Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFD420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010IR09+
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF. - P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9012
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014 (транзистор польовий)
Код товару: 43571
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+185, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.85 грн
13+59.24 грн
100+52.92 грн
500+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF
Код товару: 43657
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,50 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.50 грн
100+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020IR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD9020PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024
Код товару: 31844
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 80 В
Струм стоку Id, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFMOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF
Код товару: 48522
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Harris CorporationDescription: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110SiliconixP-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110HARRISIRFD9110
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF(MOSFET,P-CH,100V,0.7A,DIP-4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.15 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF
Код товару: 59118
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 0,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.63 грн
156+90.49 грн
200+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113HARRISIRFD9113
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Harris CorporationDescription: -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Vishay / SiliconixMOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113HARRISIRFD9113
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113(MOSFET,P-CH,80V,0.6A,DIP-4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120HARRISIRFD9120
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.65 грн
1000+105.74 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay SiliconixP-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF
Код товару: 31845
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 390/18
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 15501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
1000+88.98 грн
10000+76.50 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
1000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.48 грн
1000+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123PBFVishayMOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210VishayP-MOSFET 0.4A 200V 1W 3Ω IRFD9210 TIRFD9210
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210
Код товару: 155079
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 0,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/8,9
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Schwellenspannung Vgs: 4
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.56 грн
10+102.01 грн
100+69.67 грн
500+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .4A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.87 грн
261+54.27 грн
300+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.52 грн
7+68.06 грн
10+59.00 грн
25+45.46 грн
100+30.47 грн
200+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220VishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP IRFD9220 IRFD9220 TIRFD9220
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220IRFD9220 Транзисторы HEXFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBFVishay SiliconixP-Channel 200 V 0.56 A DIP-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix)
Код товару: 31846
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 0,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 340/15
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - склад
1+33.00 грн
10+29.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF.. - P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC03IORTO220/
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20IRFDC20 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]