.42 грн
500+43.74 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-BE3VishayVishay 40V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-BE3VishayMOSFETs PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 29935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.48 грн
50+79.01 грн
100+55.19 грн
500+40.15 грн
1500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.78 грн
100+39.75 грн
500+29.24 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.19 грн
500+40.15 грн
1500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
на замовлення 10032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.38 грн
100+51.19 грн
500+37.92 грн
1000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.77 грн
6000+30.31 грн
9000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 10054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 6901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 6534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.14 грн
100+68.80 грн
500+51.57 грн
1000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]