Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.15 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113HARRISIRFD9113
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Vishay / SiliconixMOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113HARRISIRFD9113
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Harris CorporationDescription: -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113(MOSFET,P-CH,80V,0.6A,DIP-4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120HARRISIRFD9120
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.65 грн
1000+105.74 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 11222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF
Код товару: 31845
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 390/18
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay SiliconixP-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
1000+88.98 грн
10000+76.50 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
1000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
1000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 15501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123PBFVishayMOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210
Код товару: 155079
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 0,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/8,9
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210VishayP-MOSFET 0.4A 200V 1W 3Ω IRFD9210 TIRFD9210
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.67 грн
10+100.84 грн
100+68.87 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.51 грн
7+67.28 грн
10+58.32 грн
25+44.94 грн
100+30.12 грн
200+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Schwellenspannung Vgs: 4
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.87 грн
261+54.27 грн
300+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .4A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220VishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP IRFD9220 IRFD9220 TIRFD9220
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220IRFD9220 Транзисторы HEXFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishay SiliconixP-Channel 200 V 0.56 A DIP-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix)
Код товару: 31846
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 0,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 340/15
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - склад
1+33.00 грн
10+29.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF.. - P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC03IORTO220/
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20
Код товару: 130199
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20IRFDC20 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFDC20PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 600V .32A N-CH MOSFET
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 320
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.77 грн
10+126.22 грн
100+87.17 грн
500+66.17 грн
1000+61.14 грн
2000+56.92 грн
5000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBFVishayIRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBF600V, 4.4Ohm, 0.32A, Pbf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFDC20PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE024TT ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE024Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 6.7A 18-Pin LCC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6963.24 грн
10+6490.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE024Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE110Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE110Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-Pin LLCC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE110-JQR-BSemelab (TT electronics)MOSFET - POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE130Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE130TT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE430Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 18-Pin LLCC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE430Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE9110Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE9130Semelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 6.1A 16-Pin LCC-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFE9130Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF110Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF110Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF110IOR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF110PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF110RIOR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF111Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+202.64 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF111Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF111HARRIS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF111RHARRIS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF112Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF112IOR
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF112RHARRIS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF113HARRIS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF113RHARRIS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF120INTERSIL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF120Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF120RHARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF121Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF121INTERSIL
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF1210International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF121RHARRIS
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF122Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF122IOR
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF122RHARRIS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF123IOR
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF123RHARRIS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF130Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF130Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]